[问答]

GD32E103/F303系列与STM32F103的硬件是怎样替换的

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 GD32E103/F303系列与STM32F103有哪些相同点？ GD32E103/F303系列与STM32F103的外围硬件有何区别？ GD32E103/F303系列与STM32F103的硬件是怎样替换的？ 0
2021-10-15 08:33:10　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答 kpj3026 该类别下有 32 个回答。邀请回答江左盟该类别下有 32 个回答。邀请回答举报王涛相关推荐 • GD32F103与STM32F103的硬件是怎样进行替换的 5220 • GD32F30/E103系列是如何替换STM32F103的 1837 • 怎样用GD32F103ZET6替换STM32F103ZET6芯片呢 4697 • STM32F103与MM32F103概述及资源 2339 • stm32f103系列封装库分享！ 7921 • 哪里可以找到STM32F303CCT6最小系统开发板资料？ 2116 • 怎样将STM32F103工程移植成STM32F107工程呢 2004 • 介绍几款比STM32F103系列性价比更高的MCU 5117 • STM32F103系列器件有哪些功能与配置呢 1947 • 请问一下stm32f103的usb程序能否在ch32f103上正常运行？ 857 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　 GD32E103/GD32F10x/GD32F30x都是和STM32F10x系列是完全PIN TO PIN兼容的，因此GD32F30x系列不是完全和STM32F30X系列兼容的。　　　　GD32F103是GD早期的产品，GD32E103和GD32F303是对GD32F103的升级和优化，所以4者是兼容的，虽然内核不同，但是通用外设几乎很少涉及到内核部分，在时间急迫的情况下可以使用ST的库开发。　　一、相同点　　1）、外围引脚PIN TO PIN兼容，每个引脚上的复用功能也完全相同。　　2）、芯片内部寄存器、外部IP寄存器地址和逻辑地址完全相同，但是有些寄存器默认值不同，有些外设模块的设计时序上和STM32有差异，这点差异主要体现在软件上修改，详情见下文。　　3）、编译工具：完全相同例如：KEIL 、IAR 　　4）、型号命名方式完全相同，所以替代只需找尾缀相同的型号即可，例如：STM32F103C8T6 与 GD32E103C8T6。　　5）、仿真工具：JLINK GDLINK 　　二、外围硬件区别　　　　三、硬件替换需要注意的地方　　从上面的介绍中，我们可以看出，GD32F30/E103系列和STM32F103系列是兼容的，但也需要一些注意的地方。　　1）、BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空，这点很重要。　　2）、RC复位电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，ST的有时候可以不要。　　3）、有时候发现用仿真器连接不上。因为GD的swd接口驱动能力比ST弱，可以有如下几种方式解决：　　a、线尽可能短一些；　　b、降低SWD通讯速率；　　c、SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。　　4）、使用电池供电等，注意GD的工作电压，例如跌落到2.0V~2.6V区间，ST还能工作，GD可能无法启动或工作异常。　　四、使用ST标准库开发需要修改的地方　　1）、GD对时序要求严格，配置外设需要先打开时钟，在进行外设配置，否则可能导致外设无法配置成功；ST的可以先配置在开时钟。　　2）、修改外部晶振起振超时时间，不用外部晶振可跳过这步。　　原因：GD与ST的启动时间存在差异，为了让GD MCU更准确复位。　　修改：　　将宏定义：　　#define HSE_STARTUP_TIMEOUT （（uint16_t）0x0500）　　修改为：　　#define HSE_STARTUP_TIMEOUT （（uint16_t）0xFFFF）　　3）、GD32F10X flash取值零等待，而ST需要2个等待周期，因此，一些精确延时或者模拟IIC或SPI的代码可能需要修改。　　原因：GD32采用专利技术提高了相同工作频率下的代码执行速度。　　修改：如果使用for或while循环做精确定时的，定时会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短，因此需要仿真重新计算设计延时。使用Timer定时器无影响。　　4）、在代码中设置读保护，如果使用外部工具读保护比如JFLASH或脱机烧录器设置，可跳过此步骤。　　在写完KEY序列后，需要读该位确认key已生效，修改如下：　　　　总共需要修改如下四个函数：　　FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes（void）; 　　FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData（uint32_t Address， uint8_t Data）; 　　uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte（void）; 　　FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus（void）; 　　5）、GD与ST在flash的Erase和Program时间上有差异，修改如下：　　　　6）、需求flash大于256K注意，小于256K可以忽略这项。　　与ST不同，GD的flash存在分区的概念，前256K，CPU执行指令零等待，称code区，此范围外称为dataZ区。两者在擦写操作上没有区别，但在读操作时间上存在较大差别，code区代码取值零等待，data区执行代码有较大延迟，代码执行效率比code区慢一个数量级，因此data区通常不建议运行对实时性要求高的代码，为解决这个问题，可以使用分散加载的方法，比如把初始化代码，图片代码等放到data区。　　总结：至此，经过以上修改，在不使用USB和网络能复杂协议的代码，就可以使用ST的代码操作了。

2021-10-15 17:40:40 评论举报陈杰