据悉，苹果 A12 仿生芯片内部集成 69 亿个晶体管，其晶体管密度为 8390 万个/平方毫米，而 A11 仿生芯片的晶体管密度为 4900 万个/平方毫米。对比之下，苹果 A12 仿生芯片每平方毫米
2018-10-05 08:48:55
3333 近日，有台媒对比了半导体工艺10nm及以下制程的技术指标演进对比图，其中技术指标主要是看晶体管密度，也就是每平方毫米的晶体管数量。由于目前仅有Intel、台积电、三星等少数几家厂商掌握了10nm以下
2021-07-17 07:14:004795 3nm工艺，外媒的报道显示，台积电是计划每平方毫米集成2.5亿个晶体管。 作为参考，采用台积电7nmEUV工艺的麒麟9905G尺寸113.31mm2，晶体管密度103亿，平均下来是0.9亿/mm2，3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下，就是将奔腾4处理器缩小到
2020-04-20 11:27:494113 规格书标称的额定电流22UH的有3.6A,10UH的有5.4A.搞不懂这些标称的额定电流指的是什么,平均电流,有效电流?1平方毫米的安全电流是5A,0.4双线不过0.25平方毫米,按照线径安全电流来算也不过1.25A,为什么很多厂家的都把这种10UH电感都标称到5A上去了.实际使用却流过2A就发热很大.
2017-01-17 21:28:24
柔性导电铜索规格有2.5平方、4平方，6平方，8平方，10平方，16平方，20平方，25平方，35平方，50平方等等。 长度:可按要求任意加工，两端可根据要求来加[url=]护套[/url]绝缘
2018-06-11 13:52:19
螺栓孔，常规截面有16平方 20平方 25平方。产品耐腐蚀，外形光洁美观，可提高软管成品的承压力、耐高低温力，延长管体的使用寿命，降低成本，广泛用于机械、化工、冶金、建筑等各行业。 专注于创造顾客价值
2019-02-27 14:06:54
，一般的铝合金门窗防雷接地铜导线都采用斜纹铜编织线，两端压接OT端子，便于安装螺栓孔，常规截面有16平方 20平方 25平方。产品耐腐蚀，外形光洁美观，可提高软管成品的承压力、耐高低温力，延长管体的使用寿命，降低成本，广泛用于机械、化工、冶金、建筑等各行业。 `
2019-02-27 13:59:38
其实早在2002年Intel即发现了这一技术，一直处于试验演示阶段，现在终于把它变成了现实，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
代表材质（紫铜线）10代表单丝线径0.10mm15代表截面积15平方（2）、TZX—10/15TZX代表材质（镀锡铜丝）10代表单丝线径0.10mm15代表截面积15平方2、铜编织带组成结构：（1
2018-09-13 16:22:31
很多晶体管组成的。芯片制程是指在芯片中，晶体管的栅极宽度。因为在整个芯片中，晶体管的栅极是整个电路中最窄的线条。如果栅极宽度为10nm，则称其为10nm制程。纳米数越小，比如从10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
给小白科普一下，老司机跳过~ 1平方线：横截面积是1平方毫米的电线如果我们按照公式：面积=半径²×3.14 来推算 那么1平方线=1.13mm左右 一、1平方电线可以负荷多少瓦 一个电工常用的“经验公式
2018-08-27 20:16:37
(max)。(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1对晶体管输入功率，使PN结热饱和VBE的后续值：测定VBE2从这个结果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
工作点稳定。由于温度对管子参数β、Icbo、Ube的影响，最终都集中反映在Ic的变化上，为了消除这种影响，我们通过晶体管偏置的直流或电压的负反馈作用使静态工作点稳定下来，常见的两种偏置电路及工作点稳定
2021-06-02 06:14:09
（实际上有数nA~数10nA的漏电流），并认为OFF期间的功耗为零。合计以上各区间计算的积分值，除以1周期的长度400µs，为平均功耗，即而且，这里对双极晶体管2SD2673例子的集电极电流IC
2019-04-15 06:20:06
，进位C0=0，S=1，即1+0=1。当A=1，B=1的时候，进位C0=1，S=0，即1+1=10。这个10就是二进制，换成十进制就是用2来表示了，即1+1=2。到了这里，你应该明白了晶体管怎么计算
2021-01-13 16:23:43
，再在晶体管的集电结（B、C极之间）上并接1只电阻（硅管为100kΩ锗管为20 kΩ），然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小
2012-04-26 17:06:32
本帖最后由 1428406322 于 2014-10-29 12:14 编辑
晶体管电路设计（上）
2014-10-29 12:13:24
的定义如图Z0213。 hie、hre、hfe、hoe 这4个参数称为晶体管的等效h 参数，它们的物理意义为： hie称为输出端交流短路时的输入电阻，简称输入电阻。它反映输出电
2021-05-13 07:56:25
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
“导通”意义上的电流。但是，需要被称为“Qg”的电荷。关于MOSFET，将再次详细介绍。IGBT为双极晶体管与MOSFET的复合结构。是为了利用MOSFET和双极晶体管的优点而开发的晶体管
2018-11-28 14:29:28
创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘，因此不会流过 “导通”意义上的电流。但是，需要被称为“Qg”的电荷。 关于MOSFET，将再次详细介绍。 IGBT为双极晶体管与MOSFET
2020-06-09 07:34:33
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
计算机等使用的数字信号中，晶体管起着切换0和1的开关作用。IC及LSI归根结底是晶体管的集合，其作用的基础便是晶体管的增幅作用。4. 集电阻和晶体管于一体原来基板上的电阻和晶体管分别安装，数字晶体管
2019-05-05 00:52:40
晶体管的电参数可分为哪几种？晶体管的电参数在实际使用中有何意义？
2021-06-08 06:11:12
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
(max)。(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1对晶体管输入功率，使PN结热饱和VBE的后续值：测定VBE2从这个结果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
毫米波或EHF频带为30至300 GHz（波长范围为1厘米至1毫米），涵盖Ka / V / W / mm频带（IEEE）K / L / M频带（NATO），它位于超级之间 在高频段和远红外
2021-04-06 11:42:22
对可怜的处理器设计师表示同情。他们的工作以前非常简单。在每一半导体新工艺代中，每平方毫米的晶体管数量都会加倍，速度会有很大的提高，同时总功耗也会降低。设计师的黄金规则是“保持体系结构不变，在实现上稍作调整。”
2019-07-17 07:04:42
。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPA1003QA产品名称：射频晶体管NPA1003QA产品特性GaN上硅HEMT D模放大器适合线性和饱和应用20至1500兆赫的宽带
2018-09-03 12:04:40
在PIC32毫米微控制器中，弱下拉电阻和弱上拉电阻的范围是多少？谢谢您。
2020-04-17 09:51:44
产品名称：氮化镓晶体管QPD1004产品特性频率范围：30 - 1200 MHz输出功率（p3db）：40 W在1 GHz线性增益：20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
TGF2022-12 KU波段晶体管产品介绍TGF2022-12报价TGF2022-12代理TGF2022-12咨询热线TGF2022-12现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司
2018-07-18 11:51:59
TGF2023-2-05碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-05报价TGF2023-2-05代理TGF2023-2-05TGF2023-2-05现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司T
2018-11-15 11:52:42
科技有限公司TGF2023-2-20是离散的20毫米的氮化镓上sichemt由DC至14 GHz。在3 GHz的tgf2023-2-20通常提供50.5 dBm的功率增益为19.2 dB的饱和输出功率。最大功
2018-06-22 11:09:47
TGF2023-2-10碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-10报价TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨询热线TGF2023-2-10现货,王先生*** 深圳市首质诚
2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶体管产品介绍TGF2955报价TGF2955代理TGF2955TGF2955现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2955是离散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
电流5－6安/平方毫米最大电流铜线一平方毫米可以跑10安导线截面积与电流的关系一般铜线安全计算方法是：2.5平方毫米铜电源线的安全载流量－－28A。4平方毫米铜电源线的安全载流量－－35A 。6平方毫米
2016-01-21 16:10:21
Exypnos和Prasinos，分别意为智能和环保)，搭载于自家旗舰机Galaxy S8上，宣称与上一代14nm工艺相较性能提高了27%、功耗降低40%。另一方面，台积电的10nm产品A11 Bionic
2018-06-14 14:25:19
平方毫米――150A 电流换算功率： 1A＝220W， 10A＝2200W，依此类推。例如：如果载流量是14A的铜线，就是：220W×14＝3080W, 那么1.5平方铜线功率是3.08千瓦。国标允许
2018-08-16 08:28:14
`东莞导线铜导电带 25平方毫米幕墙防雷铜导线现场工作不得少挂铜接地线，铜导线或者擅自变更挂铜接地线，铜导线地点。10，铜接地线，铜导线具有双面性，它具有安全的作用，使用不当也会产生破坏效应，所以
2018-12-08 12:07:41
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
典型GaN晶体管的核心是一个导电通道，它由AlGaN阻挡层和GaN缓冲层间界面上产生的二维电子气形成（见图1）。这种器件倾向在一个异质基板上生产，典型的是硅或碳化硅，并具备三个电极：源极、漏极、栅极。为
2020-11-27 16:30:52
年代和 1960 年代，它也被称为超级阿尔法对。Darlington认识到这种设计对发射极-跟随电路的诸多优势，并为这一概念申请了专利。 达林顿晶体管通常具有低功耗、高增益的特性，使其对输入电流
2023-02-16 18:19:11
场效应管的演变 鳍式场效应晶体管的未来发展前景 FinFET在5nm之后将不再有用，因为它没有足够的静电控制，需要晶体管的新架构。然而，随着技术节点的进步，一些公司可能会出于经济原因决定在同一节点上
2023-02-24 15:25:29
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
/５＝２０平方毫米，那么，就得用２层１０平方的铜到并联，才能达到要求 如果是推挽，则是２+２Ｔ，很简单，只用１０平方的铜到各绕一组就行了。相比只多了一个抽头。 所以说，本质上推挽是分开了变压器的正
2011-06-03 09:32:54
灯具内部接线截面积与外部接线的截面积应不小于0.5平方毫米至0.75平方毫米。 灯具应能耐久地使用。荧光灯的灯具应选用不仅在正常状态能正常工作，而且在出现灯管老化、损坏的情况下能提供异常保护
2014-10-23 09:44:55
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
nf~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时，由于电容两端电压不能突变，上电瞬间电容如同短路，因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流，使晶体管迅速导通。之后，电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态
2020-11-26 17:28:49
中导线所配电动机容量，比这里提出的要大些，特别是小截面导线所配的电动机。）因此, 即使容量稍超过一点(如16平方毫米配23千瓦),或者容量虽不超过,但环境温度较高,也都可适用。但大截面的导线,当环境温度
2011-04-22 17:09:22
℃，计算后再打九折。例如截面为10平方毫米的铝芯绝缘线在穿管并且高温条件下，载流量为10×5×0.8×0.9=36安。若是裸线，则载流量加大一半。例如截面为16平方毫米的裸铝线在高温条件下的载流量为： 16
2011-08-31 10:17:59
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
*40导电铜索导通,接触面积不小于150平方毫米，或者是截面25平方铜编织线用冷压方法压制而成，是在编织带两边压接端头，可也加铜管处理做成软连接，可根据客户不同的需求打孔，镀锡等。`
2018-11-23 11:15:15
/５＝２０平方毫米，那么，就得用２层１０平方的铜到并联，才能达到要求 如果是推挽，则是２+２Ｔ，很简单，只用１０平方的铜到各绕一组就行了。相比只多了一个抽头。 所以说，本质上推挽是分开了变压器的正半
2011-04-20 09:17:27
平方毫米――47A 16平方毫米――92A 25平方毫米――120A 30平方毫米――150A电流换算功率1A＝220W，10A＝2200W，依此类推。如果载流量是14A的铜线，就是：220W
2022-03-23 17:49:53
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
或一端喇叭口，接触面的长度也可根据要求改变。产品规格:单层铜编织软连接可做到截面积6mm²-150mm²可根据用户要求制作叠层铜编织软连接，其截面积可达到数千平方毫米。`
2018-07-30 18:26:51
和二硫化钼（MoS2）制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要
2016-10-08 09:25:15
T2铜，采用斜纹编织的制作工艺。而柔性导电铜索也分为裸铜和镀锡铜，截面积从10-50平方都可以定做。接触面不小于150平方毫米为两端压接头与螺丝搭接的面积不小于150平方毫米，但是铜导线截面积不一样所要求的接触面也是有所不同。`
2020-09-03 16:20:30
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
`玻璃幕墙防雷编织铜导线截面25平方毫米，在工作所处地点两段两端悬挂铜接地线，铜导线，以免用户倒送电，感应电的应该能，深受其害的例子不少。在打接地桩时，要拨能借地体能快速疏通事.故大电流，保证接地
2019-02-26 11:58:48
传感器的头是跟铁丝，铁丝头，能识别1-3毫米内的铁片
2016-04-29 08:48:05
已经指明三种管径分别可穿的导线截面。其中20毫米内径的可穿4 及6 平方毫米两种截面。另外两种管径只可穿一种截面,即25毫米内径的只可穿10平方毫米一种截面,40 毫米内径的只可穿35 平方毫米一种
2011-04-22 17:08:33
）：十下五，百上二，二五三五四三界，七零、九五两倍半，裸线加一半，铜线升级算，穿管温度八、九折。说明：十下五是指导线截面在10平方毫米以下，每平方毫米的安全电流为5安培；百上二是指导线截面在100
2020-09-19 07:50:59
： 1.5平方毫米――22A 2.5平方毫米――30A 4平方毫米――39A 6平方毫米――51A 10平方毫米――70A 16平方毫米――98A 铜芯电线:..铜芯线截面积.. 允许长期电流
2012-08-24 11:12:34
1.5平方毫米――13A 4平方毫米――32A 16平方毫米――92A 35平方毫米――150A1A＝220W， 例如：如果载流量是14A的铜线，就是：220W×14＝3080W, 那么1.5平方
2018-08-26 23:07:30
：繁多直径：16平方毫米软铜线，25平方毫米软铜线，35平方毫米软铜线，50平方毫米软铜线，75平方毫米软铜线，90平方毫米软铜线用途：用于电缆桥架接地，配电箱接地，电器接电安装螺丝孔8MM大编织带
2018-06-27 22:08:58
``紫铜导线，幕墙防雷铜导线，柔性导电铜索25平方毫米雅杰铜导线用途：用于电缆桥架接地，配电箱接地，电器接地，楼房接地，地线可接到楼体结构中的钢筋上,一般的楼体钢筋都是接地的。【雅杰-顾小霞
2018-06-13 14:07:29
× 0.9=45 安)。 穿管又高温(七折)35 安(1O × 5 × 0.7=35) 95平方毫米的,穿管(八折)190安(95×2.5×0.8=190) 高温(九折),214 安(95
2019-10-15 08:00:00
如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？ 这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构
2020-07-07 11:36:10
，电路中以“{RL}”来替代负载。通过单片机的I/O来方便的控制负载通断电，图1所示的电路简单明了，使用一个NPN晶体管，高电压平通，低电平断。但再仔细想想，好像没有表面上的那么简单，至少需要考虑到以下
2016-06-03 18:29:59
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑
高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48:28
高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58:43
在今天的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，IBM拿出了全球第一个通道长度(栅极长度)不足10nm的碳纳米晶体管，代表了未来计算技术的重大突破
2011-12-08 09:23:551284 
虽然摩尔定律即将走向终结，但半导体制程工艺推进的脚步却一直没有停下过。台积电和三星作为ARM芯片代工阵营的领军企业，双方你追我赶大打制程战，已将制程工艺推进至10nm，而高通联发科等我们所熟知的IC
2017-01-11 10:49:113863 
在2017柏林电子消费展上，中国企业出尽了风头。麒麟970芯片在这个世界级的舞台上抢先亮相。骁龙835的晶体管数量是31亿，苹果A10是33亿，而麒麟970是55亿，所以麒麟970更牛更领先。10nm工艺下只有100平方毫米大，差不多是一个指甲盖的大小。
2018-01-08 16:00:0316162 
作为科技行业著名的“牙膏厂”，英特尔一直走在所有厂商前面。因为它的10nm制程已经跳票三年之久，每当一款新的处理器发布，众人翘首以待10nm的到来，可英特尔还是给用户泼冷水，继续跳票10nm工艺。
2018-06-15 15:53:005069 Cannonlake架构的Core i3-8121处理器，通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2，是14nm节点的2.7倍，而且英特尔首次使用了贵金属钌。
2018-06-14 11:08:005922 无疑这收获了业界潮水般的质疑，为何其10nm一直难以出师？有分析称，10nm工艺之难产的一个关键是最初指标定的太高。相比14nm工艺，10nm工艺的晶体管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的缩放
2018-12-18 10:37:332586 4%的面积。作为对比，台积电7nm工艺的骁龙855为73.27平方毫米、麒麟980为74.13平方毫米、苹果A12为83.27平方毫米。显然，介于10nm LPP和7nm LPP EUV工艺之间的三星8nm LPP工艺并不占优。
2019-03-14 16:19:482935 该产品是8AWG 10平方毫米规格的耐高温高压线，线芯为精细镀锡铜材质，不易氧化。
2019-12-31 14:16:128360 
之前我们就见识过Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE，拥有46225平方毫米面积、1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GB SRAM缓存……并得到了美国能源部的青睐和部署。
2020-03-06 08:55:392673 平方毫米，密度为1.34亿个晶体管/平方毫米。 作为对比，上代A13使用的是台积电7nm工艺，集成85亿个晶体管，内核面积94.48平方毫米，密度为8997万个晶体管/平方毫米。更早的A12也是台积电7nm工艺，集成69亿个晶体管，内核面积83.27平方毫米，密度为8286万个晶体管/平方毫米。 根据
2020-11-06 09:58:111795 台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管。这样对比来看，IBM 2nm晶体管密度达到了台积电5nm的2倍。
2021-05-10 14:22:342445 
IBM的2nm制程芯片采用的是什么技术？IBM 2nm制程芯片采用GAA环绕栅极晶体管技术，晶体管密度可达5nm两倍，每平方毫米容纳3.3亿个晶体管，2nm芯片将计算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，电池续航时间提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:08885 有多牛呢？2nm芯片何时量产呢？ 据了解，IBM所研制的这颗2nm芯片仅有人的指甲大，但是其内部包含着高达500亿个晶体管，平均每平方毫米内包含着3.3亿个晶体管，而苹果著名的A15处理器采用了台积电N5工艺，其内部每平方毫米有1.7亿个晶体管，这样一对比
2022-07-06 11:28:202186 IBM于2021年完成了2纳米技术的突破。据预计，IBM 2nm工艺或能在每平方毫米芯片上集成3.33亿个晶体管。
2022-07-06 14:43:45976
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