可用作内置N沟道MOSFET的线性电源BD35395FJ-M终端稳压器

半导体

全球知名半导体厂商罗姆(ROHM)株式会社推出了一款兼容JEDEC标准的DR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器IC——BD35395FJ-M。该芯片可以用作内置N沟道MOSFET的线性电源，可以分别提供高达1A的灌电流和拉电流能力。该芯片还具有专门设计的内置高速运算放大器可提供出色的瞬态响应特性。

BD35395FJ-M终端稳压器IC需要提供3.3V或5.0V的偏置供电电压来驱动内置的N沟道MOSFET。该芯片具有独立的参考电压输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），可以维持JEDEC标准要求的电压精度，并提供优异的输出电压精度和负载调整率。它的负载调整率最大为50mV。

BD35395FJ-M终端稳压器IC具有低的高侧导通电阻和低侧导通电阻以及大负载输出电流能力。该芯片高侧和低侧导通电阻值典型值均为0.35Ω，输出电流范围为-1.0A到1.0A。它的输入电压范围为2.7V至5.5V，终端输入电压范围为1.0V至5.5V，VDDQ基准电压范围为1.0V至2.75V，待机电流典型值为0.5mA。

BD35395FJ-M终端稳压器IC采用SOP-J8封装，封装大小为4.9mm×6.0mm×1.65mm，实物如图1所示，引进配置如图2所示。该芯片的典型应用电路如图3所示，主要应用于DDR1/2/3/3L SDRAM的电源供电。

图1：BD35395FJ-M终端稳压器IC实物图

图2：BD35395FJ-M终端稳压器IC引脚配置

图3：BD35395FJ-M终端稳压器IC典型应用电路

BD35395FJ-M终端稳压器IC的产品特性：
·输入电压范围：2.7V至5.5V
·终端输入电压：1.0V至5.5V
·VDDQ基准电压：1.0V至2.75V
·输出电流：-1.0~1.0A（最大值）
·高侧导通电阻：0.35Ω（典型值）
·低侧导通电阻：0.35Ω（典型值）
·待机电流：0.5mA（典型值）
·工作温度范围：-40°C至+ 105°C
·集成用于终端的推挽式电源（VTT）
·集成启动器
·集成欠压锁定（UVLO）
·采用SOP-J8封装：4.9×6.0×1.65（mm）
·集成热关断保护器（TSD）。
·兼容双通道（DDR1，DDR2，DDR3 / DDR3L）
·集成PGOOD功能

BD35395FJ-M终端稳压器IC的应用领域：
DDR1/2/3/3L SDRAM的电源供电

王立冕 · 2019-4-28 10:23:58

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