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【摘要】:基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。
【关键词】:集成光学;;金属-半导体-金属光探测器;;电流模跨阻放大器;;限幅放大器 【DOI】:CNKI:SUN:GXXB.0.2010-03-037 【正文快照】:1引言单片光电集成(OEIC)利用微电子和光电子技术,将光电器件和电器件集成在同一半导体衬底上。通过减小器件间的互联参数最大限度地消除了寄生参量的影响,使器件的性能和可靠性得到了显著的提高〔‘一3〕。具有体积小、成本低和可靠性高等优点,778光学学报30卷在大容量光纤 |
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