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使用背靠背的方式是避免主路和辅路之间通过寄生二极管联通，如果不用这种方式，如果主路上失电，当这个模块的电源切换至辅路后，则会出现辅路电源倒灌给主路电源的情况，会出问题的。
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接上，P-MOSFET的导通电阻比N-MOSFET的要高不少，这个大电流散热问题比较头疼。
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也就是说在这个高边应用中如果我还是用N-MOSFET的话，必须要使用Vin+Vgs的电平来控制它的G极才能完全打开。而使用P-MOSFET则需要使用低于Vin - |Vgs|V的电压就可以打开它，如果关闭它的话N-MOSFET使用0V或者负压，P-MOSFET只要是Vin或者高于Vin就可以。
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与Iout还有一定关系。
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是的，比较了一下，与其在散热上伤脑筋还不如搞两个高边驱动芯片，还是用N-MOSFET吧，因为我想把电流余量留的大一些，做到50A。
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