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芯片去层(Delayer)
交互使用各种不同处理方式(离子蚀刻 / 化学药液蚀刻 / 机械研磨),使芯片本身多层结构((Passivation, Metal, IDL)可一层一层去除,也就是芯片去层(Delayer)。透过芯片研磨(Polishing)与去层(Delayer)可逐层检视是否有缺陷,并可提供后续实验,清楚解析出每一层电路布线结构。 以干、湿蚀刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal层做逆向分析,在以光学显微镜(50x~1500x)或电子显微镜拍摄(更大倍率),检视是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等异常,且可利用电子显微镜做VC对照参考,判断二次电子产生的亮暗异常。 逆向去层分析(Delayer)
iST始创于1994年的***,主要以提供集成电路行业可靠性验证、材料分析、失效分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海,全球现已有7座实验室12个服务据点,目前已然成为深具影响力之芯片验证的第三方实验室。 |
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