2012天津大学深圳研究院集成电路工程硕士招生简章

2011-11-22 22:21:35 2734

0 天津大学集成电路工程领域在职工程硕士研究生学位班招生一、学校介绍天津大学是教育部直属国家重点大学，其前身北洋大学始建于1895年，是中国第一所现代大学，素以“实事求是”的校训和“严谨治学，严格教学要求”的治学方针享誉海内外。“211工程”、 “985工程”首批重点建设的大学。天津大学现有中科院院士5人，中国工程院院士6人，双聘院士8人，“长江学者”23人，博导360余人，硕导1000余人；在校生近3万人，其中博士、硕士研究生1万余人。二、领域简介集成电路工程领域是集成电路设计、制造、测试、封装、材料、设备以及集成电路在网络通信、数字家电、信息安全等方面应用的工程技术领域。集成电路是电子信息产业的基础，随着集成电路向高密度、高性能、SOC芯片的发展，使得集成电路工程技术成为当今最具有渗透性和综合性的工程技术领域之一。本专业方向依托微电子学与固体电子学国家重点学科、国家集成电路人才培养基地和天津市集成电路设计中心等，师资力量雄厚，具有教授8名，副教授7名，外籍专家2名，具有博士学位教师占70%。三、领域范围 1、超大规模集成电路设计 2、集成电路制造、测试与封装 3、半导体传感器与微纳米器件 4、电子信息功能材料与元器件 5、薄膜技术四、培养目标集成电路工程领域培养集成电路设计与应用高级工程技术人才和集成电路制造、测试、封装、材料的高级工程技术人才。掌握解决集成电路工程问题的先进技术方法和现代技术手段，具有创新意识和独立解决实际问题的能力。五、报名条件国民教育本科以上学历、遵纪守法、品行端正及身体健康者均可参加本研究生课程班的学习，须申请学位者，请查阅国家有关申请学位考试的报名条件。申请学位条件：2008年7月31日获得学士学位；2007年7月31日获得国民教育系列大学本科学历，方可申请报考，并修完相应的研究生课程学分后完成学位论文方可进行硕士学位论文答辩。备注：不够报名条件的学员欢迎先跟读进修学分，再参加全国十月份GCT联考。六、培养方式和学习年限 1、校企共同培养，采取集中面授相结合的学习方式。每门课程定期集中面授、考核；利用双休日或晚上业余时间上课。 2、课程由天津大学派出师资，论文由校内导师和校外导师共同指导。 3、培养年限一般为2—3年，不超过5年。申请学位所需时间按天津大学的规定执行七、课程设置与学分要求总学分33学分：学位课程不少于21学分，必修环节2学分，选修课程不少于10学分。八、颁发证书凡参加7月份网上报名，通过每年十月全国GCT-ME联考（含语文、数学、逻辑学和外语），符合天津大学硕士学位申请条件、在规定年限内修满学分并通过论文答辩者，可获得天津大学集成电路工程领域工程硕士学位证书。九、报名程序 1、持身份证、学历和学位证书原件及复印件2份，4张2寸近照和1张1寸近照。 2、填写天津大学研究生课程班报名表，缴交报名费。 3、经审查合格后发给研究生课程班入学通知书，收到入学通知书后交纳学费。十、咨询信息报名地点：深圳市高新区南区虚拟大学园A305天津大学深圳研究院联系电话：0755-26551533 淡老师 QQ:1079963277 查询网址：http://www.tju-sz.org.cn/ 天津地址：天津市南开区卫津路92号天津大学研究生院专业学位招生办公室十一、课程设置学位课：科学技术论与方法论，第一外国语（英语），工程数学基础，半导体器件物理，固体电子学，集成电路制造工艺，数字集成电路设计，集成电路设计CAD等；选修课：电子线路，模拟集成电路设计，专用集成电路设计，射频集成电路，VLSI逻辑综合，集成电路封装技术，超大规模集成电路测试方法学，现代电子信息材料技术，微机电系统（MEMS）与传感器设计，混合集成电路设计，薄膜技术，微处理器设计，超大规模集成电路工艺技术，集成电路测试封装技术，CMOS模拟集成电路设计，CMOS射频集成电路设计和系统级芯片（SOC）设计等选修课程，可根据实际需要选择至少10学分的课程；必修环节：学位论文开题报告，学术报告与学术交流和工程前沿技术讲座。　十二、学费标准本研究生学位班学费为人民币35000元（二年），第一学年交人民币20000元，第二学年交人民币15000元。教材费、资料费以及外地学员的交通食宿费均由学员自理。报名费300元，学杂费2000元，书本费、午餐和外地学员住宿费等由学员另付。【特别说明】中途退学者视为自动放弃学习，可发已经结课的单科学习证明，或经申请批准后转入下期学习，不退学费、报名费等。本招生简章中如与国家教育部或天津大学研究生院相关政策相抵触，以国家教育部或天津大学研究生院的政策为准。本招生简章解释权归天津大学深圳研究院。【经典课程简介】 1. 半导体物理与器件该课程讲授的内容主要包括：半导体基本原理和基本器件原理。含半导体中载流子分布、输运与导电性，PN结与MOS电子学，MOS场效应晶体管及其相关器件、功率半导体器件、光子器件、敏感器件、异质结、微波器件以及器件模型等。 2. 超大规模集成电路工艺技术该课程讲授的内容主要包括：现代CMOS工艺技术、半导体制造、光刻、热氧化和Si－Sio2界面、扩散、离子注入、薄膜淀积、刻蚀、后端工艺等内容。 3. CMOS模拟集成电路设计该课程讲授的内容主要包括：CMOS器件建模、CMOS放大器、CMOS运算放大器、比较器、开关电容电路、数模转换器、模数转换器等。 4. CMOS射频集成电路设计该课程讲授的内容主要包括：无源集成电路组件特征、无源RLC网络、分布式系统、Smith圆图和S参数、带宽预测技术、高频放大器设计、电压参考值和偏压、噪声和相噪声、LNA设计、混频器、射频功率放大器、反馈系统、锁相环、振荡器和合成器等。 5. VLSI设计和逻辑综合该课程讲授的内容主要包括：数字VLSI系统设计概论、使用Verilog设计组合逻辑电路和时序逻辑电路、测试平台的搭建、RTL译码设计、使用Modelsim工具仿真、设计综合、存储器设计、电路架构设计、实例设计等。 6、系统级芯片（SOC）设计该课程讲授的内容主要包括：系统芯片（SoC）设计综述与设计流程，SoC设计与EDA工具，SoC架构设计与IP复用设计方法，SoC功能验证与可测性设计，逻辑综合与后端设计，低功耗设计，数模混合信号IP设计与集成，SoC中的IO设计等。 7. 微处理器设计该课程讲授的内容主要包括：微处理器的发展历程、计算机部件、设计规划、计算机架构、微处理器架构、逻辑设计、电路设计、版图、半导体制造、微处理器封装以及硅片的调试和测试等。 8. 超大规模集成电路测试该课程讲授的内容主要包括：测试概论、测试方法和可测性设计三大部分。测试概论又分为VLSI测试过程和测试设备、测试经济学和产品质量、故障模型等部分；测试方法又分为逻辑和故障模拟、可测试性度量、组合电路测试生成、手续电路的测试矢量生成存储器测试、基于DSP模拟和混合信号测试、基于模型的模拟和混合信号测试、延迟测试等部分；可测性设计又分为数字电路DFT和扫描设计、内建自测试、边界扫描标准、模拟测试总线标准、系统测试和基于核的设计等部分。 9. 集成电路测试封装技术（可选）该课程讲授的内容主要包括：微电子封装的基本概念及封装的基本工艺、传统的集成电路封装和先进的封装技术、无铅焊接技术、三维封装、MEMS 封装、封装的选择设计和封装可*性及失效分析等。 0
2011-11-22 22:21:35　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 工程硕士电路原理考试试题 16 • 杭州公共管理硕士（MPA）包过班招生简章 2158 • 中科院工程硕士班 Verilog课件 29718 • 公共工程质量管理训练班招生简章 13 • 电子设计初级工程师资格认证招生简章 0 • 武汉大学电子科学与技术系2009年工程硕士研究生（集成电路工程和电子与通信工程）招 4314 • 武汉大学电子科学与技术系2009年工程硕士研究生（集成电路工程和电子与通信工程）招 3149 • 武汉大学电子科学与技术系2009年工程硕士研究生（集成电路工程和电子与通信工程）招 4242 • 安徽大学牵头建设“集成电路”研究院 617 • 深圳微纳研究院协办“集成电路发展专项辅导报告”会议 1501