请教MOS管作电源控制电路时测量的波形分析

米勒效应。

把输入电压波形一起贴来看看吧。3V3那个

3V3应该出现了一点跌落，才导致输出有一个回勾

一部分是米勒效应，主要还是输出端电容的突然变大的充电。

如果是米勒效应，中间波形应该是平行的吧，为何还会下降呢，请问对于此电路如何优化啊！

这种分布参数看个大概齐就行了，精确的研究没实践意义。

输入电源3V3是正常的，有测量过的。忘记拍了！

客户现在要我们优化波形啊，如果大神有好的建议麻烦告诉下小弟。感谢！

主要还是输出端电容的突然变大的充电。您的意思是MOS管开通太快了，导致瞬间给输出电容充电电流很大吗，那有没有解决的方案啊，谢谢！

示波器x轴是2.0ms/div么？开通的一点都不快，就算是PCB设计不好这么慢的充电时间什么电容都可以忽略。

改变220nF的电容，看看反应。

嗯嗯，是的，昨天在网上看了下关于米勒电容的知识，MOS管的Crss就是米勒电容，请问我能不能这样理解，Crss越小，波形的回沟持续的时间越短。因为我们拿了客户的样机对比测试的波形是没有回沟的，看了下，只是MOS管型号跟客户用的不一样。

你的驱动电路输出阻抗中总有一些电感成份，例如从Q1集电极到Q5、Q10门极联接线就存在电感。另外，地线上也存在电感成份。
既然存在电感成份，那么就可能与分布电容产生“振铃”，或者由于MOS管输入电容的突然增加而使门极电压跌落。

R104是100k欧，C138是220nF。这么大的时间常数，分布参数都可以忽略。

看看你的MOS管驱动回路，上升过程是100K的串联阻值，所以，哪怕这么慢的上升沿（看你示波器mS/格）米勒效应都被你无限放大了，简单的说，就是G_D之间存在一个电容，由于输出DS端电压跃迁，会耦合到栅极，我们需要尽快的吸收这个电流，才能把该平台过程尽可能短的消化掉，而你100K的驱动能力，完全没有办法，这就是你能发现这么长时间米勒平台的原因，至于说 米勒平台必须是平的，那就纯粹是无稽之谈了，只是在一般恒流驱动条件下，米勒平台才表现出趋于平的现象，而不是说米勒平台就必须是平的，栅极上升过程中斜率产生一个波折或者明显变化的都是米勒效应造成的，一般我们称为米勒平台而已，而不是说必须是平的。

刚进入弥勒平台时，id有电流流过，uds有轻微的下降,门极给反向电容充电所致

在G端和地之间加个滤波电容试试

分布参数都可以忽略