晶体管的主要参数

2018-6-13 09:12:21 2790

0 (1) 电流放大系数β和hFEβ是晶体管的交流放大系数，表示晶体管对交流（变化）信号的电流放大能力。β等于集电极电流IC的变化量△IC与基极电流IB的变化量△IB两者之比，即β=△IC/△IBhFE是晶体管的直流电流放大系数，是指在静态（无变化信号输入）情况下，晶体管IC与IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情况下β和hFE较为接近,也可相等，但两者含义是有明显区别的，而且在许多场合β并不等同hFE，甚至相差很大，所以不要将其混淆。β和hFE大小除了与晶体管结构和工艺等有关外，还与管子的工作电流（直流偏置）有关，工作电流IC在正常情况下改变时，β和hFE也会有所变化；若工作电流变得过小或过大，则β和hFE也将明显变小。 (2) 集电极最大电流ICM 晶体管集电极允许通过的最大电流即为ICM。需指出的是，IC大于ICM时晶体管不一定会被烧坏，但β等参数将发生明显变化，会影响晶体管正常工作，故IC一般不能超出ICM。 (3) 集电极最大允许功耗PCM PCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是晶体管烧坏的主要原因。 (4) 集电极--发射极击穿电压BVCEO BVCM是指晶体管基极开路时，允许加在集电极和发射极之间的最高电压。通常情况下集电极、发射极电压不能超出BVCEO，否则会引起晶体管击穿或使其特性变坏。 (5) 集电极--发射极反向电流ICEO ICEO是指晶体管基极开路时，集电极、发射极间的反向电流，也称穿透电流。ICEO越小越好，现在应用较多的硅晶体管，其ICEO都很小，在1A以下，故稳定性较好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作为主要参数。 (6) 集电极反向电流ICBO ICBO是指晶体管发射极开路时的集电极反向电流。晶体管的ICEO约为ICBO的β倍，故ICEO要明显大于ICBO。 (7) 特征频率FT FT越高，晶体管的高频性能越好，也就是可工作的频率越高。 0
2018-6-13 09:12:21　　评论淘帖0 举报相关推荐 • [原创]晶体管的主要参数 2838 • 晶体管的主要参数 823 • 晶体管的主要参数有哪些 1088 • 晶体管主要参数 10987 • 晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？ 2774 • 单结晶体管的主要参数及特征相关资料分享 983 • 晶体管的主要参数与晶体管的开关特效 5752 • 什么是晶体管晶体管的分类及主要参数 1145 • 电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些? 2898 • 单结晶体管的特性/主要参数 1836