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灵动微MM32SPIN160C采用高性能为内核为M0的32位微控制器，5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。MCU的工作频率最高可达72兆赫兹，内置SRAM高速存储器，丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式，该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。灵动微电子代理厂商可提供产品应用解决方案支持.
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MM32SPIN160C特征
•内核与系统 –32位ARM®Cortex®-M0处理器内核 –最高工作频率可达72MHz –单指令周期32位硬件乘法器 –硬件除法器（32Bit） –单指令周期32位硬件乘法器 •存储器 –高达32K字节的闪存程序存储器 –高达4K字节的SRAM •时钟、复位和电源管理 –2.0V~5.5V供电 –上电/断电复位（POR/PDR）、可编程电压监测器（PVD） –外部2~24MHz高速晶体振荡器 –内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器 –内嵌40KHz低速振荡器 •低功耗 –睡眠、停机和待机模式 • 5V LDO 稳压器 – 输入电压最高13.5V • 三组N 型半桥式栅极驱动器（GATE-DRIVER） – 三相栅极驱动器 – 支持电压UVLO 保护 – 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流 • 96 位的芯片唯一ID（UID） • 采用QFN32 封装 |
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MM32SPIN160C引脚
内置最大可到4K字节的静态SRAM。 它可以以字节（8位）、半字（16位）或字（32位）进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。 •数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不 插入任何等待进行访问。 闪存主要特性 •高达32K字节闪存存储器 闪存接口的特性为： •带预取缓冲器的数据接口（2×64位） •选择字节加载器 •闪存编程/擦除操作 •访问/写保护 •低功耗模式 |
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FLASH读操作
嵌入式Flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。 取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问，能够按照Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）中得选项所指定的方式执行： •取指：预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度 •潜伏期：等待位的个数，保证正确的读取。 |
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