在2012年，整体的电子元
器件行业形势不佳，尤其是
半导体芯片库存积压过多，而在今年陆续有听说行业有缓和迹象，不知
半导体的
发展将如何呢？
2013-02-27 14:12:58
领带，这可是当年
半导体弄潮儿的标配。 推荐阅读： 仙童(Fairchild)让你感慨IC业的历史 集成电路史上最著名的10个人 于是，第一个
半导体时代诞生了——集成
器件制造商时代
2024-03-13 16:52:37
半导体
器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体
器件型号由五部分（场效应
器件、
半导体特殊
器件、复合管、PIN型管、激光
器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
2011-10-23 22:05:11
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑 今年刚考上研究生 本科是学通信的 无奈被调剂到专硕 导师是研究
半导体
器件的 对这方面不是很了解 想问下它的就业前景怎么样 以后想往集成电路设计方面
发展容易吗？
2012-07-01 23:15:00
半导体
器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
地，2020 年业界普遍认为 5G 会实现大规模商用，热点技术与应用推动下，国内
半导体材料需求有望进一步增长。
宽
禁
带
半导体材料测试1 典型应用一. 功率双极性晶体管BJT 特性表征2 典型应用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
(个别的第三位)能存活下来。对于全球设备制造商最关键的问题是兼并市场的回报率太低。产业的
发展实际上不存在
带强制性理由,以及不会无故的把钱送至您手中。预计在未来
半导体设备业中可能有两个领域会产生强劲
2010-02-26 14:52:33
请问
半导体分立
器件怎么分类？
2011-10-26 10:29:14
近年来，全球
半导体功率
器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的
半导体功率
器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代
半导体
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上
半导体
器件的塑封生产线，主要是小型贴片
器件封装，例如sot系列。设备也不需要面面俱到，能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息，以及这些设备的国内外生产厂家，在此先行感谢！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然
半导体
器件的集成度越来越高，但分立
器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然
半导体
器件的集成度越来越高，但分立
器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
半导体材料从发现到
发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是
半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为
半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的
半导体
器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，
半导体材料的导电性对外界前提（如热、光、电、磁等因素）的变化非常
2013-01-28 14:58:38
了45%的转化效率，就输出功率来看，也从W到了KW级的转变。目前各国在研制项目的支持下，
半导体激光器的芯片结构、外延生长和
器件封装等激光器技术均有了长足
发展，单元
器件的性能也实现了重大突破：电光转换
2019-04-01 00:36:01
隔着一条
禁
带，当电子吸收了光的能量从价带跳跃到导
带中去时就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导
带跳回价带，又可以把电的能量变成光，这时材料
禁
带的宽度就决定了光电
器件的工作波长。 小功率
半导体
2016-01-14 15:34:44
之一摩尔曾在1965年作出预言：
半导体将会得到高速
发展，电子学会随之获得广泛的普及，渗透到宽广的应用领域中。从半个世纪之后再往回看，这一预言早已得到了完美印证。虽然光纤激光器优势市场潜力很大，不过
2019-05-13 05:50:35
半导体指常温下导电性能介于
导体与绝缘体之间的材料，它在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用
半导体制作的
器件。无论从科技或是经济
发展的角度来看
2021-09-15 07:24:56
要的是，如果在纯诤 的
半导体中加入适量的微量杂质后，可使其导电能力增加至数十万倍以上。利用 这一特性，已经做成各种不同用途的
半导体
器件（如二极管、三极管、场效应管 和晶闸管等）。温度、光照和适量掺入杂质
2017-07-28 10:17:42
要的是，如果在纯诤 的
半导体中加入适量的微量杂质后，可使其导电能力增加至数十万倍以上。利用 这一特性，已经做成各种不同用途的
半导体
器件（如二极管、三极管、场效应管 和晶闸管等）。温度、光照和适量掺入杂质
2018-02-11 09:49:21
国际
半导体芯片巨头垄断加剧
半导体芯片产业呈现三大趋势
2021-02-04 07:26:49
宽
禁
带
半导体的介绍
2016-04-18 16:06:50
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用
宽
禁
带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是
宽
禁
带材料，提供下一代功率
器件的基础。与硅相比
2018-10-30 08:57:22
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向
发展。
宽
禁
带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美
半导体作为顶尖的功率
器件
半导体供应商，除了提供适合全功率
2019-07-31 08:33:30
一、测试需求：功率
器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘双极晶体管[IGBT) ,这些功率
器件提供了快速开关速度,能够耐受没有规律的电压峰值，被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其最新第三代
半导体
2021-05-20 11:17:57
请问
泰
克示波器如何使用？
2023-11-01 08:02:32
宽
禁
带
半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素
半导体硅（Si）和第二代化合物
半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速
发展起来的第三代
半导体
2019-06-25 07:41:00
随着现代技术的
发展， 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代
半导体材料碳化硅（ SiC） , 具有
宽
禁
带、高热导率、高
2019-08-12 06:59:10
`我司专注中低压mos管（场效应管）aos美国万代
半导体以及各系列、型号，保证原装正品，大量现货供应批发，闪电发货。产品品牌有AOS美国万代、LT领
泰、新洁能、东沅及长电等等等，型号多，参数广，质量
2020-03-11 14:54:35
multisim打开运行后右侧没有
泰
克示波器
2021-09-18 17:49:56
市场的销售份额将进一步提升，在下半年有望迎来较为快速的增长。2023年行业将
迎全新
发展良机中国
半导体产业依托于丰富人口红利、庞大市场需求、稳定经济增长及产业扶持政策等众多有利条件快速
发展。据数据显示，从
2023-03-17 11:08:33
及新能源汽车要求在600V-1200V，而轨道交通要求最高，范围在3300V-6500V之间。图表4 功率
半导体
器件的应用及工作频率（来源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模块，常见类型有IGBT类本文来源：来源：
宽
禁
带
半导体技术创新联盟
2019-02-26 17:04:37
。 （5）本征
半导体：不含杂质且无晶格缺陷的
半导体称为本征
半导体。在极低温度下，
半导体的价带是满
带，遭到热激起后，价带中的局部电子会越过
禁带进入能量较高的空
带，空
带中存在电子后成为导
带，价带中短少一个
2020-03-26 15:40:25
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向
发展。
宽
禁
带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美
半导体作为顶尖的功率
器件
半导体供应商，除了提供适合全功率
2020-10-30 08:37:36
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用
宽
禁
带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是
宽
禁
带材料，提供下一代功率
器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
计算中的瓶颈。此外当PBG结构为圆环形时，一般的阶梯近似不足以满足计算精度。针对以上两个问题，本文采用本课题组带有
共形网格建模的MPI并行FDTD程序对圆环形PBG结构进行了分析。讨论了单元数目，单元间距，圆孔内径和导带宽度对S参数的影响，最后设计了一种
宽
禁
带圆环形PBG结构。
2019-06-27 07:01:22
”，无疑令三星雪上加霜。 因受市况每况愈下的影响和制约，韩国三星电子的
发展面临着巨大的
挑战。据最新报导显示，三星电子计划明年将
半导体事业的投资ST22I支出砍半，从134亿美元降至70亿美元，提前
2012-09-21 16:53:46
三极管具有什么特性？什么是
宽
禁
带
半导体？
2021-06-08 07:09:36
市场的销售份额将进一步提升，在下半年有望迎来较为快速的增长。2023年行业将
迎全新
发展良机中国
半导体产业依托于丰富人口红利、庞大市场需求、稳定经济增长及产业扶持政策等众多有利条件快速
发展。据数据显示，从
2023-03-17 11:13:35
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然
半导体
器件的集成度越来越高，但分立
器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
1，
半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型
器件4，场效应
器件
2020-11-27 10:09:56
基于霍耳效应的
半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中，
半导体磁敏元件是一种重要的
器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用
宽
禁
带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是
宽
禁
带技术呢？
2019-07-31 07:42:54
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率
半导体
器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的
宽
禁
带
半导体材料。
禁
带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的
禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是堆叠式
共源
共栅？低阻抗功率
半导体开关有哪些关键特性？低阻抗功率
半导体开关有哪些应用优势？
2021-06-26 06:14:32
汽车毫米波雷达的工作原理是什么？汽车毫米波雷达的测试
挑战有哪些？
泰
克汽车毫米波雷达测试解决方案
2021-06-17 09:02:39
，MOS
器件面临一系列的
挑战。例如短沟道效应(ShortChannelEffect-SCE)，热载流子注入效应(HotCarrierInject-HCI)和栅氧化层漏电等问题。为了克服这些
挑战，
半导体
2018-11-06 13:41:30
功率
半导体
器件以功率金属氧化物
半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些
器件的接触电极尺 寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。
半导体分立
器件I-V特性测试方案，
泰
克公司与合作 伙伴使用
泰
克吉时利
2019-10-08 15:41:37
。今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在
宽
禁
带材料测试的应用方案。一·
宽
禁
带材料介绍
宽
禁
带材料是指
禁带宽度大于2.3eV的
半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的
发展，功率
器件
2022-01-23 14:15:50
根据不同的诱因，常见的对
半导体
器件的静态损坏可分为人体，机器设备和
半导体
器件这三种。 当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
产线拥有生产设备近1000台，工厂设有先进实验室，2021年公司的年产能100亿颗。合科
泰在电路设计、
半导体
器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了丰富的核心技术，拥有多项国家发明专利和实用新型专利等
2023-03-10 17:34:31
下一代电源
半导体的方案阵容，包括针对汽车功能电子化的
宽
禁
带WBG（碳化硅SiC和氮化镓GaN）、全系列电子保险丝eFuse以减少线束、和免电池的智能无源传感器以在汽车感测/车身应用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
在昨天的博客《安森美
半导体在PCIM展示
宽
禁
带技术的最新创新》中，我们谈到了围绕安森美
半导体将于本周在欧洲PCIM展示的WBG的所有令人兴奋的
发展。除了WBG，该公司还将在9号厅342号展台展示其
2018-10-30 09:06:50
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的
半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅
器件和砷化镓
器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃
发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
本帖最后由 像懒惰的猫 于 2017-6-25 22:02 编辑 嵌入式系统的
发展对
半导体
器件的影响，什么方面的都行。求助大神！
2017-06-25 21:49:06
半导体元
器件是用
半导体材料制成的电子元
器件，随着电子技术的飞速
发展，各种新型
半导体元
器件层出不穷。
半导体元
器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解
半导体元
器件的基本结构和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率
半导体
器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
随着
半导体工业的飞速
发展，新型电力电子
器件不断涌现，用户对
器件建模的需求越来越迫切，对专用建模工具的开发提出了新的
挑战。设计射频
器件建模工具，我们具体该怎么做呢？
2019-08-20 06:20:17
的自然规律一样，从图4、图5中可见一斑。3．1．3 2005年我国分立
器件封装业
发展的基本态势(1)分立
器件是我国
半导体市场两大分支之一(另一支是集成电路)。
半导体分立
器件由于具有通用性强、应用范围广泛
2018-08-29 09:55:22
来源:
半导体
器件应用网 www.ic.bit-bit.com原创摘要：2011年转眼即逝，纵观2011年，企业在
半导体行业的市场有着怎么样的
发展呢？为适应市场需求，
半导体
器件市场出现了哪些新的技术
2011-12-08 17:24:00
的机遇和
挑战等方面，为从事
宽
禁
带
半导体材料、电力电子
器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会。诚挚欢迎大家的参与。1、活动主题
宽
禁
带
半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用2
2017-07-11 14:06:55
文/编译杨硕王家农在网络无处不在、IP无处不在和无缝移动连接的总趋势下，国际
半导体技术路线图(ITRS)项目组在他们的15年
半导体技术
发展预测中认为，随着技术和体系结构推进“摩尔定律”和生产力极限
2019-07-24 08:21:23
回顾过去30年
半导体产业的
发展，在上世纪80年代的时候是以电脑作为主要的推动力，上世纪90年代是以通信产品为主，最近几年，消费电子产品的
发展在数量上给
半导体产品的增长提供了动力。可见，市场应用的拓展不断为
半导体产业带来新的
发展
契机。
2019-08-19 07:20:01
之一和全球第二大功率分立
器件和模块
半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的
宽
禁
带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发，用于汽车功能电子化和HEV/EV应用。
2019-07-23 07:30:07
电力
半导体
器件的分类
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是
宽
禁
带
半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种
半导体材料当中，碳化硅
器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
`海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及
宽
禁
带（WBG）
半导体
器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等
2019-10-24 14:21:23
泛的
宽
禁
带
半导体材料之一，凭借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身优异的
半导体性能，在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的
半导体材料。由于碳化硅功率
器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
在电力电子行业的
发展过程中，
半导体技术起到了决定性作用。其中，功率
半导体
器件一直被认为是电力电子设备的关键组成部分。随着电力电子技术在工业、医疗、交通、消费等行业的广泛应用，功率
半导体
器件直接影响
2021-03-25 14:09:37
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的
宽
禁
带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等
半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si
半导体材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
(SiC) 注2和GaN注3这类
宽
禁
带(WBG)
半导体注4的功率元
器件。WBG材料的最大特点如表1所示，其绝缘击穿电场强度较高。只要利用这个性质，就可提高与Si元件相同结构时的耐压性能。只要实现有耐压余量
2019-07-08 06:09:02
材料的代表，
宽
禁
带材料SiC和GaN相对于前两代
半导体材料具有可见光波段的发光特性、高击穿场强、更好的大功率特性、更加抗高温和高辐射等优势，可以应用于光电
器件、微波通信
器件和电力电子
器件。经过多年的
发展
2017-02-22 14:59:09
是
宽
禁
带
半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种
半导体材料当中，碳化硅
器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
`
泰科天润招聘贴~研发工程师岗位职责：1.
半导体
器件设计；2.
半导体工艺开发；3.研究SiC功率
器件方面的最新进展，包括研究文献、新设计、新技术、新产品等；4.协助小组项目开发。任职要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
半导体制作的
器件。
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至
导体之间的材料。无论从科技或是经济
发展的角度来看，
半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中
2016-11-27 22:34:51
泰
克示波器有什么特异功能？
2021-06-17 11:22:25
请问一下
半导体
发展至今经历了什么？
2021-06-17 08:10:52
请问怎么优化
宽
禁
带材料
器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
半导体材料是一类具有
半导体性能（导电能力介于
导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作
半导体
器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素
半导体和化合物
半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
解释说：“在产品研发方面，由我们做主导。客户提出要求，我们提供方案。至于技术使用的问题，最关键是靠双方信誉，如果为了双方共同的
发展，就不会计较小利。” 飞锐
泰
克并不拘泥于某一两个行业，而是为各行业
2019-06-27 08:24:59
半导体
器件,
半导体
器件的种类
半导体
器件从肯有2个管脚的二极管到最新的系统LSI、超大功率
器件均有广泛的研究，且被广泛地运用于手机、数码家电产品
2010-03-01 17:25:02
5985
市场成长率将保持了7.9%左右，
半导体分立
器件应用范围的不断拓展，将为行业
发展带来新
契机。在2015年度第86届中国电子展上，
半导体分立
器件将开设专门展区，充分展示这一行业的新科技与新产品。 第86届中国电子展 与世界沟通的
2015-09-01 18:47:06
850
近日
Cree科锐宣布，其与意法
半导体签署了一份多年供货协议，为意法
半导体生产和供应其
Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆。
2019-01-11 16:21:50
4432
科锐（Nasdaq:
CREE）宣布与意法
半导体（NYSE: STM）签署多年协议，将为意法
半导体STMicroelectronics生产和供应
Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
2019-01-14 15:24:58
3929
科锐（Nasdaq:
CREE）宣布与意法
半导体（NYSE: STM）签署多年协议，将为意法
半导体STMicroelectronics生产和供应
Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
2019-01-15 10:26:28
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Cree是碳化硅（SiC）领域的龙头。
Cree
Wolfspeed产品组合包括了碳化硅（SiC）材料、功率
器件、射频
器件，广泛应用于电动汽车、快速充电、逆变器、电源、电信、军事、航空航天等领域。
2021-03-03 14:22:04
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行业正在构建一个全面的 Chiplet 生态系统，以充分利用这些优势。随着异构集成（HI）的
发展迎来了巨大
挑战，行业各方
携手合作发挥 Chiplet 的潜力变得更加重要。前段时间，多位行业专家齐聚在一场由 SEMI 举办的活动，深入探讨了如何助力 Chiplet 生态克服
发展的
挑战。 日月光集
2023-04-12 11:20:31
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