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关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。 在网上有看到大概两种说法： 1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏； 2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。 第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于MOS管电压应力部分的能量； 第二种说下自己的理解，路过的大佬帮忙看看是否正确； 先根据下图和自己电路的参数求取结温 
再根据结温与击穿电压点的关系求取Vds击穿电压
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7个回答
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任何时候不要超即可，不要妄图去利用雪崩。
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给出这个参数不是让你去利用的，更多是风险评估的意思。你非要利用的话，只能利用一次，比如去代替保险丝。
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怎么说呢...我这边的目的也是用于风险评估的吧...评估MOS管是否会在短暂的异常工作时损坏...目前也就会在短路状态全带宽下超过MOS管的电压应力
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只能利用一次的意思：一旦触发雪崩机制，下一次该参数降低，再下一次更低。雪崩就是这意思，它是一种累计破坏机制，祸不单行的意思。
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测试平台也会有差异，建议100M也不要超
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