[问答]

FRAM有什么优势？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。 0
2019-9-11 11:30:59　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 唯安an 该类别下有 6 个回答。邀请回答华秋商城该类别下有 6 个回答。邀请回答 xlong97 该类别下有 6 个回答。邀请回答 LiangQY0758 该类别下有 6 个回答。邀请回答 cmh12 该类别下有 6 个回答。邀请回答 iuwwufjsd 该类别下有 6 个回答。邀请回答 chinaruto 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user79 该类别下有 5 个回答。邀请回答楼丞紫澈该类别下有 5 个回答。邀请回答 wang22222 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lingjianghui 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lgjmjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 huazhe 该类别下有 5 个回答。邀请回答 qp_12 该类别下有 5 个回答。邀请回答 oduwqoiud 该类别下有 5 个回答。邀请回答子璇ALICE 该类别下有 5 个回答。邀请回答 yweyffdsw 该类别下有 5 个回答。邀请回答 CHENYUHENG 该类别下有 5 个回答。邀请回答 xiaoge240 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user190 该类别下有 5 个回答。邀请回答举报马丽相关推荐 • FRAM的特性有哪些 1888 • FRAM RFID与传统EEPROM相比，有哪些亮点？ 1173 • 嵌入式FRAM的主要技术属性是什么? 1844 • FRAM实现更快速的数据存储 4722 • 64－Kbit FRAM是什么？64－Kbit FRAM到底有什么用途？ 1245 • 请问如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低？ 1735 • 基于FRAM的低功耗LED照明解决方案 1473 • 富士通FRAM存储器在智能电表中有什么应用？ 1841 • 0.13μm非易失性FRAM产品的性能 1413 • FRAM在汽车行驶记录仪中有哪些应用？ 1259 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 目录 FRAM特点 FRAM优势 FRAM存储单元结构 FRAM - FRAM的读/写操作 FRAM - FRAM的读写时序与其它存储器产品相比FRAM的特性 FRAM特点　　FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。 FRAM优势　　与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：　　非易失性　　即使没有上电，也可以保存所存储的信息。　　与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）　　更高速度写入　　像SRAM一样，可覆盖写入　　不要求改写命令　对于擦/写操作，无等待时间　　写入循环时间 =读取循环时间　　写入时间： E2PROM的1/30,000 　　具有更高的读写耐久性　　确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力　　耐久性：超过100万次的 E2PROM 　　具有更低的功耗　　不要求采用充电泵电路　　功耗：低于1/400的E2PROM

2019-9-11 15:16:48 评论举报何思婷

FRAM存储单元结构

　　FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位。

FRAM - FRAM的读/写操作

　　FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。直接对中心原子的位置进行检测是不能实现的。实际的读操作过程是：在存储单元电容上施加一已知电场（即对电容充电），如果原来晶体中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个类峰。把这个充电波形同参考位（确定且已知）的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。
　　无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变（这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同）。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个“预充”（precharge）过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns，加上“预充”时间60ns，一个完整的读操作时间约为130ns。
　　写操作和读操作十分类似，只要施加所要的方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个“预充”时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。

FRAM - FRAM的读写时序

　　在FRAM读操作后必须有个“预充电”过程，来恢复数据位。增加预充电时间后，FRAM一个完整的读操作周期为130ns，图（a）所示。这是与SRAM和E2PROM不同的地方。图（b）为写时序。

与其它存储器产品相比FRAM的特性

	FRAM	E2PROM	Flash	SRAM
存储器类别	非易失性	非易失性	非易失性	易失性
晶胞结构*1	1T1C/2T2C	2T	1T	6T
数据改写方法	覆盖写入	擦除+写入	扇面擦除+ 写入	覆盖写入
写入循环时间	150ns*2	5ms	10µs	55ns
耐久力	最大 1012 （1万亿次循环3）2	106 （100万次循环）	105 （10万次循环）	无限制
写入操作电流	5mA（典型值）2 15mA（最大值）2	5mA（最大值）	20mA（最大值）	8mA（典型值）
待机电流	5µA（典型值）2 50µA（最大值）2	2µA（最大值）	100µA（最大值）	0.7µA（典型值） 3µA（最大值）