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ASEMI快恢复模块MUR20060CT的发展前景

2021-8-23 15:50:33 406 快恢复二极管

0 编辑-Z 众所周知，当前电子技术的发展方向是：应用技术高频化、硬件结构模块化、半导体器件智能化、控制技术数字化、产品性能绿色化（对电网无污染）。而ASEMI快恢复模块MUR20060CT正是硬件结构模块化的产物，所以MUR20060CT符合未来的发展方向。 MUR20060CT参数描述型号：MUR20060CT 封装：MUR-2 特性：快恢复模块电性参数：200A600V 芯片材质：GPP硅芯片正向电流(Io)：200A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 浪涌电流Ifsm：800A 漏电流(Ir)：1mA 恢复时间Trr：110ns 工作温度：-40~+175℃ 引线数量：2 上世纪80年代初，绝缘栅双极晶体管（IBGT）、功率MOS场效应晶体管和集成门极换流晶闸管（IGCT）研制成功，并迅速发展和商业化。这不仅为电力电子变流器向高频化的发展提供了坚实的器件基础，同时还提供高频用电设备（20KHZ以上）和固态高频设备的发展，实现高效、省电、节能、省材，为小型化、轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时，IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件配套的，不可缺少的快恢复模块MUR20060CT器件也得到了快速发展。因为随着器件开关频率的提高，如果高频变频器件的续流、吸收、钳位、隔离、输入整流和输出整流的开关器件没有快恢复模块MUR20060CT，那么IGBT、功率MOSFET和IGCT等高频开关器件就不能发挥应有的功能和独特的效果。这是由于MUR20060CT的关断特性参数（反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr和反向峰值电流IRM）的作用导致的。与MUR20060CT配合合适的参数作为续流二极管和高频开关器件，可以最大限度地减少高频逆变电路中开关器件换流引起的过电压尖峰、高频干扰电压和EMI干扰。还可降低功耗，充分利用开关器件的功能。 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2021-8-23 15:50:33　　评论淘帖0 举报相关推荐 • MUR20060CT-ASEMI快恢复模块MUR20060CT 430 • MUR10060CT-ASEMI快恢复模块MUR10060CT 763 • MUR10060CT-ASEMI快恢复模块的特征和应用方向 338 • ASEMI 快恢复MUR1660CT参数规格资料 2370 • labview的发展前景 1892 • MUR560D-ASEMI快恢复二极管MUR560D 449 • 未来发展前景 1982 • labview的发展前景 10291 • 国产FPGA的发展前景是什么？ 3701 • LINUX发展前景 3656