1 FD-SOI会是颠覆性技术吗? - 工艺/制造 - 德赢Vwin官网 网

德赢Vwin官网 App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

德赢Vwin官网 网>制造/封装>半导体技术>工艺/制造>FD-SOI会是颠覆性技术吗?

FD-SOI会是颠覆性技术吗?

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

CEA、Soitec、格芯和意法半导体合力推进下一代 FD-SOI技术发展规划 瞄准汽车、物联网和移动应用

上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI 能够为设计人员和客户系统带来巨大的好处,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如,通信连接和安全保护。对于汽车、物联网和移动应用而言,这些优势是FD-SOI技术的一个重要特质。   CEA主席
2022-04-21 17:18:483472

意法爱立信移动平台多核处理技术

本文论述并比较目前移动平台所采用的主要的多核处理技术,重点介绍多核处理技术与意法·爱立信未来产品所采用的具有突破性的FD-SOI技术之间的协同效应
2013-02-03 14:19:001879

意法半导体28nm FD-SOI技术平台又获阶段性成功

意法半导体宣布,其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz,在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术
2013-03-13 09:40:241298

嵌入式存储器 意法半导体FD-SOI性能大升

意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器,有望突破更高性能,以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091257

2015年CES下个颠覆性产品是什么?

CES与赌城拉斯维加斯,都是一场巨赌。作为全球消费电子业的风向标,这里展示的任何一款产品,也许就是下一个颠覆性的产业变革。在今年超过3500家参展企业中,谁会是下一个幸运儿?
2015-01-06 09:43:37611

半导体厂商产能布局 FinFET与FD-SOI工艺大PK

在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术
2015-07-07 09:52:223744

瞄准超低功耗IoT GF拥抱FD-SOI制程

半导体晶圆代工公司格罗方德(Globalfoundries)日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台,以满足新一代物联网(IoT)装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:22949

三星半导体高层揭露晶圆代工技术蓝图

三星半导体(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节,包括将扩展其FD-SOI产能,以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199

Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研发

Globalfoundries技术长Gary Patton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321132

28纳米FD-SOI制程嵌入式存储器即将问世

Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示,该公司的技术蓝图显示,28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展,首先是
2016-07-28 08:50:141068

判断FinFET、FD-SOI与平面半导体制程的市场版图还早

获得英 特尔(Intel)、三星、台积电(TSMC)等大厂采用的FinFET制程,号称能提供最高性能与最低功耗;但Jones指出,在约当14纳米节 点,FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%,此外其设计成本也低25%左右,并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:021835

彭博社分析师解读人工智能的颠覆性影响

这是一篇由彭博情报分析师Jitendra Waral、Anurag Rana和Sean Handrahan完成的分析文章,写出了人工智能时代对科技的颠覆性影响。
2016-10-09 08:17:46649

深度解读:量子点神奇技术为何具颠覆性意义?

近日,一档科普类节目《走进科学》引发媒体和观众的普遍关注。这期栏目没讲高深的原子方程式,未说深奥的宇宙奥秘,而是剖析了与百姓息息相关的电视产品。作为时下火热的量子点技术被搬上银幕,《走进科学》深入浅出的讲解了量子点电视的优势、特点,并通过各种案例,述说这项全新科技带给国家与人们的颠覆性意义。
2016-10-28 11:22:231516

物联网应用带动FD-SOI制程快速增长

鳍式晶体管(FinFET)制程技术外,也投入全耗尽型绝缘层上覆硅(FD-SOI)市场,并推出22纳米及12纳米FDX制程平台,抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22845

格芯宣布推出基于行业领先的22FDX® FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDX eMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的,格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:098151

格芯CEO:FD-SOI是中国需要的技术

5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时,FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显,人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372

FD-SOI工艺日趋成熟,图像处理应用成其落地关键

格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗尽平面晶体管)工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631

Arm推基于三星Foundry工艺的物联网测试芯片和开发板

在美国的三星代工论坛上,Arm与三星Foundry、Cadence和Sondrel合作,展示了首款28纳米FD-SOI eMRAM的物联网测试芯片和开发板。
2019-06-05 16:59:011398

今日看点丨英飞凌CEO呼吁不应过多限制对华半导体出口;百度集团副总裁吴甜:文心大模型 3.5 能力已经超出

绝缘体上硅(FD-SOI)技术开发10纳米低功耗工艺技术模块,该技术未来将进一步向7纳米拓展,这也是浸没式DUV光刻技术的极限。该机构透露,FD-SOI新一代工艺将与18、22和28nm的现有设计兼容,并且还将包括嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺。该项目由法国政府独立于《欧盟芯片法案》提供资金。
2023-07-20 10:54:19428

射频前端底层技术的卓越性能,RF-SOI为5G赋能

FD-SOI,其中RF-SOI作为一种重要的射频芯片材料技术,虽然很少被提及,但在很多设备上都有重要的应用。   射频前端底层技术   射频前端的重要性不言而喻,是任何通信系统核心中的核心,RF-SOI正是用于各种射频器件,目前已经是各类射频应用里主流的衬底,如射频开关、LNA、调谐器
2024-02-19 00:59:002465

25大物联网颠覆性“硬趋势”

在未来5年中,下列“改变游戏规则”的技术将改变每个企业的业务流程,包括我们如何出售产品、营销、通讯、协作、教育、培训、创新等等。这是我们第32次公布“硬趋势”榜单,如果你的公司想要在未来保持繁荣,你
2015-03-19 11:44:41

5G射频前端 | RF MEMS与RF SOI 两种工艺谁才是主流?

,随着RF开关变得越来越复杂,这两种工艺变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽的SOIFD-SOI),适用于数字应用。与FD-SOI类似,RF SOI在衬底中具有很薄的绝缘层,能够实现高击穿电压和低
2017-07-13 08:50:15

FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)

FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术是一种新的工艺技术,有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片,在相同的选件和金属层条件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26

颠覆性概念交通工具可穿戴式摩托车

颠覆性概念交通工具—可穿戴摩托车(又称Yamaha Deus Ex Machina),整部摩托车完全由人体肌肉控制,并且能在3秒内从0KM/H加速到60KM/H。美国的帕萨迪纳艺术中心开设了一门新课程
2019-05-10 00:16:35

颠覆性科技之智能机器人

非常重视。  未来技术与产业  什么叫颠覆技术?它改变了传统路线,创造和开拓了新需求,在一个时代形成里程碑的市场和标志的产品。3D打印生物组织、无人驾驶、可穿戴式VR、智能机器人服务助理、无人
2015-12-22 15:17:52

ADC与DAC工艺节点案例分析

工艺节点中设计,但是 FD-SOI 技术提供最低的功率,同时可以承受辐射效应。与体 CMOS 工艺相比,28 纳米 FD-SOI 芯片的功耗将降低 70%。射频数据转换器需要同时具有高带宽和低功耗,以
2023-02-07 14:11:25

POCT中的“颠覆性技术”——微流控芯片应用实例分享

。在POCT领域,微流控芯片可直接在被检对象身边提供快捷有效的生化指标,使现场检测、诊断、治疗成为一个连续的过程。2017年,中国国家科学技术部将微流控芯片技术定义为一种“颠覆性技术
2023-03-22 14:31:23

RF MEMS与RF SOI 两种工艺谁才是主流?

,随着RF开关变得越来越复杂,这两种工艺变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽的SOIFD-SOI),适用于数字应用。与FD-SOI类似,RF SOI在衬底中具有很薄的绝缘层,能够实现高击穿电压和低
2017-07-13 09:14:06

RF-SOI技术在5G中的应用前景分析

RF-SOI技术在5G中的应用前景简析
2021-01-04 07:02:15

三项颠覆性技术将改变牙科

。新的先进技术改变了我们的日常生活,也使牙科发生了革命变化。技术有可能自动化现有牙科治疗决策工作流程,帮助牙医做出精确诊断,也让患者得到适当的牙科护理。 以下是一些颠覆性技术,它们提供了强大诊断工具和更好
2018-12-20 06:18:06

借力意法FD-SOI 三星eMRAM进驻MCU早有计划

,已成为包括台积电在内的代工厂攻克MRAM的主要方向。 在此之后,成本和工艺的限制,让三星的MRAM研发逐渐走向低调,在这期间,与FinFET技术齐名的FD-SOI,在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00

光线追踪技术介绍

光线追踪:一种颠覆性技术
2021-01-22 07:19:50

国内外进展及SOI产业化进程

SOI技术的优劣是以常规的体硅技术为参照的。以CMOS技术为例,体硅CMOS技术是以阱的反向PN结作为隔离,将器件分开。而SOI CMOS实现了完全介质隔离,由此带来了一系列优越:可靠高、速度快
2011-07-06 14:11:29

基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势及应用?

基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用?
2021-06-26 07:14:03

学习FD-SOIFD-FINFET

如何开始着手学习或者说有哪些相关的书籍
2017-08-01 16:30:30

SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力

SOI CMOS加固工艺和128kb SRAM电路设计等关键技术,研制成功国产128kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明,其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8MeV/(mg
2010-04-22 11:45:13

能否提供ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线?

尊敬的先生/女士,您能否提供步骤和可能的图表,以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线?提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08

颠覆性视觉冲击 三星推Super AMOLED屏

颠覆性视觉冲击 三星推Super AMOLED屏 进入触控手机时代以来,伴随着手机显示屏幕尺寸愈发增长,屏幕显示效果便成为了用户购买触控手机时最为关
2010-03-11 09:33:19654

22nm后的晶体管技术领域 平面型FD-SOI元件与基于立体

22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559

FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布

22nm以后的晶体管技术领域,靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508

IBM和ARM正进行小功率SOI芯片研究

IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划,打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
2011-11-15 08:56:56427

意法半导体(ST)与Soitec携手CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程

意法半导体(ST)、Soitec与CMP(Circuits Multi Projets)携手宣佈,大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201

看好28奈米FD-SOI技术 意法借力成该技术领导者

日前,意法半导体(ST)宣布位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术,这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技术的能力。
2012-12-14 08:45:27793

意法半导体获2013年度电子成就奖(ACE)能源技术

意法半导体(ST)宣布意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件(FD-SOI技术荣获2013年度电子成就奖(ACE)能源技术奖。根据客户的节能与性能权衡策略,FD-SOI芯片本身可节约20%至50%的能耗,使终端设备可更快散热,并实现更长的使用寿命。
2013-05-10 09:06:43913

应用案例-颠覆性创新金属3D打印技术助力Moto2突破极限

应用案例-颠覆性创新金属3D打印技术助力Moto2突破极限
2016-12-28 10:41:470

意法半导体公司选择格芯22FDX®提升其FD-SOI平台和技术领导力

据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力,格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:425975

格罗方德宣布新一代处理器解决方案

集微网消息,格罗方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半导体供应商意法半导体(ST)选择采用格罗方德 22 纳米 FD-SOI(22FDX)制程技术平台,以支持用于工业及消费
2018-01-10 20:44:02707

GlobalFoundries抛弃三星和意法半导体在第二代FD-SOI技术上达成合作

GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效,近日传来消息,又迎来意法半导体(ST)的大单进补,在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411

2018年四大颠覆性科技影响更深远

2018年物联网(IoT)、区块链(Blockchain)、虚拟∕扩增实境(VR/AR)、人工智能(AI)∕机器学习这四大颠覆性技术,将开始塑造政府和企业决策者在各领域的想法。
2018-01-19 08:51:481611

FD SOI生态系统逐步完善 与FinFET势均力敌

在工艺节点进展方面,三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示,三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向,FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001703

SOI在IOT有何优势_能否大赚IoT商机

ST表示,与传统的块状硅技术相较,FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性,而埋入氧化层能降低源极(source)与汲极(drain)之间的寄生电容;此外该技术能有效限制源极与汲极之间的电子流
2018-03-10 01:25:00705

FD-SOI技术有何优势?还是物联网的理想解决方案?

物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术,除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程,以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点,各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002368

三星预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片

晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单,其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面,其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565

格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM

格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图,从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002394

格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产

加利福尼亚州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424

我国颠覆性技术发展主要存在的问题和难点

首先,研究和发展颠覆性技术将有助于我国摆脱原创性创新能力不足,关键核心技术受制于人的困境,提升科技创新质量,实现跨越式发展。其次,以新一轮科技革命和产业变革为契机,发展颠覆性技术将改变我国现有的产业规则,影响我国现有的产业格局,进而形成新的主导产业,为我国科技创新的跨越式发展提供新的物质基础。
2018-06-07 16:34:3021094

三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段

生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro(其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产),三星代工厂(28纳米工艺投产中,18纳米工艺计划投产),以及格芯代工厂(22纳米工艺投产中,12纳米计划投产)。
2018-08-02 11:35:244402

盘点FD-SOI工艺现状和路线图

FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上,三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:2811603

GF退出7nm代工 台积电一家独大

日前,格罗方德宣布停止7nm工艺的投资研发,转而专注现有14/12nm FinFET工艺和22/12nm FD-SOI工艺。
2018-09-03 16:41:425128

格芯FDX技术助中国AI芯片客户云天励飞成功流片

关键词:22FDX , AI芯片 , FD-SOI 近日,云天励飞以及瑞芯微电子宣布,它们采用格芯22FDX技术自主研发设计的AI芯片成功流片。2018年7月,格芯宣布其22FDX技术凭借优良性
2018-11-05 16:31:02250

Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应

Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应,满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求,确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00495

现代新胜达预计明年3月正式上市 内外设计上有了颠覆性的改变

北京现代新一代胜达已经在一个月前2018广州车展上正式亮相,新车在内外设计上有了颠覆性的改变,预计在明年3月正式上市。
2018-12-15 09:18:111101

Soitec 2019上半年财报强劲增长 FD-SOI技术迎来发展的春天

随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注,Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展,从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122777

区块链是一项颠覆性技术正走向大规模的应用当中

年度报告还指出,考虑到几年前区块链这个词会为人所知是由于当时加密货币的盛行,如今区块链技术「同时兼顾共享和投资这一事实是显著的。」该公司也针对区块链的性质和含义提出了看法:「今天,区块链为网络沟通带来信任并产生影响,是一种极具颠覆性技术,不仅可以改变商业,还可以改变人类交易和参与的方式。」
2019-01-21 11:28:47487

格芯和Dolphin推出适用于5G、物联网和汽车级应用的差异化FD

研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案,提升格芯22nm FD-SOI (22FDX)工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性,支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01323

FD-SOI与深度耗尽沟道DDC MOS器件的详细资料介绍

当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时,提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

各企业积极投入FD-SOI元件开发 看好后续市场发展

为求低功耗、高能效及高性价比之元件,市场逐渐开发出FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构;而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心,透过传统Si芯片制程方式,进而以水平式晶体管架构,取代线宽较大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

格芯与Soitec宣布签署多个SOI芯片长期供应协议

日前,格芯与Soitec宣布双方已签署多个长期的300 mm SOI芯片长期供应协议以满足格芯的客户对于SOI、RF-SOIFD-SOI和硅光子技术平台日益增长的需求。建立在两家公司现有的密切关系上,此份协议即刻生效,以确保未来数年的高水平大批量生产。
2019-06-11 16:47:333457

云天励飞、Blink现身说法谈FD-SOI优势

事实胜于雄辩,与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比,本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势,其震撼效果难以言传!
2019-08-06 16:22:453340

高级工艺未来分化,FD-SOI受益

长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲,并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆发的唯一短板是IP?

FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

FPGA芯片的发展需要颠覆性技术的支持

全球AI芯片企业排行榜的公布,在国内引起了广泛关注和热议,纷纷鼓吹中国凭借AI芯片便能在芯片行业崛起,但所有AI芯片均没有看到颠覆性技术出现。
2019-08-26 17:52:58501

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平台的嵌入式磁性随机存储器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDXeMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

FPGA智能芯片需要的是颠覆性技术创新

全球AI芯片企业排行榜的公布,在国内引起了广泛关注和热议,纷纷鼓吹中国凭借AI芯片便能在芯片行业崛起,但所有AI芯片均没有看到颠覆性技术出现。美国AI芯片巨头垄断,英伟达、英特尔和谷歌等科技巨头齐发力。
2019-10-28 16:52:351071

区块链领域有什么颠覆性技术

区块链技术被誉为伟大的颠覆者。从改变公司的供应链到获得知识产权或转让任何有价值的东西,例如无形资产或房地产资产,区块链技术的用途很多,现在已经从概念的试验/验证阶段转移到实际的商业用例。
2019-12-06 10:25:39655

首款基于FD-SOI的FPGA平台已正式面世

FPGA 被称为“万能芯片”,是人工智能时代的“红人”。经过十几年的市场变革,现在很多人关注 FPGA 更多是看头部的两家厂商——英特尔和赛灵思。
2019-12-12 15:29:07651

六大技术的兴起 给制造业带来了颠覆性的变革

增材制造、物联网、虚实融合、材料工程、协作机器人、人工智能等新兴技术,将给制造业的发展带来颠覆性的变革。这六项新兴技术,每项技术的创新发展必然都将给制造业带来重大改变。在同一时期,这六大新兴技术
2020-01-14 13:41:534134

莱迪思即将发布首款SOI的FPGA产品

AI芯片设计大厂莱迪思半导体(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技术平台,发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA(现场可程序化逻辑门数组)产品。
2020-02-12 22:57:17842

莱迪思发布首款SOI的FPGA产品,AI芯片发展可期

AI芯片设计大厂莱迪思半导体(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技术平台,发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA(现场可程序化逻辑门数组)产品。
2020-02-27 14:54:38739

格芯宣布已完成22FDX技术开发 将用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器

据外媒报道称,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405

Globalfoundries提供eMRAM 计划在2020年实现多个流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术,该公司正在与几个客户合作,计划在2020年实现多个流片。
2020-03-03 15:10:302185

格芯22FDX技术将用于批量生产eMRAM磁阻非易失性存储器芯片

据外媒报道称,美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries(格芯)宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490

格芯22nm工艺量产eMRAM,新型存储机会来临

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工艺平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。
2020-03-11 10:54:37713

如何通过Soitec优化衬底技术助力汽车产业实现智能创新

FD-SOI使用的范围非常广,包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年,我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”,Soitec
2020-07-06 17:03:361984

FD-SOI应用 从5G、物联网到汽车

FD-SOI使用的范围非常广,包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年,我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

汽车产业的颠覆性变革

人工智能、大数据、物联网等新技术的诞生和广泛应用,导致汽车业出现颠覆性变革的同时,巨大的不确定性和无处不在的网络安全隐患,又将这一产业推至悬崖边。
2021-03-02 18:23:47916

Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出FPGA产品加强边缘AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品,包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX,重新定义的Certus-NX,去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445719

海尔抓住颠覆性技术突破口,科技创新下出先手棋

在新一轮科技革命的催化下,发展颠覆性技术、推动革命性创新,不仅成为我国解决“卡脖子”难题、推动高质量发展的战略选择,也已成为抢占国际竞争力的制高点。由科技部主办的全国颠覆性技术创新大赛在这一背景
2022-04-20 16:20:34997

本源量子获科技部“全国颠覆性技术创新大赛”优胜奖!

近日,首届全国颠覆性技术创新大赛(以下简称“大赛”)总决赛圆满落幕。合肥本源量子计算科技有限责任公司(以下简称“本源量子”)“基于量子计算机和操作系统在不同行业应用场景下的算法开发”项目在2724
2022-05-10 10:24:36390

颠覆创新,改变未来,梦之墨获得全国颠覆性技术创新大赛优胜项目

12月30日,首届全国颠覆性技术创新大赛领域赛(青岛)在青岛高新区落下帷幕,大赛由科技部主办,科技部火炬中心承办,青岛市科技局、青岛高新区管委共同协办。本次在青岛举办的领域赛主要围绕高端装备制造
2022-01-18 17:37:38373

法国CEA-Leti正计划新建一条工艺引导线

机构方面表示,新的fd-soi技术将与18、22、28纳米的现有设计进行互换,还将包括嵌入式非挥发性存储器(envm)技术。该项目在法国政府的资助下被分离为《欧盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308

受益于物联网的FD-SOI卷土重来

如今谈起晶圆工艺,大家提及的往往是日趋成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善阶段的GAA,台积电、三星、英特尔……无数厂商都在为了这两种工艺前后奔忙,不过却鲜少有人知晓另一种与Fin-FET齐名的工艺。
2023-07-25 09:43:50250

第八届上海FD-SOI论坛成功举行 芯原FD-SOI IP迅速成长赋能产业

于2019年举行。因特殊原因暂停了三年,2023年主办方重启再次主办,第八届FD-SOI论坛,邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化,FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化?   半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

字节跳动推出一款颠覆性视频模型—Boximator

在 Sora 引爆文生视频赛道之前,国内的字节跳动也推出了一款颠覆性视频模型——Boximator。
2024-02-20 13:44:49348

FD-SOI与PD-SOI他们的区别在哪?

本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半导体携手三星推出18nm FD-SOI工艺,支持嵌入式相变存储器

据悉,FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40nm EPM 技术,新工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加三倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369

已全部加载完成