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复杂繁琐的芯片设计流程
芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍)。然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?下面来对IC 设计做介绍。 在IC 生产流程中,IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的IC 芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计,所以IC 设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值。然而,工程师们在设计一颗IC 芯片时,究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。 设计第一步,订定目标在IC设计中,最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前,先决定要几间房间、浴室,有什么建筑法规需要遵守,在确定好所有的功能之后在进行设计,这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC 设计也需要经过类似的步骤,才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC 的目的、效能为何,对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合,像无线网卡的芯片就需要符合IEEE 802.11 等规範,不然,这芯片将无法和市面上的产品相容,使它无法和其他设备连线。最后则是确立这颗IC 的实作方法,将不同功能分配成不同的单元,并确立不同单元间连结的方法,如此便完成规格的制定。 设计完规格后,接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画,将整体轮廓描绘出来,方便后续制图。在IC芯片中,便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等,藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改,直到它满足期望的功能为止。 有了电脑,事情都变得容易有了完整规画后,接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中,逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code,放入电子设计自动化工具(EDA tool),让电脑将HDLcode转换成逻辑电路,产生如下的电路图。之后,反覆的确定此逻辑闸设计图是否符合规格并修改,直到功能正确为止。 最后,将合成完的程式码再放入另一套EDA tool,进行电路布局与绕线(Place And Route)。在经过不断的检测后,便会形成如下的电路图。图中可以看到蓝、红、绿、黄等不同颜色,每种不同的颜色就代表着一张光罩。至于光罩究竟要如何运用呢? 层层光罩,叠起一颗芯片首先,目前已经知道一颗IC 会产生多张的光罩,这些光罩有上下层的分别,每层有各自的任务。下图为简单的光罩例子,以积体电路中最基本的元件CMOS 为範例,CMOS 全名为互补式金属氧化物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor),也就是将 NMOS 和 PMOS 两者做结合,形成 CMOS。至于什么是金属氧化物半导体(MOS)?这种在芯片中广泛使用的元件比较难说明,一般读者也较难弄清,在这裡就不多加细究。 下图中,左边就是经过电路布局与绕线后形成的电路图,在前面已经知道每种颜色便代表一张光罩。右边则是将每张光罩摊开的样子。制作是,便由底层开始,依循上一篇IC 芯片的制造中所提的方法,逐层制作,最后便会产生期望的芯片了。 至此,对于IC 设计应该有初步的了解,整体看来就很清楚IC 设计是一门非常复杂的专业,也多亏了电脑辅助软体的成熟,让IC 设计得以加速。IC 设计厂十分依赖工程师的智慧,这裡所述的每个步骤都有其专门的知识,皆可独立成多门专业的课程,像是撰写硬体描述语言就不单纯的只需要熟悉程式语言,还需要了解逻辑电路是如何运作、如何将所需的演算法转换成程式、合成软体是如何将程式转换成逻辑闸等问题。 什么是晶圆?在半导体的新闻中,总是会提到以尺寸标示的晶圆厂,如8 寸或是12 寸晶圆厂,然而,所谓的晶圆到底是什么东西?其中8 寸指的是什么部分?要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢?以下将逐步介绍半导体最重要的基础——「晶圆」到底是什么。 晶圆(wafer),是制造各式电脑芯片的基础。我们可以将芯片制造比拟成用乐高积木盖房子,藉由一层又一层的堆叠,完成自己期望的造型(也就是各式芯片)。然而,如果没有良好的地基,盖出来的房子就会歪来歪去,不合自己所意,为了做出完美的房子,便需要一个平稳的基板。对芯片制造来说,这个基板就是接下来将描述的晶圆。 首先,先回想一下小时候在玩乐高积木时,积木的表面都会有一个一个小小圆型的凸出物,藉由这个构造,我们可将两块积木稳固的叠在一起,且不需使用胶水。芯片制造,也是以类似这样的方式,将后续添加的原子和基板固定在一起。因此,我们需要寻找表面整齐的基板,以满足后续制造所需的条件。 在固体材料中,有一种特殊的晶体结构──单晶(Monocrystalline)。它具有原子一个接着一个紧密排列在一起的特性,可以形成一个平整的原子表层。因此,采用单晶做成晶圆,便可以满足以上的需求。然而,该如何产生这样的材料呢,主要有二个步骤,分别为纯化以及拉晶,之后便能完成这样的材料。 如何制造单晶的晶圆纯化分成两个阶段,第一步是冶金级纯化,此一过程主要是加入碳,以氧化还原的方式,将氧化硅转换成98% 以上纯度的硅。大部份的金属提炼,像是铁或铜等金属,皆是采用这样的方式获得足够纯度的金属。但是,98% 对于芯片制造来说依旧不够,仍需要进一步提升。因此,将再进一步采用西门子制程(Siemens process)作纯化,如此,将获得半导体制程所需的高纯度多晶硅。 接着,就是拉晶的步骤。首先,将前面所获得的高纯度多晶硅融化,形成液态的硅。之后,以单晶的硅种(seed)和液体表面接触,一边旋转一边缓慢的向上拉起。至于为何需要单晶的硅种,是因为硅原子排列就和人排队一样,会需要排头让后来的人该如何正确的排列,硅种便是重要的排头,让后来的原子知道该如何排队。最后,待离开液面的硅原子凝固后,排列整齐的单晶硅柱便完成了。 然而,8寸、12寸又代表什么东西呢?他指的是我们产生的晶柱,长得像铅笔笔桿的部分,表面经过处理并切成薄圆片后的直径。至于制造大尺寸晶圆又有什么难度呢?如前面所说,晶柱的制作过程就像是在做棉花糖一样,一边旋转一边成型。有制作过棉花糖的话,应该都知道要做出大而且扎实的棉花糖是相当困难的,而拉晶的过程也是一样,旋转拉起的速度以及温度的控制都会影响到晶柱的品质。也因此,尺寸愈大时,拉晶对速度与温度的要求就更高,因此要做出高品质12 寸晶圆的难度就比8 寸晶圆还来得高。 只是,一整条的硅柱并无法做成芯片制造的基板,为了产生一片一片的硅晶圆,接着需要以钻石刀将硅晶柱横向切成圆片,圆片再经由抛光便可形成芯片制造所需的硅晶圆。经过这么多步骤,芯片基板的制造便大功告成,下一步便是堆叠房子的步骤,也就是芯片制造。至于该如何制作芯片呢? 层层堆叠打造的芯片在介绍过硅晶圆是什么东西后,同时,也知道制造IC 芯片就像是用乐高积木盖房子一样,藉由一层又一层的堆叠,创造自己所期望的造型。然而,盖房子有相当多的步骤,IC 制造也是一样,制造IC 究竟有哪些步骤?本文将就IC 芯片制造的流程做介绍。 在开始前,我们要先认识IC 芯片是什么。IC,全名积体电路(Integrated Circuit),由它的命名可知它是将设计好的电路,以堆叠的方式组合起来。藉由这个方法,我们可以减少连接电路时所需耗费的面积。下图为IC 电路的3D 图,从图中可以看出它的结构就像房子的樑和柱,一层一层堆叠,这也就是为何会将IC 制造比拟成盖房子。 从上图中IC 芯片的3D 剖面图来看,底部深蓝色的部分就是上一篇介绍的晶圆,从这张图可以更明确的知道,晶圆基板在芯片中扮演的角色是何等重要。至于红色以及土黄色的部分,则是于 IC 制作时要完成的地方。 首先,在这裡可以将红色的部分比拟成高楼中的一楼大厅。一楼大厅,是一栋房子的门户,出入都由这裡,在掌握交通下通常会有较多的机能性。因此,和其他楼层相比,在兴建时会比较复杂,需要较多的步骤。在IC 电路中,这个大厅就是逻辑闸层,它是整颗IC 中最重要的部分,藉由将多种逻辑闸组合在一起,完成功能齐全的IC 芯片。 黄色的部分,则像是一般的楼层。和一楼相比,不会有太复杂的构造,而且每层楼在兴建时也不会有太多变化。这一层的目的,是将红色部分的逻辑闸相连在一起。之所以需要这么多层,是因为有太多线路要连结在一起,在单层无法容纳所有的线路下,就要多叠几层来达成这个目标了。在这之中,不同层的线路会上下相连以满足接线的需求。 分层施工,逐层架构知道IC 的构造后,接下来要介绍该如何制作。试想一下,如果要以油漆喷罐做精细作图时,我们需先割出图形的遮盖板,盖在纸上。接着再将油漆均匀地喷在纸上,待油漆乾后,再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后,便可完成整齐且复杂的图形。制造IC 就是以类似的方式,藉由遮盖的方式一层一层的堆叠起来。 制作 IC 时,可以简单分成以上4 种步骤。虽然实际制造时,制造的步骤会有差异,使用的材料也有所不同,但是大体上皆采用类似的原理。这个流程和油漆作画有些许不同,IC 制造是先涂料再加做遮盖,油漆作画则是先遮盖再作画。以下将介绍各流程。 金属溅镀:将欲使用的金属材料均匀洒在晶圆片上,形成一薄膜。 最后便会在一整片晶圆上完成很多IC 芯片,接下来只要将完成的方形IC 芯片剪下,便可送到封装厂做封装,至于封装厂是什么东西?就要待之后再做说明。 纳米制程是什么?三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热,彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单,几乎成了14 纳米与16 纳米之争,然而14 纳米与16 纳米这两个数字的究竟意义为何,指的又是哪个部位?而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题?以下我们将就纳米制程做简单的说明。 纳米到底有多细微?在开始之前,要先了解纳米究竟是什么意思。在数学上,纳米是0.000000001 公尺,但这是个相当差的例子,毕竟我们只看得到小数点后有很多个零,却没有实际的感觉。如果以指甲厚度做比较的话,或许会比较明显。 用尺规实际测量的话可以得知指甲的厚度约为0.0001 公尺(0.1 毫米),也就是说试着把一片指甲的侧面切成10 万条线,每条线就约等同于1 纳米,由此可略为想像得到 1 纳米是何等的微小了。 知道纳米有多小之后,还要理解缩小制程的用意,缩小电晶体的最主要目的,就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体,让芯片不会因技术提升而变得更大;其次,可以增加处理器的运算效率;再者,减少体积也可以降低耗电量;最后,芯片体积缩小后,更容易塞入行动装置中,满足未来轻薄化的需求。 再回来探究纳米制程是什么,以14 纳米为例,其制程是指在芯片中,线最小可以做到14 纳米的尺寸,下图为传统电晶体的长相,以此作为例子。缩小电晶体的最主要目的就是为了要减少耗电量,然而要缩小哪个部分才能达到这个目的?左下图中的L 就是我们期望缩小的部分。藉由缩小闸极长度,电流可以用更短的路径从 Drain 端到 Source 端(有兴趣的话可以利用Google 以MOSFET 搜寻,会有更详细的解释)。 尺寸缩小有其物理限制不过,制程并不能无限制的缩小,当我们将电晶体缩小到 20 纳米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让电晶体有漏电的现象,抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式,就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念,如右上图。在 Intel 以前所做的解释中,可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象。 33.jpg[size=1em]806x325 43.4 KB 最后,则是为什么会有人说各大厂进入10 纳米制程将面临相当严峻的挑战,主因是1 颗原子的大小大约为0.1 纳米,在10 纳米的情况下,一条线只有不到100 颗原子,在制作上相当困难,而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,就会产生不知名的现象,影响产品的良率。 如果无法想像这个难度,可以做个小实验。在桌上用 100 个小珠子排成一个10×10 的正方形,并且剪裁一张纸盖在珠子上,接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,最后使他形成一个10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达成这个目标究竟是多么艰巨。 随着三星以及台积电在近期将完成 14 纳米、16 纳米FinFET 的量产,两者都想争夺 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工,我们将看到相当精彩的商业竞争,同时也将获得更加省电、轻薄的手机,要感谢摩尔定律所带来的好处呢。 告诉你什么是封装经过漫长的流程,从设计到制造,终于获得一颗 IC 芯片了。然而一颗芯片相当小且薄,如果不在外施加保护,会被轻易的刮伤损坏。此外,因为芯片的尺寸微小,如果不用一个较大尺寸的外壳,将不易以人工安置在电路板上。因此,本文接下来要针对封装加以描述介绍。 目前常见的封装有两种,一种是电动玩具内常见的,黑色长得像蜈蚣的DIP 封装,另一为购买盒装 CPU 时常见的 BGA 封装。至于其他的封装法,还有早期CPU 使用的PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版QFP(塑料方形扁平封装)等。因为有太多种封装法,以下将对 DIP 以及 BGA 封装做介绍。 传统封装,历久不衰首先要介绍的是双排直立式封装(Dual Inline Package;DIP),从下图可以看到采用此封装的IC 芯片在双排接脚下,看起来会像条黑色蜈蚣,让人印象深刻,此封装法为最早采用的IC 封装技术,具有成本低廉的优势,适合小型且不需接太多线的芯片。但是,因为大多采用的是塑料,散热效果较差,无法满足现行高速芯片的要求。因此,使用此封装的,大多是历久不衰的芯片,如下图中的OP741,或是对运作速度没那么要求且芯片较小、接孔较少的IC 芯片。 至于球格阵列(Ball Grid Array,BGA)封装,和DIP 相比封装体积较小,可轻易的放入体积较小的装置中。此外,因为接脚位在芯片下方,和DIP 相比,可容纳更多的金属接脚 相当适合需要较多接点的芯片。然而,采用这种封装法成本较高且连接的方法较复杂,因此大多用在高单价的产品上。 行动装置兴起,新技术跃上舞台然而,使用以上这些封装法,会耗费掉相当大的体积。像现在的行动装置、穿戴装置等,需要相当多种元件,如果各个元件都独立封装,组合起来将耗费非常大的空间,因此目前有两种方法,可满足缩小体积的要求,分别为 SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)。 在智慧型手机刚兴起时,在各大财经杂誌上皆可发现SoC 这个名词,然而SoC 究竟是什么东西?简单来说,就是将原本不同功能的IC,整合在一颗芯片中。藉由这个方法,不单可以缩小体积,还可以缩小不同IC 间的距离,提升芯片的计算速度。至于制作方法,便是在IC 设计阶段时,将各个不同的IC 放在一起,再透过先前介绍的设计流程,制作成一张光罩。 然而,SoC 并非只有优点,要设计一颗SoC 需要相当多的技术配合。IC 芯片各自封装时,各有封装外部保护,且IC 与IC 间的距离较远,比较不会发生交互干扰的情形。但是,当将所有IC 都包装在一起时,就是噩梦的开始。IC 设计厂要从原先的单纯设计IC,变成了解并整合各个功能的IC,增加工程师的工作量。此外,也会遇到很多的状况,像是通讯芯片的高频讯号可能会影响其他功能的 IC 等情形。 此外,SoC 还需要获得其他厂商的IP(intellectual property)授权,才能将别人设计好的元件放到SoC 中。因为制作SoC 需要获得整颗IC 的设计细节,才能做成完整的光罩,这同时也增加了SoC 的设计成本。或许会有人质疑何不自己设计一颗就好了呢?因为设计各种IC 需要大量和该IC 相关的知识,只有像Apple 这样多金的企业,才有预算能从各知名企业挖角顶尖工程师,以设计一颗全新的IC,透过合作授权还是比自行研发划算多了。 折衷方案,SiP 现身作为替代方案,SiP 跃上整合芯片的舞台。和SoC 不同,它是购买各家的IC,在最后一次封装这些IC,如此便少了IP 授权这一步,大幅减少设计成本。此外,因为它们是各自独立的IC,彼此的干扰程度大幅下降。 Apple Watch 采用SiP 技术将整个电脑架构封装成一颗芯片,不单满足期望的效能还缩小体积,让手錶有更多的空间放电池。 采用 SiP 技术的产品,最着名的非 Apple Watch 莫属。因为Watch 的内部空间太小,它无法采用传统的技术,SoC 的设计成本又太高,SiP 成了首要之选。藉由SiP 技术,不单可缩小体积,还可拉近各个IC 间的距离,成为可行的折衷方案。下图便是Apple Watch 芯片的结构图,可以看到相当多的IC 包含在其中。 完成封装后,便要进入测试的阶段,在这个阶段便要确认封装完的 IC 是否有正常的运作,正确无误之后便可出货给组装厂,做成我们所见的电子产品。 “简化芯片设计 软件定义硬件”,无论我们承不承认,SDH是集成电路发展的未来,特别是摩尔定律穷途末路的今天,ARM+FPGA无法打破快速可重构的牢笼,唯速度论没有错,成败的临界有时就是时间,是时候从FPGA的LUT中抽离出来,寻找一些新鲜的东西,深度学习不止是AlphaGo的昙花一现,在有限的芯片面积上实现无限的电路算法,动态可重构才是IC设计的未来。 |
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