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一、 GD32 与 STM32 异同
1. 相同点 1) 外围引脚定义:相同型号的管脚定义相同 2) Cortex M3 内核:STM32F103 内核 R1P1 版本, STM32F205 内核R2P1, GD32 内核 R2P1 版本,此内核修复了 R1P1 的一些 bug 3) 芯片内部寄存器,外部 IP 寄存器地址 :逻辑地址相同,主要是根据 STM32 的寄存器和物理地址, 做的正向研发。 4) 函数库文件:函数库相同,优化需要更改头文件 5) 编译工具:完全相同例如:keil MDK、IAR 6) 型号命名方式:完全相同 2. 外围硬件区别 1) 电压范围(ADC):GD32F:2.6-3.6VSTM32F:2.0-3.6V(外部电压) GD32F:1.2V(内核电压)STM32F:1.8V(内核电压) 2) BOOT 0 管脚:Flash 程序运行时,BOOT0 在 STM32 上可悬空,GD32 必须外部下拉(从 Flash 运行,BOOT0 必须下拉地) 3) ESD 参数:STM32 人体模式 2KV,空气模式 500V GD32 人体模式 4KV(内测 5KV),空气模式 10KV(内测 15KV) 3. 内部结构差别 1) 启动时间:GD32 启动时间相同,由于 GD 运行稍快,需要延长上电时间配置(2ms) 2) 主频时钟:GD32F10 系列主频 108MHZSTM32F10 系列主频 72MHZ 3) Flash 擦除时间:GD32 是 60ms/page,STM 30ms/page 4) FLASH 容量:GD32 最大容量 3M Byte 5) SRAM 空间:GD32F103 系列、GD32F105107 大容量系列 SRAM 96K 6) VB 外扩总线 FSMC:GD32 100PIN 配置总线输出,STM32 144PIN 并且 256k 以上才配置总线输出 4.功耗区别(以128k以下容量的作为参考) 1)睡眠模式Sleep:GD32F:12.4mA STM32F10X:7.5mA 2)深度睡眠模式Deep Sleep:GD32F:1.4mA STM32F10X:24uA 3)待机模式Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA 4)运行功耗:GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M 5.内部FLASH区别 1)ISP:擦写时间同STM32有差异,使用新版ISP软件 2)IAP:擦写时间相同,按字写入,按页擦除 3)存储寿命:10万次擦写,数据保存20年以上 4)加密特性:除了常规的禁止读出和96位ID号码加密之外,GD32数据写入 Flash时,具有存储逻辑地址连续,物理地址不连续的特性。 二、GD32与STM32兼容性详析 1、系统 1)晶振起振区别 2)部分客户使用有源晶振出现问题,在GD32F103小容量产品,发现会在MCU的复位管脚一直把电平拉到0.89V,电平不能保持在高电平。 3)GD32 MCU主频支持108MHz高性能,在代码移植方面需要注意事项 4)GD32F105/107系列MCU 配置为108MHz有何不同? 2、I/O口 1)IO口外部中断使用方法 2)在待机模式,PA8引脚特殊设置 3、定时器 1)定时器输入捕获模式需要软件清中断 2)定时器向上脉冲计数模式设置 3)TIM、ADC模块 4、串口USART 1)USART连续发送数据字节有空闲位 |
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