GaN
功率半导体(
氮化
镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
概述:
RF2131是
RFMicro Devices公司生产的一款
高效率的AMPS/ ETACS放大器。它采用先进的砷化
镓异质结双极型
晶体管(HBT)处理,设计用于AMPS和ETACS手持设备的末级
2021-05-18 07:59:09
概述:
RF2132是
RFMicro Devices生产的一款
高效率线性放大器。它采用先进的砷化
镓异质结双极型
晶体管(HBT)处理,设计用于双模式4节电池的CDMA/AMPS手持数字式蜂窝系统设备
2021-05-18 06:03:36
的Jimenez说道,“一种可能是改变
氮化
镓的结构。
氮化
镓采用的是场效应
管(FET)结构,而手机功放则是用异质双结型
晶体管(HBT)结构,HBT结构的
效率和线性度更好。”
射频
氮化
镓器件可以考虑垂直结构,或者
2016-08-30 16:39:28
目前制造的大
功率
射频
晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大
功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
晶体管
2019-08-22 06:13:27
氮化
镓(
GaN)
功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的是用于蓝光播放器的光盘激光头)。 在光子学之外,虽然
氮化
镓
晶体管在1993年就发布了相关技术,但直到2004年左右,第一个
氮化
镓高电子迁移率
晶体管(HEMT)才开始商用。这些
晶体管通常用于需要
高效
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点;纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和
高效率(小米65W也是采用此方案)。对于
氮化
镓快充普及浪潮的来临,各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
功率
晶体管(如
GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高
功率
效率,从而远远超过硅MOSFET产品。
GaN可以为您做什么 根据应用的不同,
高效率的高频开关可以将
功率模块的尺寸缩小
2018-11-20 10:56:25
本文讨论了商用
氮化
镓
功率
晶体管与Si SJMOS和SiC MOS
晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高
功率、更小尺寸和更
高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
氮化
镓
功率半导体技术解析基于
GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
650V的MOSFET。根据应用程序的要求,开发人员可以针对最
高效率,最大
功率密度或两者之间的折衷。 由于其“0反向恢复”行为,
GaN
晶体管使得一些拓扑实际上可用,例如图腾柱PFC,其需要比传统
2023-02-27 15:53:50
的热量,需要更大的散热器。不幸的是,这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸,这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14
集成电路[7]。图7显示了单片
功率级
GaNIC的框图和实际芯片照片。将这种单片集成电路的实验测量
效率(如图8所示)与使用具有相同导通电阻的eGaN®
晶体管的分立电路进行比较,并由uPI半导体uP1966
2023-02-24 15:15:04
是什么
氮化
镓(
GaN)是氮和
镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极
管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。
氮化
镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成
氮化
镓MOS
管,可适配小型变压器和高
功率器件,充电
效率高。二、
氮化
2021-09-14 08:35:58
晶体管如今已与碳化硅基
氮化
镓具有同样的电源
效率和热特性。MACOM 的第四代硅基
氮化
镓(Gen4
GaN) 代表了这种趋势,针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示
氮化
镓场效应
晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的
功率及
效率。
2021-04-13 06:01:46
硅的限制,因此无法在单个硅
功率FET中提供所有这些功能。宽带隙
功率
晶体管(如
GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高
功率
效率,从而远远超过硅MOSFET产品。
GaN可以为您做什么
2019-03-14 06:45:11
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的
射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基
氮化
镓(
GaN
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已开始,但
GaN
晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问,它们将在未来十年内取代
功率应用中的硅
晶体管,但距离用于数据处理应用还很远。 Keep Tops
氮化
镓有什么好处?
氮化
镓的出现
2023-08-21 17:06:18
射频
功率放大器被广泛应用于各种无线通信设备中。在通讯基站中,线性功放占其成本比例约占1/
3。
高效率,低成本的解决功放的线性化问题显得非常重要。因此
高效率高线性的功放一直是功放研究的热门课题。
2019-09-17 08:08:11
` 本帖最后由
射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑 Wolfspeed的CG2H80015D是
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)。
GaN具有比硅或砷化
镓更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种
射频和微波应用。
GaNHEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种
射频和微波应用。
GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT),专为
高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT),专为
高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由
射频微波技术 于 2021-4-8 09:15 编辑 Wolfspeed的CGHV60040D是
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)。
GaN具有比硅或砷化
镓更高的性能
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些
GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的
功率附带
效率。与硅或砷化
镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)衬底上的
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)。这种
GaN内匹配(IM)场效应
晶体管与其他技术相比,提供了优异的
功率附加
效率。
GaN与硅或砷化
镓相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该
GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的
功率附加
效率。
氮化
镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
产品采用符合RoHS的SMD封装提供。功能 内部匹配的
GAN
功率
晶体管
射频带宽(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4
功率(W) 65岁PAE(%) 55封装 QFN塑料包装CHKA011aSXA
氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率基于
晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。
氮化
镓与硅或砷化
镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
脉冲
功率。 在没有外部调谐的情况下,所有设备都在宽带
RF测试夹具中100%屏蔽了大信号
RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出
功率经过100%大
功率
射频测试C级操作IB0607S10
功率
晶体管
2021-04-01 10:07:29
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于
GaN
功率
晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告,并提出了一种适用于
氮化
镓
功率
晶体管的智能栅极驱动集成电路,该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
基于SiC HEMT技术的
GaN输出
功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的
效率-高达80%在100ms,10%占空比脉冲条件下进行了100%
RF测试IGN0450M250
功率
晶体管
2021-04-01 10:35:32
MACOM六十多年的技术传承,运用bipolar、MOSFET和
GaN技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。
射频
功率
晶体管- 硅基
氮化
镓(
GaNon Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑 整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上
氮化
镓
射频
功率技术,瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
,可帮助系统设计人员简化和加快产品开发,使其能够轻松微调
射频能量输出水平,从而最大限度地提
高效率和增强性能。MACOM的
射频能量工具包将其硅基
氮化
镓
功率
晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是
功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
晶体管在
功率放大器领域几十年来的主导地位正在被
氮化
镓(
GaN)撼动,这将对无线
2017-08-30 10:51:37
`作为一家具有60多年历史的公司,MACOM在
射频微波领域经验丰富,该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管,后来从真空管、
晶体管发展到特殊工艺的
射频及
功率器件(例如砷化
镓GaAs)。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
(
GaN)那么,问题来了,怎么解决高昂的价格?首先,先了解下什么是硅基
氮化
镓,与硅器件相比,由于
氮化
镓的
晶体具备更强的化学键,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把
晶体管
2017-07-18 16:38:20
化
镓或砷化铝
镓技术的这类二极
管。产品型号:NPT2020产品名称:
射频
晶体管NPT2020产品特性
GaN上硅HEMT耗尽型
晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
和医疗应用。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统,即使用
GaN-on-Si技术提供标准和定制解决方案,以满足客户最苛刻的需求。我们的硅基
氮化
镓产品采用0.5微米HEMT工艺制成分立
晶体管和集成
2019-11-01 10:46:19
产品名称:
氮化
镓
晶体管QPD1004产品特性频率范围:30 - 1200 MHz输出
功率(p
3db):40 W在1 GHz线性增益:20.8分贝典型的1 GHz典型的pae
3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018
氮化
镓
晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散
GaN
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018
氮化
镓
晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散
GaN
2019-07-17 13:58:50
QPD1020
射频
功率
晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W(p
3db),50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
`SUMITOMO的
GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高
功率,
高效率和更高的一致性,具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的
GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高
功率,
高效率和更高的一致性,具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:24:16
`住友电工的
GaN-HEMT为具有50V工作电压的高
功率L波段放大器提供了
高效率,易于匹配,更高的一致性和更宽的带宽,并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低电流和宽带应用。高压操作
2021-03-30 11:37:49
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT为具有50V工作电压的高
功率L波段放大器提供了
高效率,易于匹配,更高的一致性和更宽的带宽,并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低
2021-03-30 11:32:19
附加
效率为70.5%,这使得tgf2023-2-20适合
高效率的应用.产品型号:TGF2023-2-20产品名称:碳化硅
晶体管TGF2023-2-20产品特性频率范围:直流至14 GHz50.5
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的
功率附加
效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合
高效率的应用。带有
氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号:TGF2040产品名称:砷化
镓
晶体管
2018-07-18 12:00:19
在
功率增益10.4 dB和63%的
功率附加
效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合
高效率的应用。产品型号:TGF2160产品名称:砷化
镓
晶体管TGF2160产品特性频率范围:直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
-on-SiC HEMT由DC-12 GHz。在
3GHz的tgf2954通常提供44.5 dBm的
功率增益为19.5 dB的饱和输出
功率。
功率附加
效率为71.5%,这使得tgf2954适合
高效率的应用。产品型号
2018-11-15 14:01:58
-on-SiC HEMT由DC-12 GHz。在
3GHz的tgf2955通常提供46.4 dBm的
功率增益为19.2 dB的饱和输出
功率。
功率附加
效率为69%,这使得tgf2955适合
高效率的应用。产品型号
2018-11-15 14:06:57
、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称:
氮化
镓
晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围:直流- 12 GHz输出
功率(p
3db):6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15
结合传统类型的
射频
功率放大器对开关E类
射频
功率放大器进行了探讨,并推导了具有并联电容结构的E类功放的各元器件的理论计算公式,选用了M/ACOM公司的MRFl66C型号的
功率
晶体管,并结合理论计算
2021-12-16 19:31:39
氮化
镓(
GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV,而
氮化
镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽区窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向
氮化
镓
晶体管,可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
的模拟揭示了为何ITO不能在
氮化
镓
晶体管中形成良好的欧姆接触。模拟结果表明,ITO和在AlGaN和
GaN界面的二维电子气之间存在着一个高能势垒(见图
3(a))。这个势垒阻碍电子在氧化铟锡和
氮化
镓三角阱
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大
功率
射频
晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大
功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
晶体管
2019-08-22 08:14:59
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能,消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。 纳微推出的世界上首款
氮化
镓
功率芯片同时能提供高频率和
高效率,实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V
氮化
镓(
GaN)
功率器件。该器件不仅为工程师提供了
功率密度和
效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将
功率级
2020-10-27 09:28:22
镓具有更小的
晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,
氮化
镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是,
氮化
镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,
氮化
镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高
功率、
高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“
氮化
镓系列”,告诉大家什么是
氮化
镓(
GaN)?
2019-07-31 06:53:03
电器,使用传统的
功率开关无法改变充电器的现状。[color=rgb(51, 51, 51) !important]而
GaN技术可以做到,因为它是目前全球最快的
功率开关器件,并且可以在高速开关的情况下仍保持
高效率
2019-07-08 04:20:32
应用领域,SiC和
GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、
氮化
镓(
GaN)等新材料陆续应用在二极
管、场效
晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应
氮化
镓
功率芯片NV6127+
晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性:
氮化
镓
功率芯片封装:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
高频150W PFC-LLC与
GaN
功率ic(
氮化
镓)
2023-06-19 08:36:25
氮化
镓(
GaN)- 宽带隙(WBG)材料•
GaNHEMT-高电子迁移率
晶体管,代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提
高效率• 与硅基
晶体管相比,
功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
只能通过精心开发的与
GaN配合使用的栅极驱动器来满足。
氮化
镓栅极驱动的陷阱
GaN
晶体管在
功率应用中具有很大的潜力:更高的
功率
效率,更高的
功率密度,潜在的散热器/无风扇设计,。。.然而,从
GaN
2023-02-24 15:09:34
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快
氮化
镓(
GaN)
晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读:将
GaNFET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于
GaN的
功率级设计。
氮化
镓(
GaN)
晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计
GaN
氮化
镓PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动
GaN增强模式高电子迁移率
晶体管(E-HEMT)的栅极与驱动硅(Si)MOSFET的栅极有相似之处,但有一些有益的差异。 驱动
氮化
镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低
功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部
氮化
镓场效应
晶体管(FET)的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
功率/高频
射频
晶体管和发光二极
管。2010年,第一款增强型
氮化
镓
晶体管普遍可用,旨在取代硅
功率MOSFET。之后随即推出
氮化
镓
功率集成电路- 将
GaNFET、
氮化
镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底
氮化
镓(GaNonSiC)技术的
射频(
RF)
晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大
功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高
功率和高频率电子设备,制造商正在研究
氮化
镓(
GaN)来制造具有高开关频率的场效应
晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造
高效率的大
功率
2022-06-15 11:43:25
,在这种情况下采用基于
氮化
镓(
GaN)
晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似,
GaN
晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制,单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出
功率,并联配置
晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护,直接驱动
GaN器件可实现更高的开关电源
效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)
氮化
镓(
GaN)高电子迁移率
晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源
效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
处理,谢谢。
GaN高电子迁移率
晶体管(HEMT)已经成为5G宏基站
功率放大器的主流候选技术。
GaNHEMT凭借其固有的高击穿电压、高
功率密度、大带宽和
高效率,已成为基站PA的有力候选技术。
GaN是极
2019-04-13 22:28:48
请问一下
GaN器件和AMO技术能实现
高效率和宽带宽吗?
2021-04-19 09:22:09
氮化
镓
GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
的
晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。
氮化
镓的宽带隙(使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量)和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力,制造性能空前的器件。 如今,
氮化
镓是固态
射频
功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
解决方案。
GaNHEMT 提供
高效率;高增益和宽带宽能力;使 CGH40006 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该
晶体管采用焊接药丸封装和
3-mm x
3-m
2022-05-18 11:55:04
Wolfspeed 的 CGH40120 是无与伦比的;
氮化
镓(
GaN);高电子迁移率
晶体管(HEMT)。CGH40120;从 28 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种
射频和微波应用的宽带
2022-06-13 10:19:53
Wolfspeed 的 CGHV40050 是无与伦比的;
氮化
镓(
GaN) 高电子迁移率
晶体管(HEMT)。CGHV40050;从 50 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种
射频和微波应用的宽带
2022-06-23 09:19:21
Wolfspeed 的 CGHV40100 是无与伦比的;
氮化
镓(
GaN) 高电子迁移率
晶体管(HEMT)。CGHV40100;从 50 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种
射频和微波应用的宽带
2022-06-23 14:28:12
Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是无与伦比的;
氮化
镓(
GaN) 高电子迁移率
晶体管(HEMT)。CGHV40200PP;从 50 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种
射频和微波
2022-06-24 09:54:07
应用的宽带解决方案。
GaNHEMT 提供
高效率;高增益和宽带宽能力使 CGHV59070 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该
晶体管采用法兰和药丸封装。
氮化
镓(Ga
2022-06-27 14:11:15
日前,
射频
功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast
RF
功率解决方案推出最新成员:包括三个LDMOS
功率
晶体管与一个
氮化镓(
GaN)
晶体管,所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:37
1842
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