T1G2028536-FL GaAs pHEMT

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T1G2028536-FL GaAs pHEMT产品介绍

T1G2028536-FL报价T1G2028536-FL代理T1G2028536-FL咨询热线T1G2028536-FL是一个285 W（P3dB）离散的SiC HEMT上的GaN，其工作范围从DC到2 GHz。该装置是用Trim奎的证明构建的。具有先进领域的TQGAN25HV工艺极板技术优化高功率效率漏极偏置工作条件。这种优化可以在较低的放大器方面潜在地降低系统成本排队和热管理成本较低。

产品型号: T1G2028536-FL

产品名称：GaAs pHEMT

T1G2028536-FL产品特性

频率：直流到2 GHz

输出功率（P3dB）：1.2 GHz时为260瓦

线性增益：1.2千兆赫时18分贝

工作电压：36伏

低热阻封装

T1G2028536-FL产品详情

T1G2028536-FL是一个285 W（P3dB）离散的SiC HEMT上的GaN，其工作范围从DC到2 GHz。

该装置是用Trim奎的证明构建的。具有先进领域的TQGAN25HV工艺极板技术优化高功率效率漏极偏置工作条件。这种优化可以在较低的放大器方面潜在地降低系统成本排队和热管理成本较低。

T1G2028536-FL产品应用

军用雷达

民用雷达

专业和军事无线电通信

测试仪器

宽带或窄带放大器

GPS通信

航空电子设备

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