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jfdaoisjd 发表于 2019-4-29 09:38 谢谢你的回答，能不能细讲下，MOS管参数中的上升时间，开启延时，下降时间，以及下降延时与电源芯片的关联。芯片资料中有一个Rg，还有一个RGEN，不明白当中的关系和作用。 |
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iwuwjgj 发表于 2019-4-29 09:48 MOSFET有它自身的开关参数；如果不考虑IC寄生参数；MOSFET特性与IC无关。 IC对MOSFET影响却很大，主要是IC内的驱动时序和寄生内阻等作梗。 至于Rg；是MOSFET栅外接电阻；它以限制MOSFET开关速度为己任，以达到匹配你的PCB及外围设计。 |
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jfdaoisjd 发表于 2019-4-29 09:55 请去下载TI 2001年 SEM1400里面的两篇文章看下： Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits Appendix A: Estimating MOSFET Parameters from the Data Sheet |
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fulai671 发表于 2019-4-29 10:10 对于开关电源的主功率管选择需要基于拓扑，应用和成本共同分析。 拓扑和应用环境（主要针对占空比，输入电压，负载电流等）将决定在电路中你的功率管将承受怎样的电应力和热应力。更进一步讲就是，我们在选择开关管的时候，从性能上说无非需要考虑的就是它的耐压，耐流和耐热。可以通过开关管的工作过程将其细分为将Vgs充电到Vgsth开关管开始导通，从Vgsth一直到miler区结束，从miller区结束到开关管完全导通，然后是从导通到关断的一个逆过程。这期间会包括开关损耗，导通损耗，驱动损耗以及死区时间内的损耗。不同的拓扑和工作环境（比如重载和轻载的不同），又会使得这些损耗的比例不一样。 从与芯片相关联的角度来说，可以从几个方面考虑您所关注的问题。 1）芯片的驱动能力。从一些datasheet里面可以看的指标是芯片的驱动电阻或者是驱动电流。这个主要是影响你的开关速度，而开关速度直接与开通和关断损耗挂钩。当然这又是与你所选取的MOS管中的Qg共同作用的。 2）芯片的VCC。很多芯片的VCC会直接或间接影响驱动电压。与管子联系起来就是影响在导通时候作用在Vgs上的电压，Vcc越大，Rdson就越小，这样管子的导通损耗就会相应减小。但是值得注意的时候，有些芯片的Vcc同时也会和管子的驱动损耗相关，Vcc增大，驱动损耗会增大。不过通常来说，在正常工作（考虑负载相当）的时候，驱动损耗相对于导通损耗来说可以忽略不计。 3）死区时间。往往为防止上下管直通，在芯片中会控制上下驱动脉冲间留有适当的间隔。这个死区时间主要影响的是在MOS管没有开通而由体二极管或者是外加肖特基管续流的过程中产生的电路损耗。所以一般希望在保证上下管安全工作的前提下，死区时间尽量减小。这里和管子相联系的指标是，MOS管的体二极管的正向导通压降。 在一个电路工作的时候，从管子的角度而言还需要关注的几个问题则是： 1）体二极管反向恢复过程的损耗；(与MOS管的体二极管指标相关） 2）高速率Vds变化导致的管子误开；（与MOS管的极间电容以及Vgsth等相关） 再选择管子的时候另外需要考虑的就是它的封装和散热能力，值得注意的是这个需要和你布板的有效散热面积挂钩。 以上是一个概括性的介绍，如果有进一步的问题可以联系我们，将针对您的具体电路给予相应的建议。 最后推荐您考虑TI的Next FET或者Power Block，他们具有很高的FOM（Rds_on和Qg的综合指标），在效率和可实现的工作频率上具有很高的业界竞争优势。 |
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