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请问仿真一个运放的输入失调电压是不是要做MC分析啊用在带隙基准中的运放，对于带隙基准的性能要求：-40~130温度扫描，输出电压偏离小于3mv，电压精度小于1mv，这样的性能要求输入失调电压为多少？几mv吗，还是小于1mv？
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运放Vos到BG的输出有增益的，一般在10左右
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小于120uV，不同电路不太一样
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我仿真一下我做的运放试试，输入差分对PMOS，PMOS衬底与源级短接，可以较小输入失调电压的改变，PMOS过驱动电压尽量小一点，宽长面积尽量大一点，可以减小输入失调，负载管用NMOS电流镜，NMOS的gm值应小于输入差分对的gm从而进一步减小输入失调，中间再加一个共源共栅管可以提高电源电压抑制比。你上面不是说小于120uV吗？ 那对于带隙基准来说，需要多大的精度就足够了，毕竟影响带隙基准性能的一般就只是温度系数与运放失调了
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这个要看具体要求，1.2VBG，失调30mv-40mv一般是有的，因为还有BJT Corner和R Corner的影响。好的失调可以做到10mv左右。
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