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自制的8168板子，现在到了烧写u-boot的环节，启动方式设置成SD卡启动，插入SD卡串口无输出信息，于是通过CCS烧写U-boot到NAND；
环境： CCSV5.5； 仿真器XDS560v2； 烧写工具： DVRRDK中的nand-flash-writer.out，CCS编译通过； 板子DDR3已通过BSL代码的测试，并作了SW leveling； *************************************************************************************** 调试过程： ①导入evm8168.gel文件(DDR3工作于796MHz ) ②DVRRDK中编译得到u-boot.noxip.bin ③CCS启动，连接， Load Program ，选择 nand-flash-writer.out。 ④ Resume 现在console栏中输出： Choose your operation Enter 1 ---> To Flash an Image Enter 2 ---> To ERASE the whole NAND Enter 3 ---> To EXITn 输入1，enter。 Enter image file path 输入了u-boot.noxip.bin 的路径。 offet 输入0； 然后输入选择1，选择BCH 8-bit; 问题出现，程序到这里会输出"Starting NETRA NAND writer ERROR: NAND Initialization failed. NAND flashing failed" ********************************************************************************************************************************* 请问，测试烧写NAND需要在哪里对NAND进行设置更改么？ evm8168.gel中只做了关于DDR3的设置更改， 是否还要做其他更改？ 我的烧写过程是否遗漏了别的设置？ 感谢您的回答！ 
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Chris Meng 你好，我的NADN是16位的，4G； EVM上的是8位的。 |
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Wang Bingjian， DM8168 官方EVM上的nand 是16-bit的。CCS是有源码的，建议你看看具体错误的原因。可以降低GPMC的频率，看看是否是nand读写时序的影响。 |
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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