半导体制程 分立器件 二极管的种类及其用法 二极管是一种具有1个PN接合的2个端子的器件。具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。 二极管的基本特性 利用PN接合的少
2012-03-27 11:02:28
6113 2022 年 4 月 21日，中国——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体宣布一项新的合作协议，四家公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体
2022-04-21 17:18:483472 
意法半导体宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:241298 
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体宣布，意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件（FD-SOI）技术荣获全球两大知名电子技术专业媒体电子工程专辑（EEtimes）和电子技术设计（EDN）的2013年度电子成就奖（ACE）能源技术奖。
2013-05-08 11:34:45848 意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器，有望突破更高性能，以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223744 格罗方德半导体（GLOBALFOUNDRIES）今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
2015-07-14 11:18:181462 格罗方德半导体自完成对IBM微电子业务的收购，是其获得了一系列差异化技术，可用于增强其公司在军用、物联网（IoT）、大数据和高性能计算等主要增长型市场中的产品组合。
2015-07-16 09:46:291007 近日Global Foundries(以下简称GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工艺都取得了突破，成功量产，这似乎为半导体代工厂GF近数年的颓势带来一股希望，不过在笔者看来，GF未必能就此扭转命运，不过是GF与那些半导体厂商豪门恩怨的延续。
2015-07-25 22:16:206622 半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:22949 耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:033179 
三星半导体（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节，包括将扩展其FD-SOI产能，以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321132 半导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28纳米以下之后的闸成本（gate cost）上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当制程特征尺寸缩 减时，晶片系统性与参数性良率会降低，带来较高的闸成本。
2016-06-17 00:31:001414 
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 鳍式晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22845 手机性能越来越强劲离不开半导体制程的进步，明年手机处理器将会进入10nm时代。高通骁龙835、联发科Helio X30、苹果A11处理器都将采用10nm制程，因此晶圆代工厂商台积电、英特尔、三星等也在纷纷抢进10nm、7nm先进半导体制程。不过，市场真的能跟上先进半导体制程的脚步吗？
2016-12-27 15:47:02922 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 成本。与FinFET技术相比，FD-SOI的优势更为明显。FD-SOI向后兼容传统的成熟的基板CMOS工艺。因此，工程师开发下一代产品时可沿用现存开发工具和设计方法，而且将现有300mm晶片制造厂改造成FD-SOI晶片生产线十分容易，因为大多数设备可以重新再用。
2016-04-15 19:59:26
半导体制冷—— 2 1 世纪的绿色“冷源”唐春晖（上海理工大学光学与电子信息工程学院，上海 200093）摘要：基于节能和环保已是当今一切科技发展进步的基本要求，对半导体制冷技术原理以及应用情况做了
2010-04-02 10:14:56
各位大神，小弟目前有一个项目，需要单片机控制半导体制冷块控制降温，受成本所限不能使用开关电源，想请问各位大神如何设计驱动电路，目的是讲交流220V电源变为12V直流输出，用以控制半导体制冷块工作，半导体型号TEC12710,需要什么样的变压器能够实现功能，请各位大神不吝赐教，小弟新手，请见谅
2018-09-03 15:38:06
大家有没有用过半导体制冷的，我现在选了一种制冷片，72W的，我要对一个2.5W的热负载空间（100x100x100mm）降温，用了两片，在环温60度时热负载所处的空间只降到30度，我采用的时泡沫胶
2012-08-15 20:07:10
半导体制冷的机理主要是电荷载体在不同的材料中处于不同的能量级，在外电场的作用下，电荷载体从高能级的材料向低能级的材料运动时，便会释放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半导体制冷片控制板开发技术需要用到的功能模块有哪些？有知道的朋友吗？展开讲讲？
2022-05-22 18:26:09
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么？半导体制冷片有哪些优缺点？
2021-02-24 09:24:02
半导体制造技术经典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。电路集成度越高，挑战半导体制造工艺的能力，在可接受的成本条件下改善工艺技术，以生产高级程度的大规模集成电路芯片。为达到此目标，半导体产业已变成高度标准化的，大多数制造商使用相似的制造工艺和设备。开发市场
2020-09-02 18:02:47
的积体电路所组成，我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术，所须制程多达二百至三百个步骤。半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
`半导体制程简介微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程
2011-08-28 11:55:49
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V/SOI 波导电路的化学机械抛光工艺开发编号：JFSJ-21-064作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
MOSFET演变为FD-SOI、Bulk FinFET和SOI FinFET。1.1 铝栅MOS管MOS诞生之初，栅极材料采用金属导体材料铝，因为铝具有非常低的电阻，它不会与氧化物发生反应，并且它的稳定性非常好
2018-09-06 20:50:07
从7nm到5nm，半导体制程芯片的制造工艺常常用XXnm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极
2021-07-29 07:19:33
半导体为代表的欧洲半导体科研机构和公司相继迎来技术突破，快速发展，为MRAM的商业化应用埋下了伏笔。 2014年，三星与意法半导体签订28nm FD-SOI技术多资源制造全方位合作协议，授权三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
我想用单片机开发板做个热疗仪，开发板是某宝上买的那种，有两个猜想：一个用半导体制冷片发热，一个用电热片。但我不会中间要不要接个DA转换器还是继电器什么的，查过一些资料，如果用半导体制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答，半导体制冷片的正负极能反接吗，如果可以，那原来的制冷面是不是可变成散热面而原来的散热面变成制冷面？？
2016-03-03 16:53:12
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用？
2021-06-26 07:14:03
基于半导体制冷片的高精度温度控制系统，总结的太棒了
2021-05-08 06:20:22
如何实现基于STM32的半导体制冷片(TEC)温度控制系统设计？
2021-12-23 06:07:59
想用半导体制冷片制作小冰箱，需要用到大功率电源，半导体制冷片，还有散热系统，单片机控制系统，能调温度，还能显示温度，具体的思路已经有了，想问问你们有没好点的意见，能尽量提高点效率还有温度调节的精度
2020-08-27 08:07:58
如何开始着手学习或者说有哪些相关的书籍
2017-08-01 16:30:30
{:1:}想了解半导体制造相关知识
2012-02-12 11:15:05
微机电系统(MEMS)感测器制造技术迈入新里程碑。意法半导体(ST)宣布成功结合面型微加工(Surface-micromachining)和体型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
可行吗？还需要电器隔离吗？半导体制冷片的额定电压是12v，mcu是stm32
2018-05-01 19:29:12
尊敬的先生/女士，您能否提供步骤和可能的图表，以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线？提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
到了二十世纪五十年代随着半导体材料的迅猛发展，热电制冷器才逐渐从实验室走向工程实践，在国防、工业、农业、医疗和日常生活等领域获得应用，大到可以做核潜艇的空调，小到可以用来冷却红外线探测器的探头，因此通常又把热电制冷器称为半导体制冷器。
2013-11-29 09:26:38
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
半导体制程之薄膜沉积
在半导体组件工业中，为了对所使用的材料赋与某种特性，在材料表面上常以各种方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
图解半导体制程概论1
█ 半导体的物理特性及电气特性
【
2010-03-01 17:00:496880 图解半导体制程概论（2）
逻辑IC
电子机器的动作所必需的内部信号处理大致可以分为模拟信号处理和数字信号处理
2010-03-01 17:03:522812 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程。
2011-08-28 11:56:38
279 台积电(TSMC)表示在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7nm节点;但在 7nm节点以下，半导体制程微缩的最大挑战来自于经济，并非技术。
2011-11-01 09:34:33960 IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半导体（ST）宣布意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件（FD-SOI）技术荣获2013年度电子成就奖（ACE）能源技术奖。根据客户的节能与性能权衡策略，FD-SOI芯片本身可节约20%至50%的能耗，使终端设备可更快散热，并实现更长的使用寿命。
2013-05-10 09:06:43913 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:425975 集微网消息，格罗方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半导体供应商意法半导体（ST）选择采用格罗方德 22 纳米 FD-SOI（22FDX）制程技术平台，以支持用于工业及消费
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工艺节点进展方面，三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示，三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向，FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001703 物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002368 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工业者着眼于应用广泛、无所不包的物联网(IoT)市场对低功耗、低成本组件需求而推出的各种中低阶制程技术选项，也是产业界的关注焦点。
2018-03-01 14:05:013813 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro（其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产），三星代工厂（28纳米工艺投产中，18纳米工艺计划投产），以及格芯代工厂（22纳米工艺投产中，12纳米计划投产）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上，三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圆代工大厂格芯在28日宣布，无限期停止7纳米制程的投资与研发，转而专注现有14/12纳米FinFET制程，及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 先进制程的研发令人有些惋惜，不过格芯倒是显得稳重、平和。日前举行的GTC大会，格芯还是强调先进制程不是市场唯一方向，当前旗下22纳米FD-SOI制程，以及14/12纳米FinFET制程依然大有市场。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应，满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求，确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00495 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122777 当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时，提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管）结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
但是随着物联网、人工智能、智能驾驶这样的新应用对半导体提出了全新的挑战，而FinFET工艺也遇到了瓶颈，尤其是FinFET的制造、研发成本越来越高，已经远远不是一般玩家能够承受的起的了。
2019-09-05 10:40:383612 事实胜于雄辩，与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比，本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势，其震撼效果难以言传！
2019-08-06 16:22:453340 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22纳米 FD－SOI （22FDX）平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-27 14:54:38739 “FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 半导体制冷片的好坏可以采用万用表测量其电阻，电流或者电压来进行判断，半导体制冷片电阻正常范围为0－0.05欧，半导体制冷片电流正常范围为0－0.09安，半导体制冷片电压正常范围为0－0.1伏。
2020-08-20 16:23:4634313 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445719 进行热交换，同时将制冷片热面的热量及时散出。我们根据传热方式的不同，将半导体制冷器分为空气对空气系列（AirtoAirseries）、平面对空气系列（Plateto
2023-08-25 17:58:421903 
于2019年举行。因特殊原因暂停了三年，2023年主办方重启再次主办，第八届FD-SOI论坛，邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化，FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化？ 半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:041069 
（德赢Vwin官网
网原创）在2023年第八届上海FD SOI论坛上，全球知名半导体产业研究机构IBS公司CEO Handel Jones先生，公布了对2030年前的全球半导体芯片市场的预测，同时，他也表示
2023-11-21 17:39:11805 
[半导体前端工艺：第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化
2023-11-29 15:14:34541 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369
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