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STM32F4的闪存模块是由哪几部分组成的

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 STM32f407内部flah芯片有多大？ STM32F4的闪存模块是由哪几部分组成的？ 0
2021-9-26 09:10:09　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答河南顺之航该类别下有 32 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 32 个回答。邀请回答举报杨海清相关推荐 • STM32F4多层总线矩阵结构由哪几部分组成？ 1098 • STM32F4的存储结构是由哪些部分组成的 1161 • STM32F4的基本定时器是由哪些部分组成的 815 • STM32_ADC框图由哪几部分组成？ 747 • STM32的闪存模块是由哪几个部分组成的 1574 • 动力主电路是由哪几部分组成的？ 3890 • arduino开源硬件由哪几部分组成？ 1413 • MCU的整体架构由哪几部分组成？ 1588 • 伺服电机由哪几部分组成？工作原理是什么？ 5402 • 智能血氧仪由哪几部分组成？ 1292 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　基础简介　　不同芯片内部的flah大小不同，stm32f407内部flah是1M（1024K）大小，其结构划分如图所示：　　　　STM32F4 的闪存模块由：主存储器、系统存储器、 OPT 区域和选项字节等 4 部分组成　　主存储器：该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据），分为 12 个大小不同的扇区，主存储器的起始地址是 0X08000000。　　系统存储器：这个区主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码，此代码是出厂的时候就固化在芯片内部了，比例用串口下载程序时的bootload（ISP下载）。　　OTP 区域：即一次性可编程区域，一次性的，写完一次，永远不能擦除。　　选项字节：用于配置读保护、 BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式　　下的复位，相当于一些寄存器位。　　在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正　　确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在写的时候有必要写FLASH_DataCacheCmd（DISABLE）;来禁止数据缓存，写完后再打开。　　flash擦除后每个地址块的数据是0xff，擦除就是将地址内的数据转变为0xff，写入数据就是将有关位置0；　　地址、内存相关基础讲解　　计算机中最小的信息单位是bit，也就是一个二进制位，8个bit组成一个Byte，也就是1个字节；我们常说的flash空间，多少多少K，指的是多少多少K byte 　　1个存储单元存放1个字节，以stm32为例是32位单片机，它每个存储单元对应一个32位（bit）地址，即一个32位地址指向1个字节！　　（u16）0x0800 0000、（u32）0x0800 0000，蓝色是以0x0800 0000为首地址取一个16bit的数据（0x0800 0000和0x0800 0001一起组成16位），紫色是以0x0800 0000首地址取一个32bit的数据（0x0800 0000、0x0800 0001、0x0800 0002和0x0800 0003一起组成32位）。　　flash操作是以字节为最小单位进行操作。　　配置操作　　读数据　　STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8位，半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：　　data=（vu32）addr; //addr为内存地址值　　将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。　　类似的，将上面的 vu32 改为 vu16，即可读取指定地址的一个半字。　　擦除和编程　　擦除要先解锁，要写 0X45670123 到 FLASH_KEYR，写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR来解锁。　　STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置， PSIZE 的设置必须和　　电源电压匹配　　　　在正点原子教程里面有句话：“由于我们开发板用的电压是 3.3V，所以 PSIZE 必须设置为10，即 32 位并行位数。擦除或者编程，都必须以 32 位为基础进行”。但是在野火的教程里写的是：“在内部 FLASH 进行擦除及写入操作时，电源电压会影响数据的最大操作位数，我们接的是3.3V电压，所以最大可以配置为X32，当然也可以配置为X16、X8”，这里建议还是以正点原子的为准。　　擦除编写步骤：　　解锁：void FLASH_Unlock（void）；　　关闭数据缓存：FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）; 　　擦除扇区/块：　　FLASH_Status FLASH_EraseSector（uint32_t FLASH_Sector， uint8_t VoltageRange）; //擦除指定扇区，VoltageRange是擦除的位数，与电压有关。　　FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors（uint8_t VoltageRange）;//擦除所有扇区　　FLASH_StatusFLASH_EraseAllBank1Sectors（uint8_t VoltageRange）;//擦除bank1 　　4.在指定地址写数据　　FLASH_Status FLASH_ProgramDoubleWord（uint32_t Address， uint64_t Data）; //指定地址写入双字64bit 　　FLASH_Status FLASH_ProgramWord（uint32_t Address， uint32_t Data）; //指定地址写入字32bit 　　FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord（uint32_t Address， uint16_t Data）; //指定地址写入半字16bit 　　FLASH_Status FLASH_ProgramByte（uint32_t Address， uint8_t Data）; //指定地址写入字节8bit 　　5.打开数据缓存：FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）; 　　6.上锁： FLASH_Lock（）; //上锁　　注意事项　　写入地址必须是用户代码区以外的地址。不能覆盖用户代码，否则程序会出错。　　写入地址必须是 4 的倍数。因为数据是以32bit写入的，占用4个地址位，所以是4的倍数。　　设置 FLASH 保存地址必须为偶数。

2021-9-26 14:13:38 评论举报蓝静