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你好！这是我的第一篇文章。几个星期前，我开始使用PIC微控制器，我正在尝试使用来自Microchip的应用说明在嵌入式闪存上模拟EEPROM。申请说明是AN1095。这是开发到C30编译器，但我必须使用XC16。我可以编译代码，但是当我测试它时，会产生一个“硬陷阱”。我认为原因是因为写操作没有正确地完成，但是它不会导致崩溃。当代码试图读取该位置时，ECC会产生“硬陷阱”。我正在使用：MIC:DSPIC33 EV256GM106编译器：XC16V1.26AN：AN1095，有人能帮我吗？提前感谢。
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11个回答
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我正在处理与XC16V1.25有关的（确切地）相同的问题在DSPIC33 EV256GM00 6（相同的微没有CAN）。如果你设计了一个解决方案，请告诉我。
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很抱歉，但是没有解决办法。我们的微控制器不能保存一个字，因为ecc，所以每次只能保存两个字。如果你写一个字，当你试图写这对夫妇的另一个字时，为ecc控制器保存的位不会更新，并且当你试图读它时会导致一个硬陷阱。唯一的解决办法是每次节省两个单词，但效率很低。
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当内存被删除为“0xFFFF”时，您可能第一次可以将“第二”字设置为0xFFFF，这将使“第二”字在擦除状态中消失。
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“唯一的解决办法是每次节省两个单词，但效率很低。”整个EEPROM仿真不是很有效。它不了解闪存寿命是EEPROM的第十的事实。可以更容易地擦除页面，将结构对齐到Flash页面。把它读入RAM，然后编辑并保存。你总是需要擦掉一整页。
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“您总是需要擦除整页”。这并不总是必要的，如果您擦除整页可以像AN1095一样递增地保存，但是在这些微控制器中，您不能只保存一个位置，使用高字节表示逻辑方向，使用低字节表示值，您每次需要使用两个位置，你必须使用第一个高字节作为逻辑方向，其余的字节（直到5个字节，另一个高字节，两个低字）作为值。使用这个近似，你只需要在必须进行“打包”处理时，在当前页面已满时，擦除一个页面，但是每个模拟的EEPROM保存都将占用两个位置，可以保存到五个字节。这是非常低效的，因为你通常想要保存一个两字节的单词。
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您可以保存ByTE1、ByTe2、0xFF、0xFFTH，在下一个读回字节1和2上，然后添加3和4。更多的代码，但同样的效果。
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“您可以保存字节1、字节2、0xFF、0xFF”。因为我已经测试过，这是不可能的，问题不是写能力，问题是“ecc”控制器。这样就为字对保存了几个控制位，然后当您保存“byte1,byte2,0xFF,0xFF”时，“ecc”控制器为“byte1,byte2,byte3,byte4”写入这些控制位。再次保存这些控制位，但它不能，因为单词不是空的，并且当您试图读取“ecc”控制器时，将导致“硬陷阱错误”，正如我与微芯片工程师谈到的，此AN与dspic33ep家族一起工作良好，因为这里没有“ecc”控制器，如果我们可以停用在dspic33ev系列中，使用该AN的唯一解决方案是修改源代码，以便根据仿真EEPROM的位置使用两个单词。有了这个解决方案，我们将有一半位置的双内存位置。
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是否可以使用非ECC PIC？你必须保存多少字节？
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您可以使用例如DSPIC33 EP系列，这不是“ECC”控制器，这是一个很好的工作。
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有趣的是细节。
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非常感谢解释“JuaNeLO”，我将修改源代码，使用每个仿真单词的两个指令。幸运的是，要存储的数据非常稀少。
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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