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海飞乐技术现货替换IXFN210N30X3场效应管

2020-3-4 10:06:02 639

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFN210N30X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: SOT-227-4 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 210 A Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V Qg-栅极电荷: 375 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 155 C Pd-功率耗散: 695 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 84 S 下降时间: 15 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 40 ns 工厂包装数量: 10 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 210 ns 典型接通延迟时间: 38 ns 除了IGBT的电压下降时间较长外，IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（voltage tail）出现。这种延迟引起了类饱和（Quasi-saturation）效应，使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE（sat）值。这种效应也导致了在ZVS情况下，在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT的集电极的瞬间，VCE电压会上升。 IGBT产品规格书中列出的Eon能耗是每一转换周期Icollector与VCE乘积的时间积分，单位为焦耳，包含了与类饱和相关的其他损耗。其又分为两个Eon能量参数，Eon1和Eon2。Eon1是没有包括与硬开关二极管恢复损耗相关能耗的功率损耗；Eon2则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗，可通过恢复与IGBT组合封装的二极管相同的二极管来测量，典型的Eon2测试电路如图2所示。IGBT通过两个脉冲进行开关转换来测量Eon。--个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电流，然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。在硬开关导通的情况下，栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了Eon开关损耗。对于像传统CCM升压PFC电路来说，升压二极管恢复特性在Eon（导通）能耗的控制中极为重要。除了选择具有-小Trr和QRR的升压二极管之外，确保该二极管拥有软恢复特性也非常重要。软化度（Softness），即tb/ta比率，对开关器件产生的电气噪声和电压尖脉冲（voltage spike）有相当的影响。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-4 10:06:02　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 660 • 海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管 577 • 海飞乐技术现货替换IXFN90N85X场效应管 547 • 海飞乐技术现货替换IXFN220N20X3场效应管 659 • 海飞乐技术现货替换IXFN170N25X3场效应管 374 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SK场效应管 430 • 海飞乐技术现货替换IXFN170N65X2场效应管 805 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SIC场效应管 623 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1148 • 海飞乐技术现货替换IXFH72N30X3场效应管 1098