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Nand Flash引脚(Pin)的说明

2018-6-12 10:13:36 8285 NAND

0 [url=][img=110,30][/img][/url] 图3.Nand Flash引脚功能说明上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下： 1. I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令，输出数据 2. CLE：Command Latch Enable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能 3. ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能 4. CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先选中此芯片，才能操作 5. RE#：Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。 6. WE#：Write Enable，写使能,在写取数据之前，要先使WE＃有效。 7. WP#：Write Protect，写保护 8. R/B#:Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成. 9. Vcc：Power，电源 10. Vss：Ground，接地 11. N.C：Non-Connection,未定义，未连接。 [小常识] 在数据手册中，你常会看到，对于一个引脚定义，有些字母上面带一横杠的，那是说明此引脚/信号是低电平有效，比如你上面看到的RE头上有个横线，就是说明，此RE是低电平有效，此外，为了书写方便，在字母后面加“＃”，也是表示低电平有效，比如我上面写的CE＃；如果字母头上啥都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。【为何需要ALE和CLE】突然想明白了，Nand Flash中,为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂的原因了: 比如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因为，Nand Flash就8个I/O，而且是复用的，也就是，可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，为了区分你当前传入的到底是啥，所以，先要用发一个CLE（或ALE）命令，告诉nand Flash的控制器一声，我下面要传的是命令（或地址），这样，里面才能根据传入的内容，进行对应的动作。否则,nand flash内部,怎么知道你传入的是数据,还是地址,还是命令啊,也就无法实现正确的操作了. 【Nand Flash只有8个I/O引脚的好处】 1. 减少外围引脚：相对于并口(Parellel)的Nor Flash的48或52个引脚来说，的确是大大减小了引脚数目，这样封装后的芯片体积，就小很多。现在芯片在向体积更小，功能更强，功耗更低发展，减小芯片体积，就是很大的优势。同时，减少芯片接口，也意味着使用此芯片的相关的外围电路会更简化，避免了繁琐的硬件连线。 2. 提高系统的可扩展性，因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚，在芯片内部换了芯片的大小等的改动，对于用全部的地址addr的引脚，那么就会引起这些引脚数目的增加，比如容量扩大一倍，地址空间/寻址空间扩大一倍，所以，地址线数目/addr引脚数目，就要多加一个，而对于统一用8个I/O的引脚的Nand Flash，由于对外提供的都是统一的8个引脚，内部的芯片大小的变化或者其他的变化，对于外部使用者(比如编写nand flash驱动的人)来说，不需要关心，只是保证新的芯片，还是遵循同样的接口，同样的时序，同样的命令，就可以了。这样就提高了系统的扩展性。【Nand flash的一些典型(typical)特性】 1.页擦除时间是200us，有些慢的有800us。 2.块擦除时间是1.5ms. 3.页数据读取到数据寄存器的时间一般是20us。 4.串行访问（Serial access）读取一个数据的时间是25ns，而一些旧的nand flash是30ns，甚至是50ns。 5.输入输出端口是地址和数据以及命令一起multiplex复用的。 6.以前老的Nand Flash，编程/擦除时间比较短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而后来很多nand flash的编程/擦除的寿命，最多允许的次数，达到了10K次，也就是1万次，现在很多新的nand flash，技术提高了，比如，ATO的AFND1G08U3都可以达到100K，也就是10万次的编程/擦除。和之前常见的Nor Flash达到同样的使用寿命了。 7.48引脚的TSOP1封装或 48引脚的FBGA封装 0 TTT.png (449.26 KB, 下载次数: 5)
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