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曝光是通光线照射,引发有机高分子材料,分解成游离基,游离基再引发光聚合单体进行聚合交联反应,形成不易溶于稀碱液的大分子结构,一般在曝光机内双面进行。
曝光后线条边缘是否平直,直接影响阻抗值的精度,对于细线路、细间距,往往受制于曝光设备、干膜抗蚀剂的解像力。为保障曝光质量需要对光源、曝光时间进行严格控制。干膜光谱吸收区为310~410nm波长范围,选择光源时就考虑这一重要参数。选择热光源时应选择功率较大的,因为光照强度大,分辨率高,曝光时间短,底片受热变形程度小。现市场新型曝光机多采用LED冷光源,其有入射均匀性好,平行度高,发热量低,能耗低等优点。 曝光时间是得到高质量干膜图像的重要因素。曝光不足时,由于单体聚合不彻底,在显影过程中胶膜容易溶涨、线条边缘模糊,易起翘、渗镀、脱落。曝光过度会造成显影困难、发脆、残胶等问题。使用过程中,定期使用光能量仪对曝光机光照能量进行测试,并根据测量数据对曝光时间、功率进行必要调整以保障曝光质量。 |
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