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本帖最后由 B_HONE 于 2017-11-1 13:50 编辑
手册上写了这是CMOS输入端，阈值电压为1/2VDD，可以由TTL或者CMOS电平时钟直接输入，或者通过交流耦合方式输入。所以上面的电容是交流耦合用。51欧姆电阻作为阻抗匹配用，对应高速时钟信号的输出及传输线阻抗。 我没仔细看手册，大概这个脚就是做参考时钟使用吧。 补充内容 (2017-11-1 16:19): 关于取值的话，一直是个比较模糊的概念。 有个经验公式：电容量（pF） = 10/信号频率 得出来的结果可以大于该值。 而见过的一些电路中，1G至3G的用100pF，1M至1G有用1000p，1M以下的用10nF或100nF电容 感觉都比较靠经验，如果电容过小会有衰减，此时就要往大的更换 如果电容过大，就会导致信号上沿时间增大，甚至波形严重失真，此时就要往小的更换
最佳答案
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补个图
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耦合或者滤波 看一下IC的资料
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B_HONE 发表于 2017-11-1 10:39 第一个电容是交流耦合，电阻是阻抗匹配，第二个电容有什么作用呢？ |
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我的观点是，两个都是交流耦合，第二个还有一个作用，是因为容易从51欧姆那里引入噪声，所以加多一个小电容滤除。欢迎指正 |
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