小间距QFN封装PCB设计串扰抑制问题分析与优化

一、引言
随着电路设计高速高密的发展趋势，QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题，为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析，为此类设计提供参考。
二、问题分析
在PCB设计中，QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装，需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图一是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。


图二是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计：


差分线走线线宽/线距为：8/10, 走线距离参考层7mil，板材为FR4.


从上述设计我们可以看出，在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当，会使差分 对间的串扰增大。
图四是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果，图中D1~D6是差分端口。


从仿真结果可以看出，即使在并行走线较短的情况下，差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB，在10GHz达到了-32dB，远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言，需要对此处的串扰进行优化，将串扰控制到-40dB以下。
三、优化方案分析
对于PCB设计来说，比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线，增加差分对间的走线间距，并减小差分对之间的并行走线距离。
图五是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例：


图六是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果：


从优化后的仿真结果可以看出，使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。

	2.5G	5G	10G	15G
原设计	38.874	34.704	31.883	29.818
紧耦合	44.452	41.657	37.416	34.624
优化结果	5.578	6.953	5.533	4.806

	2.5G	5G	10G	15G
原设计	61.341	53.137	45.932	40.465
紧耦合	59.667	56.697	47.643	46.359
优化结果	-1.674	3.56	1.711	5.894

除了在布线时拉开差分对之间的间距并减小并行距离之外，我们还可以调整差分线走线层和参考平面的距离来抑制串扰。距离参考层越近，越有利于抑制串扰。在采用紧耦合走线方式的基础上，我们将TOP层与其参考层之间的距离由7mil调整到4mil。


根据上述优化进行仿真，仿真结果如下图：


值得注意的是，当我们调整了走线与参考平面的距离之后，差分线的阻抗也随之发生变化，需要调整差分走线满足目标阻抗的要求。芯片的SMT焊盘距离参考平面距离变小之后阻抗也会变低，需要在SMT焊盘的参考平面上进行挖空处理来优化SMT焊盘的阻抗。具体挖空的尺寸需要根据叠层情况进行仿真来确定。


从仿真结果可以看出，调整走线与参考平面的距离后，使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小8.8~12.3dB。远端串扰在0~20G范围内减小了2.8~9.3dB。

	2.5G	5G	10G	15G
原设计	38.874	34.704	31.883	29.818
紧耦合	44.452	41.657	37.416	34.624
紧耦合+减小与参考面距离	51.222	46.767	41.878	38.624
最终优化结果	12.348	12.063	9.995	8.806

	2.5G	5G	10G	15G
原设计	61.341	53.137	45.932	40.465
紧耦合	59.667	56.697	47.643	46.359
紧耦合+减小与参考面距离	64.141	59.44	52.017	49.796
最终优化结果	2.8	6.303	6.085	9.331

四、结论
通过仿真优化我们可以将由小间距QFN封装在PCB上引起的近端差分串扰减小8~12dB，远端串扰减小3~9dB,为高速数据传输通道提供更多裕量。本文涉及的串扰抑制方法可以在制定PCB布线规则和叠层时综合考虑，在PCB设计初期避免由小间距QFN封装带来的串扰风险。
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