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你好,
我的产品使用NOR Flash S25FL128S,我想实现写保护功能。 我已经将状态寄存器设置为0x14(BP0-2=0B101),并将配置寄存器设置为0x28(TbPROT=1)。 闪存行为是闪存保护地址从顶部开始,但我要从底部开始保护地址。 问题: 1。如何实现我的想法,Flash保护地址从底部开始。 2。你有我的榜样吗? 以上来自于百度翻译 以下为原文 Hi, my product use nor flash S25FL128S , I want to implement the write protect fucntion. I already setted the status register to 0x14 (BP0-2 = 0b101), and setted configuration register to 0x28 (TBPROT = 1). The flash behave is flash be protected the address start from the top, but I want protected address start from the bottom. Question: 1. How can i implement my idea, flash be protected the address start from the bottom. 2. you have example to me? |
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1个回答
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你好,
请澄清下面的疑问。 你能提供你所用的全部号码吗?你是否在观察其他设备的问题?如果可能的话,发送显示零件标记的设备的图像。 在执行任何程序或擦除操作后,您是否已编程TBPROT位? TBPRT不能在主闪存阵列完成编程或擦除之后进行编程。 谢谢, Krishna。 以上来自于百度翻译 以下为原文 Hi, Please clarify the below queries.. Can you please provide the full part number which you are using. Are you observing the same issue with any other device ? If possible send the image of the device showing the part marking. did you program TBPROT bit after performing any program or erase operation ? TBPROT must not be programmed after programming or erasing is done in the main flash array. Thanks, Krishna. |
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