硅瞬态电压抑制二极管特性总结

硅瞬态电压抑制二极管，简称TVS二极管。TVS为电压箝位型工作方式，纳秒级的响应速度。TVS有多种封装方式，可满足不同场合的需要。当TVS上的电压超过一定的幅度时，器件迅速导通.通过PN结反向过压雪崩击穿将浪涌能量泄放掉。由于这类器件导通后阻抗很小，因此它的箝位电压很平坦，并且很接近工作电压。

硅瞬变电压二极管的特点

a)优点：响应时间短，漏电流小，击穿电压偏差小。箝位电压低(相对于工作电压)，动作精度高，无跟随电流(续流)，体积小，每次经受瞬变电压后其性能不会下降，可靠性高。

b)缺点：由于所有功率都耗散在二极管的PN结上，因此它所承受的功率值较小，允许流过的电流较小。一般的TVS器件的寄生电容较大，如在高速数据线上使用。要用特制的低电容器件，但是低电容器件的额定功率往往较小。

c)适用场合：浪涌能量较小的场合。如果浪涌能量较大。要与其它大功率浪涌抑制器件一同使用，则把它作为后级防护。

王栋春 · 2020-10-20 21:45:01

再次复习一下相关知识

浪拓电子防雷 · 2020-10-21 09:25:43

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