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海飞乐技术现货替换IXFN170N25X3场效应管

2020-3-19 16:29:21 374

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFN170N25X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Chassis Mount 封装 / 箱体: SOT-227-4 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 146 A Rds On-漏源导通电阻: 6.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 190 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 390 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 系列: X3-Class 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 66 S 下降时间: 7 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 10 ns 工厂包装数量: 10 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 62 ns 典型接通延迟时间: 18 ns 单位重量: 30 g MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 ` 0 本帖子中包含更多资源** 您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-19 16:29:21　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFN170N65X2场效应管 805 • 海飞乐技术现货替换IXFH170N25X3场效应管 609 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 660 • 海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管 577 • 海飞乐技术现货替换IXFN90N85X场效应管 547 • 海飞乐技术现货替换IXFN220N20X3场效应管 659 • 海飞乐技术现货替换IXFN210N30X3场效应管 640 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SK场效应管 430 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SIC场效应管 623 • 海飞乐技术现货替换IXFP60N25X3场效应管 1014