和其它欧洲芯片供应商不同的是，英飞凌科技一直保持着强大的竞争力。从英飞凌得知该公司的重心在功率半导体的设计和生产上，300mm芯片工厂成为了他们的杀手锏。
2014-10-09 12:04:59
2738 根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体业者受惠;另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(International Rectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。
2015-09-14 09:08:201200 10 月 25 日，英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案
2023-10-25 11:38:30360 
芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，带来前所未有的高集成度和性能表现。 氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同
2023-03-28 13:54:32886 
的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。汽车电气化推动碳化硅市场快速成长汽车半导体市场快速增长汽车IC快速增长，成半导体增长亮点。根据IC Insights数据
2019-05-06 10:04:10
成国内首条集晶体生长、晶体加工、薄膜外延于一体的氧化镓完整产业线。行业分析人士表示，氧化镓是第四代半导体材料，在市场对性能好、损耗低、功率密度高的功率器件需求不断释放背景下，氧化镓市场发展潜力巨大
2023-03-15 11:09:59
所在各类半导体功率器件中，未来增长强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。目前，全球功率半导体市场仍由欧美日企业主导，其中英飞凌以 19%的市占率占据绝对领先地位。全球功率半导体前十名供应商
2022-11-11 11:50:23
半导体技术是如何变革汽车设计产业的？
2021-02-22 09:07:43
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
扮演着关键的角色。与此同时，美国国防部还通过了高级研究计划局 (DARPA) 的宽带隙半导体技术 (WBST) 计划，该计划在氮化镓的早期开发中发挥了积极的推动作用。该项计划于 2001 年正式启动，力求
2017-08-15 17:47:34
数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
®系列为各种处理器提供了出众的服务器密度，并且采用了同类产品中效率最高的OptiMOS™集成式功率级半导体。· 将物品变成支付设备为什么只用信用卡、智能手机或智能手表才可以进行支付？英飞凌的技术正在推动
2023-02-23 14:50:51
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰，智融，赛芯微一级代理吉娜：*** 微信：mphanfan欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的优势，近年来在功率器件市场大受欢迎。然而，其居高不下的成本使得氮化镓技术的应用受到很多限制。 但是随着硅基氮化镓技术的深入研究，我们逐渐发现了一条完全不同的道路，甚至可以说是颠覆性的半导体技术。这就
2017-07-18 16:38:20
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
功率模块（APM）、加热和冷却单元等。表1：突破性半导体材料的最佳应用氮化镓的魅力在于其固有的超越硅的几个属性。氮化镓提供更低的开关损耗；更快的速度，类似RF的开关速度；增加的功率密度；更好的热预算
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在开发中。微控制器和数字信号处理器（DSP），也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构，而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料，已经可被使用了。
氮化镓功率芯片
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
％。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前，氮化镓已经拥有了足够广阔的应用空间。作为第三代半导体新技术，也是全球各国争相角逐的市场，并且市面上已经形成了多股氮化镓代表势力
2019-07-08 04:20:32
安森美半导体已成为主要汽车半导体技术的一个全球领袖。 安森美半导体是自动驾驶系统的图像传感器、电源管理和互通互联领域的一个公认的佼佼者。此外，公司的广泛电源方案组合，包括模块和碳化硅（SiC）/氮化镓
2018-10-11 14:33:43
这样的领导者正在将氮化镓和固态半导体技术与这些过程相结合，以更低的成本进行广泛使用，从而改变行业的基础状况。采油与传统的干燥和加热方法相比，射频能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。从
2018-01-18 10:56:28
行业的“传奇定律”——摩尔定律就此诞生，它不仅揭示了信息技术进步的速度，更在接下来的半个实际中，犹如一只无形大手般推动了整个半导体行业的变革。
2019-07-01 07:57:50
整个库存，在GEM-T计划中采用这些发射器能够将修复成本降低36％。目前，氮化镓已经拥有了足够广阔的应用空间。作为第三代半导体新技术，也是全球各国争相角逐的市场，并且市面上已经形成了多股氮化镓代表势力
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
群“芯”闪耀的半导体行业行业全接触——电子技术与半导体行业 半导体半导体是指常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料。主要的半导体材料有硅、锗、砷化镓、硅锗复合材料等。半导体器件可以通过结构和材料上
2008-09-23 15:43:09
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
未来电动汽车的动力全要靠三代半导体的功率器件了，碳化硅、氮化镓都会在电动汽车里有很大的市场。仅功率器件一项，每辆车就会增加大约300美元的需求。（5）机器人我的天，你是要把未来世界都划进来吗？可是事实
2017-05-15 17:09:48
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
了当时功率半导体界的一项大胆技术：氮化镓（GaN）。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景，他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奥地利菲拉赫(Villach)据点生产出首款 300mm (12寸)薄晶圆之功率半导体晶片(first silicon)，成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300mm薄晶圆
2011-10-14 09:51:431111 富士通半导体有限公司台湾分公司宣佈，成功透过硅基板氮化镓（GaN）功率元件让伺服器电源供应器达到2.5kW的高输出功率，并扩大电源供应的增值应用，实现低碳能源社会。富士通半导
2012-11-21 08:51:361409 以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。
2020-03-10 11:22:192786 纳微半导体向福布斯详细介绍了纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的相关信息，并且介绍了氮化镓功率芯片在电动汽车以及电动交通工具等方面的应用。
2021-08-24 09:39:211442 
全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体，在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上，展示了下一代功率电源和手机快充产品。
2021-11-02 09:51:31891 
氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些
2022-03-23 14:15:081206 
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:131770 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:561708 下一代氮化镓功率芯片 助力RedmiBook Pro实现轻巧快充 加利福尼亚州埃尔塞贡多2022年6月29日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:401665 
了解氮化镓
-宽带隙半导体：为什么？
-氮化镓与其他半导体的比较(FOM)
-如何获得高片电荷和高迁移率？
2023-01-15 14:54:251121 器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。 氮化镓技术是指一种宽带隙半导体材料，相较于传统的硅基半导体，具有相对宽的带隙。所以宽带隙器件可以在高压、高温、高频率下工作。
2023-02-03 14:14:452389 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:1517296 硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:262873 
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
2023-02-07 09:36:561355 
氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。
2023-02-08 17:41:29563 氮化镓属于第三代半导体材料，相对硅而言，氮化镓间隙更宽，导电性更好，将普通充电器替换为氮化镓充电器，充电的效率更高。
2023-02-14 17:35:506201 氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 来源：《半导体芯科技》杂志12/1月刊 近年来，芯片材料、设备以及制程工艺等技术不断突破，在高压、高温、高频应用场景中第三代半导体材质优势逐渐显现。其中，氮化镓凭借着在消费产品快充电源领域的如
2023-02-17 18:13:202679 领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料，因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同，GaN 具有更宽的带隙，这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
2023-03-03 10:14:39860 近日，世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)与国内氮化镓功率器件与驱动芯片领先厂商——晶通半导体(深圳)有限公司(下称“晶通半导体”)签署授权代理协议，代理其旗下工业级氮化镓功率驱动芯片、智能氮化镓功率开关等产品，广泛应用于新能源汽车、充电桩、数据中心电源、光伏储能、快充电源等行业。
2023-03-08 09:56:001311 全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布 已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。 氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，它减少了提供高压性
2023-03-28 14:19:53710 
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:231575 纳微半导体利用横向650V eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低
2023-09-01 14:46:04843 
调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24595 
于高功率、高速光电元件。例如，氮化镓可用于紫光激光二极管，并且可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped Solid-state Laser)的情况下产生紫光(405nm)激光。
2023-09-13 16:41:451353 不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:44958 随着科技的不断发展，无线通信、射频设备和微波应用等领域对高性能功率放大器的需求不断增加。为满足这些需求，半导体行业一直在不断寻求创新和进步。其中，氮化镓功率芯片已经成为一项引领潮流的技术，为高频、高功率应用提供了全新的解决方案。
2023-10-18 09:13:14951 
渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓（GaN）功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。 目前，英飞凌共有 450 名氮化镓技术专家和超过 350 个氮化镓技术专利族。英飞凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52531 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:181126 氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成
2023-12-27 14:58:241077 近日，Nexperia（安世半导体）凭借其在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领域的杰出表现，荣获两项权威大奖：“SiC年度优秀产品奖”和“中国GaN功率器件十强”。这一荣誉充分展示了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，以及其在三代半领域的深厚积累。
2024-01-03 15:46:13899 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势。 一
2024-01-09 18:06:361226 氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种宽禁带
2024-01-10 09:27:321634 珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。
2024-04-10 18:08:091031 
加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片获
2024-06-21 14:45:441090 本文要点氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:18494 
自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场持续升温，成为半导体行业的焦点。英飞凌、瑞萨电子、格芯等业界巨头纷纷通过并购GaN技术公司，加速在这一领域的布局，旨在强化技术储备并抢占市场先机。随着快充
2024-08-26 16:34:33208
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