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先生,
我正在使用Xilinx ISE 12.2版进行数字设计。 我在不同的工艺角组合中实现了Spartan 3e-xc3s100e-5vq100器件的设计。 我阅读了以下链接的文章:http://ziyang.eecs.umich.edu/~dickrp/talp/papers/dasdan-temperature.pdf,以澄清我对电路设计和工艺角落之间关系的疑虑。 在本文中,提到对于“反转温度依赖性(IDT)”效应将持续存在的低压器件,不能遵循正常工艺角。 我在上述设备中的不同工艺角处执行静态时序分析(STA)。 我为慢速,典型和快速值使用了两组过程角点。 一个流程角落没有IDT,另一个流程角落具有IDT效应。 没有IDT效应, 母猪角 - (Pmax,Vmin,Tmax) 典型的角落 - (Ptypical,Vtypical,Ttypical) 快角 - (Pmin,Vmax,Tmin) 有IDT效果, 母猪角 - (Pmax,Vmin,Tmin) 典型的角落 - (Ptypical,Vtypical,Ttypical) 快角 - (Pmin,Vmax,Tmax) 这意味着,在较低的电压下,电压和温度都与延迟值成反比,但是超过一定的电压(称为交叉电压)温度应该成正比。 我为斯巴达3e器件(1.14v至1.32 v)和(-40°至100°)的电压和温度范围的所有组合执行了STA。 但我无法在这些值中找到IDT效应。 由于IDT效应在低电压范围内持续存在,我认为在virtex系列器件上执行相同的操作,但在xilinx论坛的一条消息中,提到在xilinx ISE中从sartan 6器件开始禁用降额选项。 所以我的疑问是,使用xilinx ISE在不同PVT范围内执行的ID中包含IDT效应??? 谢谢你宝贵的时间。 问候, Sumathi G. |
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1个回答
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作为一个研究课题,您不应该依赖于静态时序分析工具正在做什么,因为该工具的结果应该是保守的最坏情况结果。
每个供应商都会对需要保守的内容有自己的看法。 任何关于延迟的温度依赖性的研究都应该用实际电路来完成。 ------您是否尝试在Google中输入问题? 如果没有,你应该在发布之前。太多结果? 尝试添加网站:www.xilinx.com |
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只有小组成员才能发言,加入小组>>
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