采用TO-72封装的硅NPN RF晶体管BFX89和BFY90

硅NPN RF晶体管BFX89、BFY90，专为VHF/UHF放大器、振荡器、转换器应用

BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管采用TO-72封装方式封装。它们的实物如图1所示，专为VHF/UHF放大器，振荡器和转换器应用而设计，具有低功耗、输出增益高、输出电容低以及特征频率高等优点。

图1 BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的产品示意图

BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的相同之处：

在工作温度为25℃时，BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极导通电压的最大额定值分别为30/15/2.5V。它们的集电极持续工作电流最大额定值为25mA，集电极峰值电流在f>1.0MHz的条件下，最大额定值为50mA，功耗PD最大额定值为200mW，具有低功耗的优势，可以满足低功耗器件的设计要求。BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的结壳热阻为583°C/W，存储和工作温度范围为-65到+200℃，操作结温最高额定值为200℃，较宽的工作温度范围使其能够适应较为恶劣的工业温度环境，满足大部分应用对于环境温度的苛刻需求，保证器件的稳定性。在工作温度为25℃的条件下，BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的集电极-基极导通电流在VCB=15V条件下，最大值均为10nA。

BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的不同之处：

1）BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的直流放大系数在VCE=1.0V, IC=2.0mA的条件下，最小值分别为20/25，最大值均为150。

2）在VCE=5.0V、IC=2.0mA、f=500MHz的条件下，BFX89的特征频率典型值为1.0GHz，BFY90的特征频率最小值为1.0GHz，典型值为1.1 GHz。在VCE=5.0V、IC=25mA、f=500MHz的条件下，BFX89的特征频率典型值为1.2GHz，BFY90的特征频率最小值为1.3GHz，典型值为1.4GHz。

3）BFX89和BFY90的输出电容在VCB=10 V,IE=0, f=1.0MHz的条件下，最大值分别为1.7/1.5pF。

4）BFX89的功率增益在VCE=10V, IC=8.0mA, f=200MHz的条件下，典型值为19dB，最大值为22dB。BFY90的功率增益在VCE=10V, IC=14mA, f=200MHz的条件下，最小值为21dB，典型值为23dB。

5）BFX89和BFY90的噪声系数在VCE=5.0V, IC=2.0mA, f=800MHz的条件下，典型值分别为7.0/5.5dB。

6）BFX89的输出功率在VCE=10V, IC=8.0mA, f=205MHz的条件下，典型值为6.0mW; BFY90的输出功率在VCE=10V, IC=14mA, f=205MHz的条件下，最小值为10mW,典型值为12mW。

图2 BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的轮廓及尺寸图(1发射极，2基极, 3集电极, 4外壳)

BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的突出特点与优势
·集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极导通电压的最大额定值分别为30/15/2.5V

·存储和工作温度范围为-65到+200℃，操作结温最高额定值为200℃

·集电极-基极导通电流的最大值均为10nA(VCB=15V)

·共发射极静态电流放大系数最小值分别为20/25，最大值均为150(VCE=1.0V, IC=2.0mA)

·BFX89的特征频率典型值为1.2GHz，BFY90的特征频率最小值为1.3GHz，典型值为1.4 GHz(VCE=5.0V、IC=25mA、f=500MHz)

·BFX89的功率增益Gpe典型值为19dB，最大值为22dB(VCE=10V, IC=8.0mA, f=200MHz)

·BFY90的功率增益Gpe最小值为21dB，典型值为23dB(VCE=10V, IC=14mA, f=200MHz)

·输出电容Cob最大值分别为1.7/1.5pF(VCB=10 V,IE=0, f=1.0MHz)

·噪声系数典型值分别为7.0/5.5dB(VCE=5.0V, IC=2.0mA, f=800MHz)

BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的主要运用领域
·VHF/UHF放大器

·振荡器

·转换器

鲁玉萍 · 2019-4-8 09:59:18

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