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我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。
但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？ 另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？ 
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6个回答
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如果漏源电阻真的达到毫欧姆数量级，就已经进入开关方式（或丁类）的导通状态了，已经不是线性放大状态了。
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应用手册中的RDS是指饱和后的电阻，不是线性区的。
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MOS管手册上都有一个Vgs/Id的图，上面确定Vds=一个值，例如30V， 根据曲线你可以算出不同的Vgs下不同的电阻
手册上的几毫欧的电阻都是在Vgs>10V以上测量的，例如3315在Vgs=4v 是电阻是25欧，Vgs=10v 是电阻是0.082欧 |
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因为功耗 P=UI, 饱和：U=0 所以P=0 （理想) 截止：I=0， 所以P=0.
线性：***大， mos管就会烧掉。 |
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导通后就是饱和区，不是放大区。
放大区有近似横流特性，而饱和区基本上是很小的电阻的特性。 饱和后，功率=电流的平方×导通电阻 PWM频率与饱和与否无关，除非频率非常高，Vgs来不及让开关干脆。但另一方面，驱动有电容隔直的话，那有可能频率太低时驱动不利，后期退出饱和，可以造成频率低反而发热的情况。 |
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告诉你一个很容易中的陷阱：MOS管门极输入阻抗很高，但是驱动电路要有足够的输出功率，输出阻抗要小：主要是结电容大，频率越高，驱动电流越大！
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