图片来源:联电 12月2日,中国台湾
半导体代工厂联电(UMC)宣布,在首次成功使用硅技术之后,其
22nm制程技术已准备就绪。 该公司称,全球面积最小、使用
22nm制程技术的USB 2.0通过硅验证
2019-12-03 09:59:41
4518
2022 年 4 月 21日,中国——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法
半导体宣布一项新的合作协议,四家公司计划联合制定行业的下一代
FD-SOI(全耗尽型绝缘体
2022-04-21 17:18:48
3472
Intel Ivy Bridge处理器只是一次制程升级,对CPU性能来说没什么特别的,但是就制造
工艺而言,Ivy Bridge不啻于一场革命,因为它不仅是首款
22nm
工艺产品,更重要的是Intel将从
22nm
工艺节点开
2012-04-18 14:02:29
936
i HD1000是Speedster
22i FPGA产品家族的
首个成员。该器件采用英特尔领先的
22nm3D Tri-Gate晶体管技术,其功耗是竞争对手同类器件的一半。
2013-03-04 13:47:58
1543
意法
半导体宣布,其28纳米
FD-SOI技术
平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz,在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:24
1298
意法
半导体独有的
FD-SOI技术配备嵌入式存储器,有望突破更高性能,以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:09
1257
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,
半导体厂商应该不是选择FinFET就是
FD-SOI
工艺技术。
2015-07-07 09:52:22
3744
近日Global Foundries(以下简称GF)宣布其14
nmFinFET和
22nm
FD-SOI
工艺都取得了突破,成功量产,这似乎为
半导体代工厂GF近数年的颓势带来一股希望,不过在笔者看来,GF未必能就此扭转命运,不过是GF与那些
半导体厂商豪门恩怨的延续。
2015-07-25 22:16:20
6622
半导体晶圆代工公司格罗方德(Globalfoundries)日前开发出支援4种技术制程的
22nm
FD-SOI
平台,以满足新一代物联网(IoT)装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法
半导体
2015-10-08 08:29:22
949
耗尽型绝缘上覆矽(
FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变,成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说,业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动,象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:03
3179
Globalfoundries技术长Gary Patton透露,其
22FDX全空乏绝缘上覆矽(
FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:32
1132
获得英 特尔(Intel)、三星、台积电(TSMC)等大厂采用的FinFET制程,号称能提供最高性能与最低功耗;但Jones指出,在约当14纳米节 点,
FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%,此外其设计成本也低25%左右,并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:02
1835
鳍式晶体管(FinFET)制程技术外,也投入全耗尽型绝缘层上覆硅(
FD-SOI)市场,并
推出
22纳米及12纳米FDX制程
平台,抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22
845
22纳米
FD-SOI(
22FDX)
平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯
22FDX eMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的,格芯
22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:09
8151
5G时代将对
半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时,
FD-SOI与RF-
SOI技术的优势日渐凸显,人们对
SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:57
12372
今日,格芯 与 eVaderis共同宣布,将共同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯
22nm
FD-SOI(
22FDX®)
平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。双方合作所提供的技术
2018-03-01 14:52:06
11225
格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示,
FD-SOI(全耗尽平面晶体管)
工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:19
9631
2023年1月13日 ,知名物理IP提供商锐成芯微(Actt)宣布在
22nm
工艺上
推出双模蓝牙射频IP。 近年来,随着蓝牙芯片各类应用对功耗、灵敏度、计算性能、协议支持、成本的要求越来越高,
22nm
2023-01-13 09:50:43
1811
今天分享另一篇网上流传很广的
22nm平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇
22nmgate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面
工艺最后一个节点
22nmprocess flow。
2023-11-28 10:45:51
4255
2022年9月26日,广东高云
半导体科技股份有限公司隆重发布其最新
工艺节点的晨熙家族第5代(Arora V)高性能FPGA产品。晨熙家族第5代(Arora V)产品采用
22nmSRAM
工艺,集成
2022-09-26 14:57:42
1537
随着
半导体产业技术的不断发展,芯片制程
工艺已从90
nm、65
nm、45
nm、32
nm、
22nm、14
nm升级到到现在比较主流的10
nm、7
nm,而最近据媒体报道,
半导体的3
nm
工艺研发制作也启动
2019-12-10 14:38:41
一些分析文章指出,台积电的7
nm
工艺在很多指标上和英特尔的10
nm
工艺很接近。图为台积电、英特尔和
格
罗
方
德不同代次
工艺的典型尺寸对比,不过
格
罗
方
德放弃了所有14
nm以后的
工艺研发。
2020-07-07 11:38:14
FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术是一种新的
工艺技术,有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造
工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片,在相同的选件和金属层条件下,
FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,
半导体器件的规格在不断的缩小,芯片的集成度也在不断提升,
工艺制程从90
nm
2020-12-10 06:55:40
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(
SoI)和蓝宝石硅(SoS)等
工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然
半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些
工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
适应相控阵架构、直接射频采样、波束成形和 5G 无线电等应用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的
22nm
FD-SOI
工艺设计了一款名为 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
书籍:《炬丰科技-
半导体
工艺》文章:III-V/
SOI波导电路的化学机械抛光
工艺开发编号:JFSJ-21-064作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
的宽度,也被称为栅长。栅长越短,则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前,
业内最重要的代工企业台积电、三星和GF(
格
罗
方
德),在
半导体
工艺的发展上越来越迅猛,10
nm制程才刚刚应用一年半,7n...
2021-07-29 07:19:33
半导体为代表的欧洲
半导体科研机构和公司相继迎来技术突破,快速发展,为MRAM的商业化应用埋下了伏笔。 2014年,三星与意法
半导体签订28
nm
FD-SOI技术多资源制造全方位合作协议,授权三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于
FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势?基于
FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用?
2021-06-26 07:14:03
我弄了个
22nm的
工艺,配置完了之后报错是为什么?怎么解决?
2021-06-24 08:03:26
尊敬的先生/女士,您能否提供步骤和可能的图表,以便在ADS仿真中获得N-MOS
FD-SOI晶体管的C-V曲线?提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
40
nm等
工艺节点
推出蓝牙IP解决方案,并已进入量产。此次
推出的
22nm双模蓝牙射频IP将使得公司的智能物联网IP
平台更具特色。结合锐成芯微丰富的模拟IP、存储IP、接口IP、IP整合及芯片定制服务、专业及时的技术支持,锐成芯微期待为广大物联网应用市场提供更完善的技术解决方案。
2023-02-15 17:09:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 高清图详解英特尔最新
22nm3D晶体管
2012-08-05 21:48:28
Intel
22nm光刻
工艺背后的故事 去年九月底的旧金山秋季IDF 2009论坛上,Intel第一次向世人展示了
22nm
工艺晶圆,并宣布将在2011年下半年发布相关产品。
2010-03-24 08:52:58
1085
台积电又跳过
22nm
工艺改而直上20
nm为了在竞争激烈的
半导体代工行业中提供最先进的制造技术,台积电已经决定跳过
22nm
工艺的研
2010-04-15 09:52:16
867
22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型
FD-SOI(完全空乏型
SOI)元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42
559
22nm以后的晶体管技术领域,靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型
FD-SOI(完全空乏型
SOI)元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:42
1508
Achronix
半导体公司今日宣布了其 Speedster
22i HD和HP产品系列的细节,它们是将采用英特尔
22nm3D晶体管技术
工艺制造的首批现场可编程门阵列(FPGA)产品。Speedster
22i FPGA产品是
业内唯一
2012-04-25 09:12:05
1184
本文通过高清图详解Intel最新
22nm3D 晶体管 。业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14
nm的
半导体制造,没想到英特尔竟提前将之用于
22nm
工艺,并且于上周四向全世界表示将在
2012-08-03 17:09:18
0
意法
半导体(ST)、Soitec与CMP(Circuits Multi Projets)携手宣佈,大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法
半导体的CMOS 28奈米
FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:50
1201
日前,意法
半导体(ST)宣布位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂即将拥有28奈米
FD-SOI技术,这证明了意法
半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技术的能力。
2012-12-14 08:45:27
793
英特尔在4月23日正式发布Ivy Bridge处理器。Ivy Bridge是英特尔首款
22nm
工艺处理器,采用革命性的三栅极3D晶体管
工艺制造。紧随其后,美国FPGA厂商Achronix在次日便宣布发布全球首款
22nm
工艺
2013-01-16 16:55:13
1421
intel的
22nm3D
工艺牛,到底牛到什么程度,到底对业界有神马影响,俺也搞不太清楚。这不,一封email全搞定了。
2017-02-11 10:47:11
1288
台积电、三星电子这两年在
半导体
工艺上竞争激烈,16/14
nm打完之后就冲向了10/7
nm,但这两家的
工艺可不像Intel那么单纯,版本更多更杂。比如三星在7
nm周围又开发了8
nm、6
nm
2017-05-13 01:07:14
1234
AMD剥离出来的代工厂GlobalFoundries(经常被戏称为AMD女友)近日迎来好消息,上海复旦微电子已经下单采纳其
22nm
FD-SOI
工艺(
22FDX)。
2017-07-11 08:56:22
912
据报道,意法
半导体公司决定选择格芯
22FDX®用来提升其
FD-SOI
平台和技术领导力,格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:42
5975
集微网消息,格罗方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球
半导体供应商意法
半导体(ST)选择采用格罗方德
22纳米
FD-SOI(
22FDX)制程技术
平台,以支持用于工业及消费
2018-01-10 20:44:02
707
GlobalFoundries的
FD-SOI技术已经略有成效,近日传来消息,又迎来意法
半导体(ST)的大单进补,在第二代
FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:03
1411
在
工艺节点进展方面,三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示,三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和
FD-SOI两个方向,
FD-SOI
平台路线如下图。目前
FD-SOI
工艺主要
2018-04-10 17:30:00
1703
物联网
FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的
半导体制程技术,除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程,以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点,各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:00
2368
晶圆代工厂格芯日前宣布其
22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(
FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单,其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面,其竞争对手三星则预计今年将采用其28
nm
FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:13
4565
格罗方德
半导体今日发布了全新的12
nm
FD-SOI
半导体
工艺
平台12FDXTM,实现了
业内
首个多节点
FD-SOI路线图,从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM
平台建立在其
22FDXTM
平台的成功基础之上,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:00
2394
加利福尼亚州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其
22nm
FD-SOI(
22FDX®)技术
平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产。作为
业内符合汽车标准的先进
FD-SOI
2018-05-25 11:20:00
1424
生产
FD-SOI
工艺的公司有ST Micro(其正在将此
工艺用作28纳米IDM的生产),三星代工厂(28纳米
工艺投产中,18纳米
工艺计划投产),以及格芯代工厂(
22纳米
工艺投产中,12纳米计划投产)。
2018-08-02 11:35:24
4402
FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上,三星宣布他们有17种
FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:28
11603
今天,Globalfoundries(简称GF)宣布无限期停止7
nm
工艺的投资研发,转而专注现有14/12
nmFinFET
工艺及
22/12
nm
FD-SOI
工艺。
2018-08-31 15:03:01
2841
日前,格罗方德宣布停止7
nm
工艺的投资研发,转而专注现有14/12
nmFinFET
工艺和
22/12
nm
FD-SOI
工艺。
2018-09-03 16:41:42
5128
昨天Globalfoundries公司宣布退出7
nm及未来的先进
工艺之争,专注14/12
nmFinFET及
22nm
FD-SOI
工艺,虽然他们还提到了未来某天有可能杀回来,但是这对市场已经没什么影响了。
2018-09-04 11:08:36
2165
双方携手采用Imagination的Ensigma连接方案
半导体知识产权(connectivity IP),在GF的
22nm
FD-SOI(
22FDX®)
工艺
平台上,为业界提供用于低功耗蓝牙
2018-09-26 11:14:50
4395
能在全球范围内收获了超过20亿美元的收益,并在超过50项客户设计中得到采用。本次两位中国客户的成功流片再次印证了
22FDX技术在实际应用中的可靠性和灵活性。 格芯全球副总裁兼大中华区总经理白农先生表示:“
22FDX 是
业内
首个
22nm
FD-SOI
平台,作为业界领先的低功耗芯片
平台,它在全
2018-11-05 16:31:02
250
Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障
FD-SOI晶圆供应,满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求,确保
FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00
495
随着
FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注,Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展,从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:12
2777
研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案,提升格芯
22nm
FD-SOI(
22FDX)
工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性,支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01
323
当MOS器件的特征尺寸不断缩小至
22nm及以下时,提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在
SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出
FD-SOI晶体管。研究发现要使
FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12
值得注意的是,去年6月,格芯开始全球裁员,在建的成都12寸晶圆厂项目招聘暂停。去年8月,格芯宣布无限期停止7
nm
工艺的投资研发,转而专注现有14/12
nmFinFET
工艺及
22/12
nm
FD-SOI
工艺。
2019-04-24 16:23:21
3700
为求低功耗、高能效及高性价比之元件,市场逐渐开发出
FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构;而
FD-SOI构造主要以
SOI晶圆为核心,透过传统Si芯片制程方式,进而以水平式晶体管架构,取代线宽较大(16~12
nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:20
4245
事实胜于雄辩,与以往
FD-SOI论坛上只以PPT展示
FD-SOI优势相比,本次论坛多家公司以已经采用
FD-SOI
工艺的产品说明其优势,其震撼效果难以言传!
2019-08-06 16:22:45
3340
长期跟踪研究
半导体
工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲,并对
FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:00
3554
在
FD-SOI
工艺迁移中也发现一些问题,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:44
4273
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布
推出基于公司
22纳米
FD-SOI(
22FDX)
平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯
22FDXeMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16
658
AI芯片设计大厂莱迪思
半导体(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技术
平台,发布全球首颗以
FD-SOI组件制作的FPGA(现场可程序化逻辑门数组)产品。
2020-02-12 22:57:17
842
AI芯片设计大厂莱迪思
半导体(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技术
平台,发布全球首颗以
FD-SOI组件制作的FPGA(现场可程序化逻辑门数组)产品。
2020-02-27 14:54:38
739
Globalfoundries正在
22nm
FD-SOI上提供eMRAM技术,该公司正在与几个客户合作,计划在2020年实现多个流片。
2020-03-03 15:10:30
2185
据外媒报道称,美国
半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries(格芯)宣布已经完成了
22FDX(
22
nm
FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27
490
近日,格芯宣布基于
22nm
FD-SOI(
22FDX)
工艺
平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。
2020-03-11 10:54:37
713
“
FD-SOI使用的范围非常广,包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年,我们看到
FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现
FD-SOI使用量的腾飞拐点”,Soitec
2020-07-07 16:04:04
3335
重点 ● 双方在技术赋能方面的紧密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ (12
nmFinFET) 以及
22FDX (
22nm
FD-SOI)
平台释放最佳PPA潜能
2020-10-23 16:17:09
2050
12 月 3 日消息 据 Omdia 研究报告,28
nm将在未来 5 年成为
半导体应用的长节点制程
工艺。 在摩尔定律的指引下,集成电路的线宽不断缩小,基本上是按每两年缩小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:25
2413
领先的移动和汽车SoC
半导体IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布,用于台积公司
22nm
工艺技术的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亚州圣何塞2021年1月21
2021-01-21 10:18:23
2385
Lattice基于三星28
nm
FD-SOI
平台
推出了一系列FPGA产品,包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX,重新定义的Certus-NX,去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新
推出的CertusPro-NX,另外明年还会
推出基于
FD-SOI
平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:44
5719
是什么呢? 这款北斗
22nm芯片是由北京北斗星通导航技术股份有限公司所发布的最新一代导航系统芯片,其全称为全系统全频厘米级高精度GNSS芯片和芯星云Nebulas Ⅳ,GNSS即是全球导航卫星系统的英文缩写。 和芯星云Nebulas Ⅳ由
22nm制程
工艺所打造,北斗星
2022-06-27 11:56:36
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据芯片行业来看,目前
22nm和28
nm的芯片
工艺技术已经相当成熟了,很多厂商也使用
22nm、28
nm的芯片居多,主要原因就是价格便宜,那么这两个芯片之间有什么性能差异呢?
2022-06-29 09:47:46
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之前北斗星通所宣布的
22nm定位芯片在业界引起了巨大的轰动,北斗星通的创始人周儒欣表示:这颗芯片应该是全球卫星导航领域最先进的一颗芯片了。 有人就对这句话感到怀疑了,北斗星通
22nm芯片先进
2022-06-29 10:11:40
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我国在
半导体行业一直都处于落后状态,不过近几年已经慢慢地开始追赶上来了,在
半导体设备这方面,我国的上海微电子已经成功研发出了深紫外光光刻机,这种光刻机能够进行
22nm制程
工艺的加工,也就是说
2022-06-29 10:37:36
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的技术呢? 据了解,全球芯片巨头Intel在2011年发布了
22nm
工艺,而在2012年第三季度,台积电也开始了
22nmHP制程的芯片研发工作,因此可得出
22nm芯片最早在2011年被发布出来,是2011年的技术。 不过这并不代表着我国这些
22nm芯片就很落后,相反,在导航定位领
2022-06-29 11:06:17
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北斗星通的
22nm
工艺的全系统全频厘米级高精度GNSS芯片,在单颗芯片上实现了基带+射频+高精度算法一体化。
2022-07-04 15:53:48
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联发科 Wi-Fi 6
平台支持 2x2 双频天线,具有更高的吞吐量性能;基于
22nm制程,拥有更高的性能和更低的功耗;拥有更低的延迟与硬件增强功能,可提供更好的信号传输以支持超远程连接。
2022-07-04 15:53:29
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GF也为数字IC制造提供了28
nmPlanar CMOS FET的替代品,如12
nm和14
nmFinFET和
22nm
FD-SOI
工艺,该公司也将大量精力和研发资金集中在为其旧的Planar CMOS
工艺节点寻找新的、有趣的能力。该公司称这些额外的处理能力为“模块”。
2022-08-30 10:07:38
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2023年1月13日,知名物理IP提供商锐成芯微(Actt)宣布在
22nm
工艺上
推出双模蓝牙射频IP。 近年来,随着蓝牙芯片各类应用对功耗、灵敏度、计算性能、协议支持、成本的要求越来越高,
22nm
2023-01-13 14:18:10
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于2019年举行。因特殊原因暂停了三年,2023年主办方重启再次主办,第八届
FD-SOI论坛,邀请到国内外几乎所有
FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化,
FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化?
半导体
工艺在2001年的新
工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:04
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,作为一家全球领先的
半导体制造公司,发布了其最新的技术成果——
22FDX®
平台。这个
平台以其卓越的性能和适应性,正在成为人工智能(AI)和物联网(IoT)等新兴技术的关键推动力。 GlobalFoun
2023-11-15 14:53:38
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谷歌 Pixel 6 拆解,
FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46
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本文简单介绍了两种常用的
SOI晶圆——
FD-SOI与PD-
SOI。
2024-03-17 10:10:36
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据悉,
FD-SOI是一种先进的平面
半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40
nmEPM 技术,新
工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加三倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:23
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