海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管

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海飞乐技术现货替换 IXFQ50N60X 场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 116 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 660 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 62 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 28 ns


功率MOSFET的工作原理
截止：漏源极间加正 电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子— 电子吸引到栅极下面的P区表面。
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型 半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

理解MOSFET的几个常用参数
VDS，即漏源电压，这是MOSFET的一个极限参数，表示MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压值。需要注意的是，这个参数是跟结温相关的，通常结温越高，该值最大。
RDS(on)，漏源导通电阻，它表示MOSFET在某一条件下导通时，漏源极之间的导通电阻。这个参数与MOSFET结温，驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds越大;驱动电压越高，Rds越小。
Qg，栅极电荷，是在驱动信号作用下，栅极电压从0V上升至终止电压(如15V)所需的充电电荷。也就是MOSFET从截止状态到完全导通状态，驱动 电路所需提供的电荷，是一个用于评估MOSFET的驱动电路驱动能力的主要参数。
Id，漏极电流，漏极电流通常有几种不同的描述方式。根据工作电流的形式有，连续漏级电流及一定脉宽的脉冲漏极电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOSFET的一个极限参数，但此最大电流值并不代表在运行过程中漏极电流能够达到这个值。它表示当壳温在某一值时，如果MOSFET工作电流为上述最大漏极电流，则结温会达到最大值。所以这个参数还跟器件封装，环境温度有关。


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