为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？
2023-03-13 10:18:05
957 （Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直导电双扩散型场效应晶体管（Planar MOSFET），沟槽型场效应晶体管（Trench MOSFET），超结结构场效应晶体管（Super Junction MOSFET），浮岛结构场效应晶体管等。
2023-06-05 15:12:10671 
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074310 
型场效应晶体管 LDMOS （ L ateral Double-Diffused MOSFET ）、 垂直导电双扩散型场效应晶体管（ P lanar MOSFET ）， 沟槽型场效应晶体管（ T rench MOSFET ），超结结构 场
2023-06-28 08:39:353665 
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构
2019-06-14 00:37:57
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动
2021-07-09 07:00:00
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
横向导电的MOSFET，如下图所示，这个结构及其工作原理以前的文章介绍过：功率MOSFET的结构及特点，其由三个电极：G栅极、D漏极和S源极组成。图1：平面横向导电MOSFET灰色Gate栅极的宽度
2017-01-06 14:46:20
专门的沟槽式栅极结构（即栅极是在芯片表面构建的一个凹槽的侧壁上成形的），与平面式SiC MOSFET产品相比，输入电容减小了35%，导通电阻减小了50%，性能更优异。图4 SCT3030KL的内部电路
2019-07-09 04:20:19
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
，高压器件的主要设计平台是基于平面技术。这个时候，有心急的网友就该问了，超级结究竟是何种技术，区别于平面技术，它的优势在哪里？各位客官莫急，看完这篇文章你就懂了！平面式高压MOSFET的结构图1显示了
2017-08-09 17:45:55
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。 关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
生长。 3 沟槽双扩散型场效应晶体管 从图2的结构知道，对于单位面积的硅片，如果要减小功率MOSFET的导通电阻，就要提高晶胞单位密度，也就是要减小每个晶胞单元的尺寸，即要减小栅极的所占用的面积。如果采用图
2016-10-10 10:58:30
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
方案标题:单路沟槽式厕所节水器的改进,方案概述:单路沟槽式节水器在理论的基础上可以达到。对于不同的场合所达到的效果是不一样的，所以本人发现这个节水器在学校这种流动人口较大的场合在它的那个范围内处于一
2013-11-16 00:04:21
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
，低功耗系列也提供耗尽型。耗尽型 MOSFET 不适合在 SMPS中使用，因为它们在零栅极电压下完全导通;因此，在电源打开时，它们会出现短路。 关于漏电流，栅极的阻抗必须保持足够低，以防止寄生导
2023-02-20 16:40:52
结构 引言 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中，栅极驱动信号
2018-08-27 16:00:08
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中的定义，以及它们的定义条件。1、功率MOSFET数据表的寄生电容沟槽型功率MOSFET的寄生电容的结构如图
2016-12-23 14:34:52
描述PCB加提罗用于制作 aeg 气枪的 mosfet 栅极的 PCB。
2022-09-12 06:46:37
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。为什么需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间
2018-10-25 10:22:56
是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极和源极/发射极之间形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导
2018-11-01 11:35:35
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39:53
功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展，下篇着
2008-11-14 15:43:1425 沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着
2009-12-13 20:02:0411 全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:32947 本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
2011-03-30 16:44:242014 
世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET，导通电阻大大降低，有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构_石存明
2017-01-07 22:14:032 关键词：LED , MOSFET , PowerTrench , 高比率升压DC-DC , 中电压屏蔽栅极 侧光式LED背光单元(BLU)功率要求 由于功耗较低、使用寿命较长，发光二极管(LED
2019-03-22 16:33:01500 
MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
2021-01-22 08:41:429130 数字芯片最基本单元是MOSFET，其工艺发展到7nm、3nm、2nm，这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极（沟槽）宽度。早期MOSFET使用平面结构，沟槽宽度越小，漏极到源极距离越小，载流子流动跨越
2022-08-20 15:03:212983 本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流 是mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0335 使用安森美半导体 40 V 和 80 V 汽车电源模块的可靠开关性能建议（使用屏蔽栅极 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002KQB
2023-02-15 19:23:530 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，
2023-02-16 09:40:102938 
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2A
2023-02-17 19:19:450 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 20 V、4 A P 沟道沟槽 MOSFET-PMV32UP
2023-02-23 19:24:460 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
20 V、2 A P 沟道沟槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZ290UNE2
2023-02-27 19:03:100 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZ130UNE
2023-02-27 19:03:460 12 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCM650VNE
2023-02-27 19:05:590 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2
2023-02-27 19:07:560 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMGD175XNE
2023-02-27 19:14:400 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NX138BKW
2023-02-27 19:17:360 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-NX138AKS
2023-02-27 19:18:200 12 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMCM4401VPE
2023-03-01 18:39:460 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMZB350UPE
2023-03-02 22:20:240 30 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB47XP
2023-03-02 22:21:130 30 V 单 N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB33XN
2023-03-02 22:21:440 30 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB27EP
2023-03-02 22:22:140 20 V，单个 N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB23XNE
2023-03-02 22:22:270 20 V，单个 N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB10XNE
2023-03-02 22:23:100 20 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMDPB30XN
2023-03-02 22:24:160 20 V，互补沟槽 MOSFET-PMCPB5530X
2023-03-02 22:47:460 30 V、单 N 沟道沟槽 MOSFET-PMZB370UNE
2023-03-02 22:48:350 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMXB43UNE
2023-03-02 22:51:030 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMV50XP
2023-03-02 22:52:300 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV30UN2
2023-03-02 22:53:330 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMN42XPEA
2023-03-02 22:56:290 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMN27XPEA
2023-03-02 22:56:450 20 V 双 P 沟道沟槽 MOSFET-PMDPB85UPE
2023-03-02 22:57:370 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV28UNEA
2023-03-03 19:34:280 60 V N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB40SNA
2023-03-03 20:08:232 SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329 沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023037 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021458 
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571
德赢Vwin官网
App
公式1
公式2
公式3
公式4
公式5
工商网监
评论