1
完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了两款符合JEDEC对DDR1-SDRAM,DDR2-SDRAM和DDR3-SDRAM要求的终端稳压器——BD3539FVM和BD3539NUX。该芯片内置N沟道MOSFET和专门设计的高速运算放大器可以提供出色的瞬态响应。这两款芯片具有高的电流输出能力,可以提供最高1A的输出电流。它们能够满足3.3V(对于DDR2和DDR3)和5.0 V(对于DDR1,DDR2和DDR3)的电源偏置要求,可以用于驱动N沟道MOSFET。
BD3539FVM和BD3539NUX通过采用独立的参考电压输入(VDDQ)和反馈引脚(VTTS),可以提供出色的输出电压精度和JEDEC标准要求的负载调节。这两款芯片还具有DDR-SDRAM或内存控制器的参考电源输出(VREF)。它们内部集成了丰富的功能电路,包括用于终端的推挽式电源(VTT)、使能器、欠压锁定电路(UVLO)、热关断保护器(TSD)等。这两款芯片均兼容双通道(DDR1,DDR2,DDR3),输出端可使用陶瓷电容器。 BD3539FVM和BD3539NUX的终端输入电压范围为1.0V至5.5V,VCC输入电压范围为2.7V至5.5V,VDDQ基准电压范围为1.0V至2.75V。该芯片的输出电压典型值为1/2xVDDQ V。这两款芯片具有低导通电阻和低功耗的特点,高侧FET导通电阻和低侧FET导通电阻典型值均为0.35Ω,待机电流典型值为0.5mA。 BD3539FVM和BD3539NUX可以在-30°C至+100°C的宽工作温度范围内正常工作。它们具有MSOP8和VSON008X2030两种封装可选,实物如图1所示,引脚配置如图2所示。这两款芯片的典型应用电路如图3所示,主要应用于DDR 1/2/3-SDRAM电源。 图1:BD3539FVM和BD3539NUX实物图 图2:BD3539FVM和BD3539NUX引脚配置 图3:BD3539FVM和BD3539NUX典型应用电路 BD3539FVM和BD3539NUX终端稳压器的产品特性: ·终端输入电压范围:1.0V至5.5V ·VCC输入电压范围:2.7V至5.5V ·VDDQ基准电压范围:1.0V至2.75V ·输出电压典型值:1/2xVDDQ V ·输出电流最大值:1.0A ·高侧FET导通电阻典型值:0.35Ω ·低侧FET导通电阻典型值:0.35Ω ·待机电流典型值:0.5mA ·工作温度范围:-30°C至+100°C ·集成推挽式电源用于终端(VTT) ·集成参考电压电路(VREF) ·集成使能器 ·集成欠压锁定(UVLO) ·集成热关断保护器(TSD) ·兼容双通道(DDR1,DDR2,DDR3) ·输出端可用陶瓷电容器 BD3539FVM和BD3539NUX终端稳压器的应用领域: ·DDR 1/2/3-SDRAM电源 |
|
相关推荐
2个回答
|
|
不错的资料
|
|
|
|
看看了
|
|
|
|
只有小组成员才能发言,加入小组>>
7566 浏览 1 评论
3017 浏览 0 评论
2755 浏览 3 评论
2108 浏览 2 评论
1737 浏览 1 评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 德赢Vwin官网 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-12-30 23:53 , Processed in 0.561183 second(s), Total 67, Slave 61 queries .
Powered by 德赢Vwin官网 网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
德赢Vwin官网 观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
德赢Vwin官网 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号