[问答]

双库读写时是否在STM32L071中正常工作？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我正在尝试重新编程NVM（闪存库2），同时从STM32L071CB微控制器中的闪存库1运行代码。正如AN4808和AN4767所述，“存储器接口能够并行读取两个存储体，或者在写入另一个存储体时读取一个存储体 ......”，但我遇到了一些问题：调试显示闪存库2半页写入操作期间闪存状态寄存器中的FWWERR位变为高电平。这意味着由于代码获取，写入闪存库2已被停止。通过库1中的代码擦除库2可正常工作。库1中的代码通过单词bank2写入似乎正常工作（但我怀疑它是否只是巧合）。半页写入以FLASH_SR中设置的FWWERR位结束，并且我正在尝试写入的内存中为零。我知道我错过了一些东西，但我找不到它是什么。也许有人有类似的问题？我开始认为微控制器有问题（勘误表指出了双库切换机制的一些问题，但在我的情况下它应该不是问题，因为我现在没有切换银行）。从RAM内存执行时，我的功能正常工作，但我宁愿它从闪存库1运行。下面的函数（1）负责写半页。代码（2）显示了我正在调用的方式（2）。（1） void nvm_prog_write_halfpages(uint32_t* addr, uint32_t* data, uint32_t length){ // There can't be any previous alignment errors in the flash SR if ((FLASH->SR & FLASH_SR_PGAERR_Msk) == FLASH_SR_PGAERR){ FLASH->SR = FLASH_SR_PGAERR; // clear any previous alignment errors } // Check if any operation was stopped previously due to code fetching if ((FLASH->SR & FLASH_SR_FWWERR_Msk) == FLASH_SR_FWWERR){ FLASH->SR = FLASH_SR_FWWERR; // clear any previous fetch related errors } nvm_prog_unlock(); FLASH->PECR \|= FLASH_PECR_PROG \| FLASH_PECR_FPRG; uint32_t cnt = 0; while (length > 0){ addr = data; // Destination address will be increased by the hardware automatically data++; cnt++; // When a half-page has been written if (cnt == 16){ while ((FLASH->SR & FLASH_SR_BSY_Msk) == FLASH_SR_BSY) ; cnt = 0; addr += 16; // Write the next half-page length--; } } FLASH->PECR &= ~(FLASH_PECR_PROG \| FLASH_PECR_FPRG); nvm_prog_lock(); } 复制代码（2） nvm_prog_erase_page((uint32_t ) 0x08010000); // Erase flash bank 2; it starts at 0x08010000 uint32_t dummydata[32], i; for (i=0; i<32; i++){ dummydata[i] = i; } nvm_prog_write_halfpages((uint32_t ) 0x08010000, &dummydata[0], 2); // Write 2 half-pages at the beginning of flash bank 2 复制代码 0
2018-9-29 13:59:36　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × richthoffen 该类别下有 182 个回答。邀请回答 7vyydyfwef 该类别下有 57 个回答。邀请回答我是卖报的小男孩该类别下有 32 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答 chenbingjy 该类别下有 31 个回答。邀请回答谦谦三君子该类别下有 27 个回答。邀请回答短短该类别下有 25 个回答。邀请回答 dingyang598 该类别下有 22 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答 nvuuweew 该类别下有 22 个回答。邀请回答 YY599566 该类别下有 22 个回答。邀请回答 60user16 该类别下有 19 个回答。邀请回答 hapyy 该类别下有 19 个回答。邀请回答 h1654155957.9572 该类别下有 19 个回答。邀请回答 DerSohn 该类别下有 18 个回答。邀请回答 huhu12 该类别下有 18 个回答。邀请回答 HEHELA 该类别下有 18 个回答。邀请回答天地直方该类别下有 15 个回答。邀请回答 dull20112011 该类别下有 15 个回答。邀请回答陈军该类别下有 15 个回答。邀请回答 csz9981 该类别下有 15 个回答。邀请回答 UserMen 该类别下有 14 个回答。邀请回答举报张娟相关推荐 • STM32L071 VDD为2.5时无法工作 2111 • 请问STM32L071有标准库开发吗？ 2843 • 求STM32L071寄存器手册 3401 • 即使在进入引导加载程序模式后，也无法使用USART刷新STM32L071板要怎么处理？ 218 • 如何实现ST95HF / STM32L071点对点连接？ 3316 • STM32L071串口与BC260Y模块通讯异常 6618 • 为什么STM32L071RBT6 NRST复位时还可以用IAR SWD烧程序？ 148 • 在STM32L071CB MCU中读取/写入内部闪存而无需使用HAL库吗 211 • 有没有人设法在定制板上获得与STM32WLE5CB一起使用的P2P模板呢？ 301 • 请问STM32L051和071系列，哪款芯片比较常用？采购供货考虑 3687 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 确保调试器在编程时不读取闪存内容。不要执行编程序列，使用断点。

2018-9-29 14:00:00 评论举报王伟

答案对人有帮助，有参考价值 0 Read-While-Write在多编程操作的情况下有一些限制。请参阅RM0377§3.3.4写入/擦除NVM - 闪存程序存储器页面82中的程序半页：当半页操作开始时，存储器接口等待16个地址/数据，中止（带有硬故障）所有不是读取的读取访问（参见Fetch和prefetch）。提取将停止半页操作。存储器内容保持不变，FWWERR错误在FLASH_SR寄存器中设置。这意味着闪存中不允许获取操作，同时向存储器接口提供16个字（无论代码在存储区1中运行，还是在存储区2中执行半页编程）。一旦将16个字发送到存储器接口，您就可以从闪存恢复执行，即在闪存库内物理写入数据期间（假设您的代码在另一个存储区中运行）。简而言之，您需要从SRAM执行存储器接口的16个字的输入，并确保中断不会导致闪存中的取指（屏蔽所有中断或重新定位中断处理程序并中断SRAM中的向量）。注意：单编程操作不存在此限制。

2018-9-29 14:00:23 评论举报刘涛