CAN总线设计规范对于CAN节点的输入电压阈值有着严格的规定，如果节点的输入电压阈值不符合规范，则在现场组网后容易出现不正常的工作状态，各节点间出现通信故障。具体要求如表 1所示，为测试标准“ISO 11898-2输出电压标准”。
2015-07-09 10:54:09
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74HC14是施密特触发器。正向阈值指输入端电压由低变高达到输出翻转时的值。反向阈值指输入电压由高到低变化输出翻转时的输入电压值。正向输入阈值电压是输入大于这个电压时，输出为低电平。反向输入阈值电压是输入低于这个电压时，输出为高电平。
2018-10-24 09:30:3616608 
由阈值电压的公式可看出，阈值电压与制造工艺和所加体偏电压VSB有关，所以在设计中把它当成一个常数。 当器件尺寸不断缩小时，此模型不再精确，阈值电压与L、W和VDS有关。
2023-02-13 10:35:291269 
，表示了三个端子：栅(G)、源(S)和漏(D)。 因为这种器件是对称的，因而可以源漏互换。 大家都知道，在数字电路中，MOS管作为开关的作用时，栅极电压VG是高电平，晶体管把源极和漏极连接在一起; 如果VG是低电平，则源漏断开。
2023-04-25 14:20:393018 
碳化硅SiC MOSFET的阈值电压稳定性相对Si材料来讲，是比较差的，对应用端的影响也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
大家好，今天聊一下IGBT驱动中的**参考电位**问题。我们都知道IGBT的驱动参考电平都是基于 **器件自身的发射极** ，当栅极相对于发射极电位 **超过阈值电压时，器件就会开通** ， **小于阈值电压后，器件就会关断** 。
2023-11-09 15:19:15666 
MOS之所以能够以电压控制，并起到开关的作用，正是由于上述反型层的机制
2023-11-29 14:19:08785 
分析完阈值电压的机制后，下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。
2023-11-29 14:42:33999 
假设mismatch引起的M4/M5之间的阈值电压差值为3mV，则等效到运放输入端的VOS量级为uV，保证M4/M5之间的版图匹配，能有效的减小该值。
2024-02-18 17:32:43274 
施密特触发器（Schmitt Trigger）是一种特殊的门电路，也被称为迟滞比较器或滞回比较器。它具有两个阈值电压，分别对应于输入信号的正向递增和负向递减变化方向。这两个阈值电压称为正向阈值电压和负向阈值电压，它们之间的差值被称为回差电压。
2024-02-23 17:14:21786 
本帖最后由 xiaoxiao981212 于 2012-9-12 18:06 编辑
EDA技术主要是指面向专用集成电路设计的计算机技术，与传统的专用集成电路设计技术相比，其特点有
2012-09-12 17:58:00
，就可在硬件不变的情况下修改程序以更新和扩展功能，使其灵活性显著提高。基于此考虑，用EDA方法设计了一个简易数字电压表控制电路，旨在研究提高数字电子系统灵活性的设计方法。1．2 数字电压表的工作原理
2012-10-26 15:43:24
EDA设计彩灯控制器相关资料分享
2022-12-12 21:57:41
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极
2018-11-28 14:28:20
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
应用； 高精度电压检测功能：(针对单节电芯)- 过充电保护阈值电压：3.3V～4.5V(50mV一档)；阈值电压精度：±25mV； - 过充电保护解除电压1 ：3.2V～4.5V；阈值电压精度
2016-03-09 23:09:10
SMLZ13EDA - High brightness - Rohm
2022-11-04 17:22:44
STM32是3.3V供电的芯片，在用AD的时候，阈值电压能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
的EDA人艰难探索。多少年了，中国还没有EDA 产业。20年了,风雨路,少年步入中年。我们努力着，我们奋斗着，我们承受着。但请相信----再一个四年，我们将站立在领奖台上。我们大家的EDA &
2008-08-26 16:38:24
`大家上午好！这是张飞电子90天硬件工程师讲解之mos管视频教程， 每日一课，20天的打卡学习计划，机会难得，希望坛友们积极参与，学习过程中遇到的问题，可以留言交流，老师都会一一解答！为了提升坛友们
2021-06-08 21:43:47
，进而使SCR导通。
实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57:00
阈值电压做比较，输出一个或高或低的电压，进而控制MOS管的通断。而实现此阈值的智能可配置也就实现了过流保护装置的可配置。问题转变成了可调直流电压的输出。此电压不需大的输出电流对驱动能力没有要求，只做为比较器
2018-09-26 09:44:57
:0] 中的值如何映射到电压。我假设设置 ADC_HTR 中的所有 12 位将等于可能的最高阈值电压，但我们如何知道该电压是多少？设置 ADC_LTR 中的所有位是否意味着低阈值尽可能低？还是清除所有 12 位将其设置为最小值？
2023-01-13 08:05:01
源之间导通的工作原理，完成开关的闭合。但是由于电路中使用的是恒流源，当MOS管的栅源电压小于阈值电压时，漏源之间仍然有电流流过，并不能实现开关的关断。 有什么其他的设计方法能实现可控开关，来控制对电容
2017-05-19 11:44:05
电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而使得管子变慢，这就与上面的结论矛盾
2021-06-24 08:01:38
比较器是电路设计中常用的一个模块，一般设计人员将其用在电源输入过欠压保护或者设置阈值电压。比如，当监控到电池的电压低于某一个值时，比较器的输出端会产生一个复位信号给后面的控制系统，提示系统马上要
2023-03-22 15:17:08
如果想改变反相滞回比较器的阈值电压应改变哪些参数呢？
2023-03-24 15:31:42
看到的POR比较常见的结构，第一级通常是电压检测，比如如下图结构，当左边由二极管连接的PMOS对电源电压进行分压，当电源电压上电到一定值时，V1达到右边反相器的翻转阈值电压。现在的问题是，当在
2021-06-25 07:26:16
和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特触发器有不同的阀值电压。门电路有一个阈值电压，当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时电路的状态将发生变化。施密特触发器是一种特殊的门电路
2011-11-14 14:30:44
： ① 施密特触发器属于电平触发器件，当输入信号达到某一定电压值时，输出电压会发生突变。 ② 电路有两个阈值电压。 输入信号增加和减少时，电路的阈值电压分别是正向阈值电压
2009-09-24 15:38:23
搜到的施密特触发器IC迟滞电压都是固定的，现在需要设定具体的阈值电压值，是否有这样的IC呢?还是只能用运放搭建？
2024-03-13 02:40:35
LM311供电为+-12V，VDD为5V，高低阈值电压怎么计算呢？
2018-05-30 22:27:26
运放同相输入端为1V，R4电阻电压也跟随为1V，电流恒定在1A输出，那么存在如下疑问：1.运放为使R4电压均衡在1V那么运放输出端提供的电压是否只达到MOS管导通阈值电压(假设4V)?2.如果MOS
2020-02-14 14:45:47
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
组件文档中有关于I2C总线上可靠逻辑转换的注释。I2CYV3O50.PDF状态：“注意，引脚组件的默认阈值电压是CMOS。当I2C线被拉高到3.3 V并且PSoC在5 V上运行时，CMOS阈值电平
2019-10-10 06:33:44
北京革新创展科技有限公司研制的B-ICE-EDA/SOPC FPGA平台集多功能于一体，充分满足EDA、SOPC、ARM、DSP、单片机相互结合的实验教学，是电子系统设计创新实验室、嵌入式系统实验室
2022-03-09 11:18:52
施密特触发器是一种特殊的门电路，与普通的门电路不同，施密特触发器有两个阈值电压，分别称为正向阈值电压和负向阈值电压。
2006-07-03 14:22:183706 
电压比较器、方波三角波发生器与压控振荡器一、目的：1、 对电压比较器的理解，学习阈值电压的测量方法。2、 握集成运放在波形发生器值的应用，学习
2009-03-09 11:06:086986 
施密特触发器原理及应用
我们知道，门电路有一个阈值电压，当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时电路的状
2010-05-27 09:29:323838 
所谓探索性数据分析(EDA)，是指对已有的数据(特别是调查或观察得来的原始数据)在尽量少的先验假定下进行探索，通过作图、制表、方程拟合、计算特征量等手段探索数据的结构和规律的一种数据分析方法。
2011-01-24 10:02:071330 
把 555 电路的 6 、 2 端作为两个控制输入端， 7 端不用，就成为一个 R － S 触发器。要注意的是两个输入端的电平要求和阈值电压都不同，见图 5 （ a ）。有时可能只有一个控制端，这时
2012-05-15 16:11:394684 
在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
基于抢占阈值调度的动态电压分配算法_郝嘉磊
2017-01-07 18:39:17
0 面向BTI特征分析的在运行中阈值电压测量
2017-01-22 13:38:087 电压比较器的输出电压与输入电压的函数关系 U0＝f（uI），一般用曲线来描述，称为电压传输特性。电压传输特性的三个要素：输出电平、阈值电压、跃变方向
2017-11-07 10:47:3153915 
工作时的固有特性。当输入信号越过这两个阈值时，电路可以抑制输入信号中包含的噪声，并产生频率与输入信号相同的矩形输出信号。 不管你用晶体管、运放还是比较器实现施密特触发器，你都需要确定要求的回差和两个阈值电压是多少。如果你知
2017-11-14 11:10:257 阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
2017-11-27 17:18:4367572 
本文主要介绍了小波去噪阈值如何选取_小波阈值分析。小波去噪过程就是利用小波分解将图像信号分解到各尺度中，然后把每一尺度中属于噪声的小波系数去掉，保留并增强属于信号的小波系数，最后利用小波逆变换将处理
2018-01-10 09:08:4757528 
本文主要介绍了小波阈值去噪的基本原理以及小波去噪阈值如何选取？阈值的确定在去噪过程中至关重要，目前使用的阈值可以分为全局阈值和局部适应阈值两类。其中，全局阈值是对各层所有的小波系数或同一层内不同方向
2018-01-10 09:46:5067422 
本文主要介绍了一种基于新阈值函数的小波阈值去噪算法。在小波阈值去噪法中的两个重要的因素—阈值选取方式和阈值函数，直接决定图像去噪的效果，所以要针对噪声和图像选取合适的阈值函数和最佳阈值，才能最大程度去除图像噪声。本文提出了新的阈值函数，这一函数既满足函数的连续性，又解决了阈值函数恒定偏差问题。
2018-01-10 10:12:569059 
介绍了小波阈值去噪的三种应用：小波阈值去噪技术在ECG信号处理中的应用、小波阈值去噪技术在电能质量检测中的应用和小波阈值技术在生物医学信号处理中的应用。利用小波阈值去噪是新发展起来的去除噪声的方法，利用小波阈值去噪具有良好的效果，可以有效提高信噪比。
2018-01-10 14:25:085533 
本文主要介绍了小波软阈值的推导_软阈值的计算。由于噪声信号强度的随机性，以及小波分解过程中信号与噪声的传播特性不同，每一层小波分解系数所采用的阈值应该是随小波系数的变化而变化的。能实现这种变动阈值的方法就是软阈值去噪方法。小波软阈值的具体计算原理和计算步骤如下。
2018-01-10 14:46:194809 
，有两个不同的阈值电压（正向阈值电压和负向阈值电压）；状态翻转时有正反馈过程，从而输出边沿陡峭的矩形脉冲。下面我们来具体看看吧。
2018-01-16 16:02:3747805 
本文开始介绍了单限比较器的电路和单限比较器的理论分析及计算，其次介绍了单限电压比较器的工作原理，最后介绍了单限比较器阈值的电压计算。
2018-02-26 15:58:0264104 
由于宽禁带半导体SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半导体氧化层界面特性，会引起阈值电压变化以及漂移现象。为了理解这些差异，解释这些差异与材料本身特性的关系，评估其对应用、系统的影响，需要更多的研究及探索。
2018-11-08 16:48:268362 图3-4是闪存芯片里面存储单元的阈值电压分布函数，横轴是阈值电压，纵轴是存储单元数量。其实在0或1的时候，并非所有的存储单元都是同样的阈值电压，而是以这个电压为中心的一个分布。读的时候采样电压值，落在1范围里面，就认为是1；落在0范围里面，就认为是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复杂，但是也可以有一些简化的分析，这里主要还是分析当晶体管处在窄沟道和短沟道情况下，MOSFET 耗尽区的电荷的变化，从而分析其对晶体管的阈值电压的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
为什么厂家在产品投入使用前，都必须要进行CAN节点DUT的输入电压阈值测试呢？
2019-07-02 15:10:103215 
本文报道了一个深入研究的负阈值电压不稳定性的gan-on-si金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管部分凹陷algan。基于一组在不同温度下进行的应力/恢复实验，我们证明：1）在高温和负栅偏压（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一个简单的示波器装置，研究了由正向栅偏压引起的gan基金属绝缘体半导体hemts阈值电压漂移（vth）的快速动力学。我们发现，vth的对数恢复时间依赖性，以前发现的恢复时间从10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负漂移。该器件在强pinch-off和低漏源电压条件下偏置一定时间（反向栅极偏置应力），然后测量传输特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 施密特触发器也有两个稳定状态， 但与一般触发器不同的是， 施密特触发器采用电位触发方式， 其状态由输入信号电位维持； 对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特触发器有不同的阀值电压。门电路有一个阈值电压， 当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时电路的状态将发生变化。
2019-12-17 08:00:006 为什么厂家在产品投入使用前，都必须要进行CAN节点DUT的输入电压阈值测试呢？因为CAN总线设计规范对于CAN节点的输入电压阈值有着严格的规定，若不符合规范，则组网后容易出现各节点间出现通信故障。
2020-12-26 02:33:311380 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453阈值电压与数字电压 VL
2021-03-18 20:33:082 而现代集成电路一般使用MOS管，其本质是一个压控开关。压指的就是栅极的电压，而它控的就是源极和漏极之前的电流。既然叫做开关，那就需要有一个区别开态与关态的状态。
2022-12-15 11:33:371143 Vt roll-off核心是（同一个工艺节点下面）阈值电压与栅长之间的关系。当沟道长度比较长的时候，Vt值是比较稳定的。随着沟道长度的减小，阈值电压会下降（对于PMOS而言是绝对值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 DIBL不仅只发生在亚阈值区，引起阈值电压的下降。在饱和区晶体管导通后，由于势垒的降低，同样会引入更多的载流子注入，从而降低晶体管的导通电阻。
2023-01-07 11:46:322684 TPS382x 系列监控器主要为 DSP 以及基于处理器的系统提供电路初始化和计时监控等功能。上电期间，RESET 会在电源电压 VDD 超出 1.1V 时置为有效。因此VDD 保持在阈值电压
2023-01-12 09:18:351147 继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
此外，衬底偏压也能影响阈值电压。当在衬底和源极之间施加反向偏压时，耗尽区被加宽，实现反转所需的阈值电压也必须增加，以适应更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的阈值电压（threshold voltage）。具体定义（以下图NMOS为例）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层（图中的三角形）所需要的电压为阈值电压。
2023-03-10 17:43:114541 摩尔定律提出的时候，还处于Happy Scaling Era（EDA探索丨第11期：MOSFET收缩，Happy Scaling Era）。所以除了器件密度的翻倍，大家通常所认识的摩尔定律还隐含着其它的一些含义。
2023-03-29 14:25:28229 由于SiC MOSFET与Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移，导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试
2023-05-09 14:59:06853 
如图，电流分扩散电流和漂移电流，工作时的mosfet电流很大，主要是漂移电流，因此忽略掉扩散电流的成分。
2023-05-30 16:02:396185 
8.2.9阈值电压控制8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.8UMOS的先进设计∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚阈值电压对电池延迟的影响。(注：以下电阻公式是关于NMOS的。您也可以为PMOS导出类似的公式(只需将下标“n”替换为“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影响MOSFET阈值电压的因素 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的半导体器件，具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点。MOSFET的阈值电压是决定其工作状态的重要参数，影响着
2023-09-17 10:39:446679 为什么亚阈值区还有电流？为什么亚阈值区电流饱和条件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亚阈值区是指晶体管工作状态下，栅极电压小于阈值电压的区域。在这个区域内，晶体管会出现漏电流，造成能量浪费和损耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 选取9个重要的参数，包括阈值电压、工作电压、工作电流、开启关闭速度等。
2023-10-08 16:56:08494 
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