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RFMD高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)RF3

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功率增益10.4 dB和63%的 功率附加 效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合 高效率的应用。产品型号:TGF2160产品名称:砷化 晶体管TGF2160产品特性频率范围:直流- 20千兆
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为什么氮化(GaN)很重要?

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为什么氮化比硅更好?

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什么是RF功率晶体管耐用性验证方案?

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什么是氮化功率芯片?

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什么是氮化技术

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V 氮化 GaN功率器件。该器件不仅为工程师提供了 功率密度和 效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将 功率
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什么是氮化GaN)?

具有更小的 晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势, 氮化 充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是, 氮化 相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外, 氮化 比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
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什么是氮化GaN)?

、高 功率高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“ 氮化 系列”,告诉大家什么是 氮化 GaN)?
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明佳达电子优势供应 氮化 功率芯片NV6127+ 晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性: 氮化 功率芯片封装:QFN芯片
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如何设计 GaN 氮化 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55

想要实现高效氮化设计有哪些步骤?

  第 1 步 – 栅极驱动选择  驱动 GaN增强模式高电子迁移率 晶体管(E-HEMT)的栅极与驱动硅(Si)MOSFET的栅极有相似之处,但有一些有益的差异。  驱动 氮化 E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦级应用的氮化技术介绍

。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低 功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部 氮化 场效应 晶体管(FET)的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09

有关氮化半导体的常见错误观念

功率/高频 射频 晶体管和发光二极 。2010年,第一款增强型 氮化 晶体管普遍可用,旨在取代硅 功率MOSFET。之后随即推出 氮化 功率集成电路- 将 GaNFET、 氮化 基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47

消费类电子大功率空中交通控制的RF功率晶体管

(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底 氮化 (GaNonSiC)技术的 射频( RF) 晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大 功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和频率应用的舍入GaN晶体管

针对可靠的高 功率和高频率电子设备,制造商正在研究 氮化 ( GaN)来制造具有高开关频率的场效应 晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造 高效率的大 功率
2022-06-15 11:43:25

电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响

,在这种情况下采用基于 氮化 GaN晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似, GaN 晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制,单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出 功率,并联配置 晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15

直接驱动GaN晶体管的优点

受益于集成器件保护,直接驱动 GaN器件可实现更高的开关电源 效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V) 氮化 GaN)高电子迁移率 晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源 效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

第三代半导体材料氮化/GaN未来发展及技术应用

处理,谢谢。 GaN高电子迁移率 晶体管(HEMT)已经成为5G宏基站 功率放大器的主流候选技术。 GaNHEMT凭借其固有的高击穿电压、高 功率密度、大带宽和 高效率,已成为基站PA的有力候选技术。 GaN是极
2019-04-13 22:28:48

请问GaN器件和AMO技术能否实现高效率和宽带宽?

请问一下 GaN器件和AMO技术能实现 高效率和宽带宽吗?
2021-04-19 09:22:09

请问氮化GaN是什么?

氮化 GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

迄今为止最坚固耐用的晶体管氮化器件

晶体管”。  伊斯曼和米什拉是对的。 氮化 的宽带隙(使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量)和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力,制造性能空前的器件。  如今, 氮化 是固态 射频 功率应用领域
2023-02-27 15:46:36

CGH40006S氮化(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)

解决方案。 GaNHEMT 提供 高效率;高增益和宽带宽能力;使 CGH40006 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该 晶体管采用焊接药丸封装和 3-mm x 3-m
2022-05-18 11:55:04

CGH40120P氮化(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40120 是无与伦比的; 氮化 GaN);高电子迁移率 晶体管(HEMT)。CGH40120;从 28 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种 射频和微波应用的宽带
2022-06-13 10:19:53

CGHV40050P氮化(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40050 是无与伦比的; 氮化 ( GaN) 高电子迁移率 晶体管(HEMT)。CGHV40050;从 50 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种 射频和微波应用的宽带
2022-06-23 09:19:21

CGHV40100F氮化(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40100 是无与伦比的; 氮化 ( GaN) 高电子迁移率 晶体管(HEMT)。CGHV40100;从 50 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种 射频和微波应用的宽带
2022-06-23 14:28:12

CGHV40200PP氮化(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是无与伦比的; 氮化 ( GaN) 高电子迁移率 晶体管(HEMT)。CGHV40200PP;从 50 伏电压轨运行;提供通用的;适用于各种 射频和微波
2022-06-24 09:54:07

CGHV59070P氮化(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)

应用的宽带解决方案。 GaNHEMT 提供 高效率;高增益和宽带宽能力使 CGHV59070 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该 晶体管采用法兰和药丸封装。 氮化 (Ga
2022-06-27 14:11:15

飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管

日前, 射频 功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF 功率解决方案推出最新成员:包括三个LDMOS 功率 晶体管与一个 氮化镓( GaN晶体管,所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:37 1842

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