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海飞乐技术现货替换IXFH220N20X3场效应管

2020-3-9 15:29:28 808

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFH220N20X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 220 A Rds On-漏源导通电阻: 6.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 204 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 890 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 70 S 下降时间: 27 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 27 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 155 ns 典型接通延迟时间: 37 ns SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。 1）受限于-大额定电流及脉冲电流； 2）受限于-大节温下的RDSON； 3）受限于器件-大的耗散功率； 4）受限于-大单个脉冲电流； 5）击穿电压BVDSS限制区。我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。这个是一个非典型的SOA导致失效的一个解刨图，由于去过铝，可能看起来不那么直接，参考下。 SOA失效的预防措施： 1）确保在-差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内； 2）将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off）。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-9 15:29:28　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH180N20X3场效应管 579 • 海飞乐技术现货替换IXFH90N20X3场效应管 767 • 海飞乐技术现货替换IXFH140N20X3场效应管 542 • 海飞乐技术现货替换IXFN220N20X3场效应管 659 • 海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管 896 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 595 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1148 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 679 • 海飞乐技术现货替换IXFH72N30X3场效应管 1098 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N30X3场效应管 817