[问答]

放大器噪声来源是什么

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 影响双电源放大器总谐波失真加噪声(THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为“开”，而NMOS晶体管为“关”。当放大器的输入更接近于正电压轨时，NMOS晶体管为“开”，而PMOS晶体管为“关”。这种设计拓扑在共模输入范围会存在极大的放大器失调电压差异。在接地电压附近的输入范围，PMOS晶体管的失调误差为主要误差。在正电源附近的区域，NMOS晶体管对主导失调误差。由于放大器的输入通过这两个区域之间，因此两个对均为“开”。 0
2019-6-20 06:50:04　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 化二为一该类别下有 12 个回答。邀请回答 dymanic 该类别下有 8 个回答。邀请回答 kingnet_520888 该类别下有 7 个回答。邀请回答 cyhe 该类别下有 7 个回答。邀请回答 kong19 该类别下有 7 个回答。邀请回答 60user150 该类别下有 7 个回答。邀请回答 vuwuerwxs 该类别下有 7 个回答。邀请回答 cswerwr 该类别下有 7 个回答。邀请回答 guokuikang 该类别下有 6 个回答。邀请回答 selina1023 该类别下有 6 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 6 个回答。邀请回答 nvywerwer 该类别下有 6 个回答。邀请回答 yfdsfqdqd 该类别下有 6 个回答。邀请回答 Dimple 该类别下有 6 个回答。邀请回答 vfdfvvdw 该类别下有 6 个回答。邀请回答 maobs20 该类别下有 6 个回答。邀请回答 DDT6 该类别下有 6 个回答。邀请回答阿南科院该类别下有 6 个回答。邀请回答燕子湖畔该类别下有 6 个回答。邀请回答 h1654155957.9611 该类别下有 6 个回答。邀请回答举报甘满盛相关推荐 • 如何正确选择低噪声放大器？ 1288 • 噪声放大器的使用 1383 • 放大器系统噪声来源的测试 1214 • 无需其它器件的低噪声自调零放大器是什么? 770 • 基于反馈技术的宽带低噪声放大器的设计 1719 • 如何理解采样噪声和输出缓冲放大器噪声？ 1281 • 如何利用ATF54143设计低噪声放大器？ 1873 • 怎样设计和仿真低噪声放大器?有什么流程？ 2034 • 如何计算仪表放大器噪声大小和噪声系数？ 552 • 如何选择噪声测量放大器 2498 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 最终结果是，输入失调电压将在两个级之间变化。当PMOS和NMOS均为“开”时，共模电压区域约为400 mV。这种交叉失真现象会影响放大器的总谐波失真(THD)。如果您以一种非反相结构来配置互补输入放大器，则输入交叉失真就会影响放大器的THD+N性能。例如，在图2中，如果不出现输入过渡区域，则THD+N等0.0006%。如果THD+N测试包括了放大器的输入交叉失真，则THD+N等于0.004%。您可以利用一种反相结构来避免出现这类放大器交叉失真。图1 a)互补输入级、单电源放大器，b)带一个正充电泵的单差动对输入级图2 一个互补输入级单电源放大器的THD+N性能

2019-6-20 15:56:20 评论举报刘伟

答案对人有帮助，有参考价值 0 另一个主要的THD+N影响因素是运算放大器的输出级。通常，单电源放大器的输出级有一个AB拓扑(请参见图1a)。输出信号做轨至轨扫描时，输出级显示出了一种与输入级交叉失真类似的交叉失真，因为输出级在晶体管之间切换。一般而言，更高电平的输出级静态电流可以降低放大器的THD。放大器的输入噪声是影响THD+N规范的另一个因素。高级别的输入噪声和/或高闭环增益都会增加放大器的总THD+N水平。要想优化互补输入单电源放大器的THD+N性能，可将放大器置于一个反相增益结构中，并保持低闭环增益。如果系统要求放大器配置为非反相缓冲器，则选择一个具有单差动输入级和充电泵的放大器更为合适。

2019-6-20 15:56:27 评论举报杜元晓