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所谓SOI（Silicon－On－Insulator），就是在绝缘体上涂上一层很薄的硅。我们知道，硅是一种半导体，电子在晶体管中流动时难免会有电子流失，所以在硅中插入一层绝缘体就可以有效地阻止电子的流失，这种绝缘体材料和硅自然是越接近越好，所以二氧化硅就成为理想的选择。在工作时硅片中的晶体管和硅接触的区域会聚集大量的电荷，这样会导致电子传输效率降低，当在硅层中插入二氧化硅时，晶体管和二氧化硅接触的区域不再有电荷出现，使电子的利用率得到提高，整个芯片的工作效率也随之提高。
soi在在器件性能上具有以下优点： 1) 减小了寄生电容，提高了运行速度。与体硅材料相比，SOI 器件的运行速度提高了20-35%； 2) 具有更低的功耗。由于减少了寄生电容，降低了漏电，SOI 器件功耗可减小35-70%； 3) 消除了闩锁效应； 4) 抑制了衬底的脉冲电流干扰，减少了软错误的发生； 5) 与现有硅工艺兼容，可减少 13-20%的工序。 SOI 在高性能超大规模集成电路、高速存贮设备、低功耗电路、高温传感器、军用抗辐照器件、移动通讯系统、光电子集成器件以及MEMS(微机电)等领域具有极其广阔的应用前景，被国际上公认为“21 世纪的硅集成电路技术。” 來源: www.soi-china.com 
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