完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
2912
|
如图所示，我用nmos做开关管，通过锂电池供电，随着电池电量损耗，栅极电压会从14v到8v变化，保证mos管一直导通，我想知道，栅极电压变化会不会影响mos管的导通特性？电池电压为48v，负载电流比较大
1
|
|
相关推荐
5个回答
|
|
|
会有影响的 一般情况下 Mosfet的阈值电压在4V左右 具体的还是需要看具体的手册 GS 两端的电压4V -10V 这个范围的时候 Rdson变化比较明显，在10V-12V 期间变化微乎其微 所以Vgs电压一般设置在12V比较合理 此地在设计上考虑的不是很全面 光耦上啦的10K的电阻 在电池没有损耗的情况下 48V/10K =4.8ma 在损耗一的情况下 电压越来越小 电流就越来越小 当达到临界点的时候 Mosfet有可能有关断了 此时负载断开 电压回升 电流也就回升 又开始导通 -》电压跌落 -》电流减小-》 Mosfet关断 会有这个零界点的存在 需要考虑
最佳答案
|
|
|
|
|
|
坐等大神解答
|
|
|
|
|
|
略有影响但是影响应该比较小，具体的话需要参考器件规格书上的相关参数自己看下，一般会给出几种典型电压的导通电阻，你可以算下会不会超过MOS管的PD
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
你第一个NPN的三极管能导通么？
|
|
|
|
|
你正在撰写答案
如果你是对答案或其他答案精选点评或询问，请使用“评论”功能。
/7 
关注我们的微信
下载发烧友APP
德赢Vwin官网 观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
德赢Vwin官网 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
评论
淘帖
4290
