旋转圆盘与旋转轮类似，不同之处在于旋转圆盘不是摆动整个圆盘，而是用扫描离子束的方式在整个晶圆表面获得均匀的离子注入。下图说明了旋转圆盘系统。
2023-06-06 10:43:44
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阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内，而P型晶体管形成于N型阱区。
2023-06-09 11:31:083889 
统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。
2023-12-22 09:41:21704 
物联网的概念物联网技术前景的发展趋势
2021-02-24 07:16:02
离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。这些撞离原子再与其它原子碰撞，后者再继续下去，大约在10-11s内，材料中将建立一个有数百个间隙原子和空位的区域。
2019-10-30 09:10:53
离子注入工艺资料~还不错哦~
2012-08-01 10:58:59
CMOS射频电路的发展趋势如何？
2021-05-31 06:05:08
Multicom发展趋势如何？开发Multicom无线产品时需要面临哪些挑战？如何突破测试Multicom产品的难题呢？有没有一种解决方案可以既缩短测试时间又节约测试成本呢？
2021-04-15 06:26:53
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
PCB发展趋势1） 推动PCB技术发展的主要动力，在于集成电路（IC）等元件的集成度发展迅速，促使PCB向高密度化发展
2012-11-24 14:52:10
本文将对用于触摸屏和LCD部件的最新LOCA技术进行全面的概述，包括材料、应用过程和性能。还将介绍TFT-LCD偏光片技术的最近发展趋势，以及汉高公司的具有超低粘度和优异性能、应用于下一代偏光板的新LOCA产品。
2021-06-01 06:24:08
TPMS技术与发展趋势TPMS发射器由五个部分组成（1）具有压力、温度、加速度、电压检测和后信号处理ASIC 芯片组合的智能传感器SoC；（2）4-8位单片机（MCU）；（3）RF射频发射芯片；（4
2009-10-06 15:12:35
，并对其发展趋势作出了研讨。 关键词：WIFI技术 技术特点 应用领域 发展趋势 一、WIFI技术原理 WIFI也称无线宽带、无线网，英文名称为Wireless-Fidelity，简称WI-FI
2020-08-27 16:38:15
大家来讨论一下stm8的发展趋势，听说最近挺火哦！
2013-11-04 15:27:14
，影响了从办公室到远程工作的业务发展。随着人们在未来一年不断适应，将会看到人工智能和机器学习技术在2021年的五个发展趋势：
2021-01-27 06:10:12
传感器作为信息产业的重要神经触角，它在实际生活中的应用越来越广泛，传感器作为物联网采集信息的终端工具，就如同是物联网的“眼睛”“鼻子”和“耳朵”，是感知层的关键技术，那么传感器将会有哪些发展趋势
2020-11-26 06:23:42
伺服系统国内外研究现状如何？伺服系统的发展趋势是怎样的？伺服系统相关技术是什么？
2021-09-30 07:29:16
摘 要：先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和材料的要求和挑战。在半导体封装外部形式变迁的基础上，着重阐述了半导体后端工序的关键一封装内部连接方式的发展趋势。分析了半导体前端制造工艺的发展
2018-11-23 17:03:35
如题，寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50:33
【作者】：姚颖颖;王晓艳;宫铭豪;梁晋春;张乃光;【来源】：《广播电视信息》2010年03期【摘要】：本文分析了三网融合背景下广电行业的业务发展趋势,并提出一种新业务技术——业务捆绑技术,最后总结
2010-04-23 11:35:44
的各种缺点分析了发展趋势，并提供了各种解决方案，及后期如何进行发展。同时对于开关电源市场的发展前景进行了总结，总的来说开关电源还是有很大的发展空间和持续的市场生命力。更多技术请关注沃尔开关电源www.jnwoer.com
2016-03-20 14:15:45
智能视频分析技术的应用现状如何？“”未来智能视频分析技术的发展趋势怎样？
2021-06-03 06:44:16
的发展，将出现若干新的半导体技术，在芯片之上或者在芯片之外不断扩展新的功能。图1就显示了手机芯片技术的发展趋势。
2019-07-24 08:21:23
`新能源汽车电机驱动关键技术及发展趋势`
2016-05-12 10:34:03
无线技术的下一波发展趋势是什么？
2021-05-26 06:42:02
智能制造中木工机械发展趋势怎样？我国是家具生产、消费和出口的大国，木工机械作为家具行业的基本产业，在发展了数十年后，取得喜人成绩。从原始的手工业到如今先进的数控技术，那智能制造中木工机械发展趋势怎样
2021-10-28 16:17:30
未来PLC的发展趋势将会如何？基于PLC的运动控制器有哪些应用？
2021-07-05 07:44:22
汽车电子技术的发展趋势是什么？
2021-05-17 06:33:49
灵动微对于未来MCU发展趋势看法
2020-12-23 06:50:51
汽车电子技术应用现状如何？汽车电子技术发展趋势是什么？
2021-05-17 06:04:28
电池供电的未来发展趋势如何
2021-03-11 07:07:27
电源模块的未来发展趋势如何
2021-03-11 06:32:42
也许是因为最新电源管理技术的相关难题，或者是电源管理行业保守的本质，电源领域的发展趋势往往具有很长的生命周期。但是我们不能仅仅因为行业中存在一个固有的趋势就止步不前。当不再有创新的机会时，所谓
2018-10-08 15:35:33
自动化测试技术发展趋势展望分析，不看肯定后悔
2021-05-14 06:50:31
蓝牙技术未来的发展趋势，在APTX后还会有怎么样的技术革新
2019-03-29 15:56:11
蜂窝手机音频架构的未来发展趋势是什么
2021-06-08 06:31:58
CMOS传感器的最新技术有哪些？传感器发展的趋势有哪几种？
2021-06-03 06:15:18
请问各位大侠，离子注入时有遇到做V-CURVE时，出现倒着的抛物线吗？急，在线等，谢谢！
2018-08-05 19:29:33
谈谈高速CMOS图像传感器及发展趋势
2021-06-03 06:04:16
车内信息通信测试技术的发展趋势是什么？
2021-05-17 06:10:59
【作者】：秦希峰;季燕菊;王凤翔;付刚;赵优美;梁毅;【来源】：《济南大学学报(自然科学版)》2010年02期【摘要】：鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
高速球是什么？有什么技术发展趋势？
2021-05-31 06:01:36
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量，得到氮离
2009-02-28 09:38:29
25 M5525100－1/UM型大角度离子注入机:M5525100－1/UM 型大角度离子注入机可满足100 纳米，8 英寸集成电路制造工艺的要求，适合源漏区的大角度晕、袋、栅阈值调整、阱等注入，可获得良好
2009-12-19 12:57:0212
锂离子电池的发展趋势
摘要：综述了锂离子电池的发展趋势，简述了锂离子电池的充放电机理理论研究状况，总结归纳了作
2009-07-11 13:56:182044 离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。
2011-05-22 12:13:574275 
本文详细介绍离子注入技术的特点及性能，以及离子注入技术的英文全称。
2011-05-22 12:13:294861 
详细介绍离子注入技术的工作原理和离子注入系统原理图。
2011-05-22 12:24:1618742 
离子注入的特点,与通常的冶金方法不同,离子注入是用高能量的离子注入来获得表面合金层的,因而有其特点。
2011-05-22 12:27:084337 离子注入设备和方法:最简单的离子注入机（图2）应包括一个产生离子的离子源和放置待处理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即将特定的杂质原子（Dopant）以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并最终
2011-05-22 12:34:0083 离子注八材料表面陡性技术， 是材料科学发展的一个重要方面。文中概述7等离子体源离子注八技术的特点 基皋原理 应用效果。取覆等离子体源离子注八技术的发展趋势。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质． 注入一般在50-500kev能量下进行 离子注入的优点 注入杂质不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束是一种带电原子或带
2011-05-22 12:40:530 系统介绍了金属表面改性用离子注入的机理和特点。剖析了温度、注入剂量、离子种类等影响因子对改性层效果的影响，综述了该技术在提高强度和硬度、改善磨损性能、降低摩擦系数
2011-05-22 12:42:2368 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束的性质 离子束是一种
2011-05-22 12:43:520 离子注入的特点是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。由于采用了离子注入技术，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在调情 发表于: 2010-5-28 10:45 来源: 德赢Vwin官网
网 1． 什么是离子注入? 离子注入（Ion Implant）是一种把高能量的掺杂元素的离子注入半导体晶片中，以得到所需要的掺杂浓度和结深的
2011-05-22 13:00:000 离子束注入技术概述 基本原理：离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就叫做离子注入。 用能量为100keV量级的离子
2011-05-22 13:00:550 离子注入生物诱变是不同于传统辐射生物学的人工诱变新方法。在离子注入生物诱变实验中, 真空室真空度及其稳定性影响着生物样品的存活状态; 注入剂量决定着生物样品的辐射损伤程
2011-05-22 13:02:410 F根据直升机传动系统干运转能力的要求,用销盘试验机测定了Mo离子注入量及润滑条件对齿轮钢I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因数和磨损量的影响I结果表明FMo离子注入对摩擦因数影响很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 德赢Vwin官网
为大家整理的离子注入技术专题有离子注入技术基本知识、离子注入技术论文及离子注入技术培训学习资料。离子注入技术就是把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方
2011-05-22 16:40:46
本文详细介绍了离子注入高效SE电池。
2017-11-06 17:27:083 近日有消息显示，万业企业（600641.SH）全资子公司凯世通的低能大束流集成电路离子注入机已搬进杭州湾洁净室，目前正在根据集成电路芯片客户工艺要求，进行离子注入晶圆验证。
2019-12-31 10:04:085297 近日，从电科装备旗下烁科中科信公司传来喜讯，公司研发的12英寸中束流离子注入机顺利发往某集成电路大产线，这台由客户直接采购的设备如期交付，标志着公司国产离子注入机市场化进程再上新台阶。
2020-06-23 10:20:284019 去它主页了解。 重点介绍激光领域用到的一款设备： 主要是注入H离子用的，可以达到400KeV的H+离子注入。 主页：http://www.nissin-ion.co.jp/en/sitemap.html 2016年，日本日新离子机株式会社与扬州经济技术开发区签订了合作协议。日新株式会社将在扬州
2020-11-20 10:03:276458 离子注入作为半导体常用的掺杂手段，具有热扩散掺杂技术无法比拟的优势。列表对比 掺杂原子被动打进到基板的晶体内部，但是它是被硬塞进去的，不是一个热平衡下的过程，杂质一般也不出在晶格点阵上，且离子轨迹
2020-11-20 10:10:305208 
与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比，离子注入掺杂具有如下优点。
2022-10-31 09:06:015608 离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19:331545 
离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质，以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程，不发生化学反应。
2023-05-12 16:00:084597 
高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构，并在晶圆表面附近产生非晶态层。
2023-05-19 09:22:131960 
在DRAM生产中，离子注入技术被应用于减少多晶硅和硅衬底之间的接触电阻，这种工艺是利用高流量的P型离子将接触孔的硅或多晶硅进行重掺杂。
2023-06-19 09:59:27317 
6.1.4半绝缘区域的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.3p型区的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长
2021-12-31 14:13:05466 离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-06-30 16:41:19412 离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-07-03 15:05:55593 
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具，可以测量
2023-07-07 09:51:172240 
在常规离子注入中，三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
谱仪可通过测量离子注入工艺后晶硅太阳能电池的H含量，来判定其钝化效果是否符合电池生产标准，进而判断太阳能电池的效率与性能。本期「美能光伏」将给您介绍离子注入技术在晶
2023-08-29 08:35:56376 
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
离子注入是一种重要的半导体工艺，用于在材料中引入离子，改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟，以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257 隧道效应，又称沟道效应，对晶圆进行离子注入时，当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的碰撞，而是将沿沟道（原子之间的缝隙）运动并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 
对器件设计工程师来讲，离子注入的浓度往往是需要关心的参数，什么样的浓度对应什么样的方阻，器件仿真参数输入的是浓度，通过DSIMS测出来的也是浓度和深度的关系。
2024-01-26 13:37:02581 
在MEMS电容式压力传感器、平面硅电容器和RF MEMS开关中，离子注入均有应用。
2024-02-23 10:47:13181 
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