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许多半导体器件在脉冲功率条件下工作，器件的温升与脉冲宽度及占空比有关，因此在许多场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热特性；除了与功率持续时间外，半导体器件的瞬态热阻与器件材料的几何尺寸、比热容、热扩散系数有关，因此半导体器件的热瞬态特性可以反映出器件内部的很多特性
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