MOS输出短路保护电路出现mos管被击穿现象

检测和动作之间存在时差

仿真图都画好了，完善一下，进行仿真，可以把问题解决在事故之前。

场管烧了就说明功率不够大，你可以换个大点的场管。不想换就降低一下过流触发点，R3增大点。如果还不想降低过流触发点，那就去掉C3吧尝试一下吧，这个C3主要作用是过流触发时的延时。

输出后面加一个电感

表示电路俺完全看不懂。。。。。。

存在问题已经找到。待整理后发出。

期待整理发出的文件

本帖最后由 bigbigmule 于 2020-2-25 13:26 编辑

简要的汇总下这个问题，根据现象描述，1.在MOS完全开启后，负载短路，MOS OK，短路保护电路有响应；2.MOS未开启，负载短路，短路保护电路无响应，MOS损坏。这两条可以总结为一条疑问，MOS完全开启与从未开启到开启这两者的区别是啥？ 我们从功率的角度进行分析，针对MOS完全开启后，MOS的导通阻抗R较小，DS间的电压受I1与R影响，P1= I1* I1*R；针对mos由未开启到开启这个过程，存在一个米勒平台的问题，在米勒平台期间，DS间电压与导通阻抗以及电流无关，最大是输入的电压（本题是24V），那么这个米勒平台期间的损耗P2 = U * I2。功率计算完了，讨论下I1 与 I2，对这个电路而言I1电流最大只能是保护电路响应的电流，可以依据BJT开启的电压进行计算I1的大小；I2则是mos最大可允许的电流需要依据MOS的耗散功率计算，从结果看I2要小于I1。所以要解决目前你遇到的这个问题，需要综合考量I1 & MOS的耗散功率情况，最直接的方法增大采样电阻或者更换耗散功率更大的MOS（具体多大可以计算得来），如果是批次生产，注意器件的一致性情况保证设计有足够余量！

最直接的方法增大采样电阻或者更换耗散功率更大的MOS，注意器件的一致性情况保证设计有足够余量！

问题解决了吗？碰到一样的现象

首先这电路限流是可以实现的，当采样电阻两端电压到达三极管导通电压时，能起到限流作用，但MOS管处于高频的开关状态，开关损耗会很大，体现为发热很严重，需保证散热。
第二是当短路时，MOS管也是处于高频的开关状态，但这时电流太大了，接近于短路，一般MOS管Vds在30V情况 下，短路的电流持续时间最大为50us，所以会烧管子。若短路时可以接个触发器，直接关断输出，知道再一次上电时重置，或许还有其他不加触发器的解决办法